測試IGBT，用于評估IGBT和驅(qū)動器的匹配效果。
上傳時間： 2022-05-15
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本文所研究的課題是電磁爐IGBT驅(qū)動智能同步系統(tǒng)的設(shè)計，并在同步系統(tǒng)的基礎(chǔ)上引入電磁爐的低功率連續(xù)加熱設(shè)計。論文介紹了電磁爐的發(fā)展歷史和工作原理，并基于美的電磁爐的硬件設(shè)計，介紹了美的電磁爐的硬件模塊電路設(shè)計和美的定制的單片機以及關(guān)鍵程序結(jié)構(gòu)等等。目的是為了開發(fā)一款能夠自動識別使用時不同鍋具的特性，從而根據(jù)程序功能程序智能調(diào)功率的電磁爐具有低成本、多功能、低功率連續(xù)加熱等優(yōu)點，具有一定的市場競爭力。 電磁爐的發(fā)展已經(jīng)完全進入了其產(chǎn)品演化的成熟階段，近年來各大品牌都沒有太大的技術(shù)創(chuàng)新，創(chuàng)新更多的是在優(yōu)化產(chǎn)品使用體驗及成本上優(yōu)化方面。論文從產(chǎn)品智能化的角度，先從實現(xiàn)電磁爐的IGBT驅(qū)動智能同步，來實現(xiàn)鍋具的自動識別出發(fā)，找系統(tǒng)中的一個狀態(tài)及功率基準(zhǔn)點，以此基準(zhǔn)點來實現(xiàn)電磁爐功率及功能的智能化操作。在此研究，先是對基本電路方案進行研究，對IGBT驅(qū)動智能同步方案進行研究，并且在實現(xiàn)過程中，引入了過零啟動方案，從而更好的實現(xiàn)了IGBT的熱損耗管理。由此，看到了低成本實現(xiàn)電磁爐低功率連續(xù)加熱的可能性，并對此研究了斬波方案，同時為了解決噪音問題，從多種方案中選擇了臺階驅(qū)動方案進行研究。 IGBT驅(qū)動的智能同步，更是讓電磁爐可以直接識別不同的鍋具，且都有賦予其良好的加熱控制，這個完美的解決了當(dāng)前電磁爐的一個痛點。低功率連續(xù)加熱的實現(xiàn)更是解決了當(dāng)前電磁爐的另一個痛點。同時由于方案都是基礎(chǔ)研究方案，可以全平臺導(dǎo)入，且各方案相對獨立，可以根據(jù)實際需求拆開來導(dǎo)入。
標(biāo)簽： 電磁爐 IGBT 驅(qū)動 智能同步系統(tǒng)
上傳時間： 2022-05-29
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本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驅(qū)動電路原理和要求的基礎(chǔ)上，對EXB841，M57962AL，2SD315A等幾種驅(qū)動電路的工作特性進行了比較。并針對用于輕合金表面防護處理的特種脈沖電源主功率開關(guān)器件驅(qū)動電路運行中存在的問題對驅(qū)動電路提出了功能改進和擴展方案，進行了實驗調(diào)試，并成功地應(yīng)用于不同功率容量1GBT模塊的驅(qū)動，運行情況良好，提高了電源的可靠性。針對電源設(shè)備的進一步功率擴容要求，采用IGBT模塊串、并聯(lián)運行方案。對并聯(lián)模塊的均流、同步觸發(fā)、散熱、布局、布線等問題進行了詳細(xì)的分析和討論，同時也討論了串聯(lián)模塊的均壓、驅(qū)動等問題，并用仿真電路對串并聯(lián)模塊的工作特性進行了仿真分析。最后將IGBT串并聯(lián)方案成功地應(yīng)用于表面處理特種電源中，實際運行表明1GBT模塊的串并聯(lián)擴容是可行的。關(guān)鍵i：IGBT，驅(qū)，串聯(lián)，并聯(lián)功率開關(guān)器件在電力電子設(shè)備中占據(jù)核心的位置，它的可靠工作是整個裝置正常運行的基本條件。[1）在主電路拓?fù)湓O(shè)計和功率開關(guān)器件選取合理的前提下，如何可靠地驅(qū)動和保護主開關(guān)器件顯得十分關(guān)鍵。功率開關(guān)器件的驅(qū)動電路是主電路與控制電路之間的接口，是電力電子裝置的重要部分，對整個設(shè)備的性能有很大的影響，其作用是將控制回路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動功率開關(guān)器件。簡而言之，驅(qū)動電路的基本任務(wù)就是將控制電路傳來的信號，轉(zhuǎn)換為加在器件控制端和公共端之間的可以使其導(dǎo)通和關(guān)斷的信號。同樣的器件，采用不同的驅(qū)動電路將得到不同的開關(guān)特性。采用性能良好的驅(qū)動電路可以使功率開關(guān)器件工作在比較理想的開關(guān)狀態(tài)，同時縮短開關(guān)時間，減小開關(guān)損耗，對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。因此驅(qū)動電路的優(yōu)劣直接影響主電路的性能，因此驅(qū)動電路的合理化設(shè)計顯得越來越重要。
標(biāo)簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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三菱電機功率器件在工業(yè)、電氣化鐵道、辦公自動化、家電產(chǎn)品等多種領(lǐng)域的電力變換及電動機控制中得到廣泛應(yīng)用。為了真正滿足市場對裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強、容量大的要求，三菱電機積極致力于新型器件的研究、開發(fā)，為人類的節(jié)能和環(huán)保不斷努力。第5代IGBT和IPM模塊均采用三菱電機第5代IGBT硅片CSTBTIM技術(shù)，并具有正溫度系數(shù)特征，與傳統(tǒng)的溝槽型構(gòu)造IGBT相比，降低了集電極一發(fā)射極間飽和電壓，從而實現(xiàn)了更低損耗。同時改進了封裝技術(shù)，大大減小了模塊內(nèi)部分布電感。本應(yīng)用手冊的出版，旨在幫助用戶了解第5代IGBT和IPM模塊的特性和工作原理，更加方便的使用三菱電機的半導(dǎo)體產(chǎn)品。三菱電機謹(jǐn)向所有購買和支持三菱半導(dǎo)體產(chǎn)品的用戶表示誠摯的感謝。1.IGBT模塊的一般認(rèn)識1.1 NF系列IGBT模塊的特點NF系列IGBT模塊主要具有以下兩大特點：1，采用第5代IGBT硅片在溝槽型IGBT的基礎(chǔ)上增加電荷蓄積層的新結(jié)構(gòu)（CSTBT）改善了關(guān)斷損耗（Eoff）和集電極-發(fā)射極問飽和電壓VEisat的折衷。插入式組合元胞（PCM）的使用增強了短路承受能力（SCSOA）并降低了柵極電容，從而降低驅(qū)動功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor載流子存儲式溝槽硼型雙極晶體臂
標(biāo)簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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IGBT驅(qū)動保護電路作為變頻器主回路和控制回路之間的接口電路，具有承接前后作用.設(shè)計好驅(qū)動保護電路對于變頻器正常工作起著舉足輕重的作用，死區(qū)補償對改善變頻器輸出電壓波形，減小輸出電流諧波含量具有重要意義.本文在詳細(xì)分析IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性的基礎(chǔ)上，以HCPL316為核心設(shè)計了一套完整的IGBT驅(qū)動保護電路，該電路具有較強驅(qū)動能力，適用于驅(qū)動中小容量的IGBT：能夠?qū)GBT過電流、過電壓提供保護，針對不同型號1GBT的開關(guān)特性，可調(diào)節(jié)適合的死區(qū)時間，防止逆變電路橋臂直通，仿真和實驗證明，該驅(qū)動保護電路可以對變頻器提供可靠的過流、過壓保護功能；通過調(diào)節(jié)死區(qū)可調(diào)電阻，設(shè)置適合的死區(qū)時間，保證了變頻器中IGBT安全可靠運行.為了減小IGBT驅(qū)動電路中產(chǎn)生的死區(qū)效應(yīng)，本文采用基于功率因數(shù)角預(yù)測方法進行死區(qū)補償，該方法首先通過對功率因數(shù)角的計算，確定電流矢量在三相靜止坐標(biāo)系中所處的位置，進而判斷輸出電流方向，調(diào)節(jié)IGBT控制脈沖寬度以補償變頻器死區(qū)時間，減少變頻器的輸出電流語波，降低電動機噪聲，延長電機壽命，該方法易于軟件實現(xiàn)、具有補償精確等優(yōu)點.在變頻器控制單元中，基于常用SVPWM軟件基礎(chǔ)上，編寫了功率因數(shù)角預(yù)測死區(qū)補償算法.通過對變頻器死區(qū)補償前后的試驗，證明了本文所提方法的正確性和有效性.
上傳時間： 2022-06-19
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1電壓型PWM控制器過流保護固有問題目前國內(nèi)常見的IGBT逆變弧焊機PWM控制器通常采用TL494.SG3525等電壓型集成芯片，電流反饋信號一般取自整流輸出端，當(dāng)輸出電流信號由分流器檢出電流與給定電流比較后，經(jīng)比例積分放大器大，控制輸出脈沖寬度IGBT導(dǎo)通后，即使產(chǎn)生過電流，PWM控制電路也不可能及時關(guān)斷正在導(dǎo)通的過流脈沖由于系統(tǒng)存在延退環(huán)節(jié)，過流保護時間將延長.2電流型過流保護電流型PWM控制電路反饋電流信號由高頻變壓器初級端通過電流互感器取得，由于電流信號取自變壓器初級，反應(yīng)速度快，保護信號與正在流過IGBT的電流同步，一旦發(fā)生過流PWM立即關(guān)斷輸出脈沖，IGBT獲得及時保護，電流型PwM控制器固有的逐個脈沖檢測瞬時電流值的控制方式對輸入電壓和負(fù)載變化響應(yīng)快，系統(tǒng)穩(wěn)定性好同意老兄的觀點，在實際應(yīng)用中電壓型PWM確實占了大多數(shù)，但過流保護取樣也可以從變壓器初級取，通過互感線圈或霍爾傳感器取得過流信號，比如控制3525的8腳，這點深圳瑞凌的焊機做的不錯，可以很好保護開關(guān)管過流.如何通過檢測手段判斷一種逆變電源的主電路是否可靠，我認(rèn)為可以從開關(guān)器件和主變壓器的空載和負(fù)載狀態(tài)下的電流電壓波形來分析，從而針對性的調(diào)整開關(guān)器件參數(shù)及過流過壓緩沖元件參數(shù)以及高頻變壓器的參數(shù)，難點在于如何選擇匹配.
上傳時間： 2022-06-19
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1.1 設(shè)計總體要求（1）熟悉整流和觸發(fā)電路的基本原理，能夠運用所學(xué)的理論知識分析設(shè)計任務(wù)。（2）掌握基本電路的數(shù)據(jù)分析、處理；描繪波形并加以判斷。（3）能正確設(shè)計電路，畫出線路圖，分析電路原理。4）按時參加課程設(shè)計指導(dǎo)，定期匯報課程設(shè)計進展情況。（5）廣泛收集相關(guān)技術(shù)資料。（6）獨立思考，刻苦鉆研，嚴(yán)禁抄襲（7）按時完成課程設(shè)計任務(wù)，認(rèn)真、正確地書寫課程設(shè)計報告。8）培養(yǎng)實事求是、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ鲬B(tài)度和認(rèn)真的工作作風(fēng)。1.2 設(shè)計課題任務(wù)及要求設(shè)計一個IGBT升壓斬波電路設(shè)計（純電阻負(fù)載），要求1、輸入直流電壓：Ud-50V；2、輸出功率：300W；3、開關(guān)頻率：5KHz；5、輸出電壓脈率：小于10%.1.3 設(shè)計方案與總體框圖斬波電路一般主要可分為主電路模塊，控制電路模塊和驅(qū)動電路模塊三部分組成。其中，主電路模塊主要由電源變壓器、整流電路、濾波電路和直流斬波電路組成，其中主要由全控器件IGBT的開通與關(guān)斷的時間占空比來決定輸出電壓U的大小。控制與驅(qū)動電路模塊：用直接產(chǎn)生PWM的專用芯片SG3525產(chǎn)生PWM信號送給驅(qū)動電路，經(jīng)驅(qū)動電路來控制IGBT的開通與關(guān)斷。電路模塊：驅(qū)動電路把控制信號轉(zhuǎn)換為加在IGBT控制端和公共端之間，用來驅(qū)動1GBT的開通與關(guān)斷。驅(qū)動電路模塊：控制電路中的保護電路是用來保護電路的，防止電路產(chǎn)生過電流現(xiàn)象損害電路設(shè)備。
上傳時間： 2022-06-19
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本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計與制造方法，并通過和國內(nèi)某知名代工線合作，完成了器件制備和測試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進行分析討論，然后結(jié)合代工線的特點，進行了600V平面柵FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計，最后完成版圖設(shè)計并進行工藝流片。所設(shè)計的器件工藝流程為：先進行器件背面的FS層制作，然后進行正面結(jié)構(gòu)（包括元胞和終端）的制作，最后再進行背面的P+區(qū)注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進行了主要電學(xué)參數(shù)的測試和分析。測試結(jié)果為：耐壓大于700V、正向?qū)▔航档陀?.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設(shè)計要求。/本論文的研究成果對于促進我國FS結(jié)構(gòu)IGBT的研究和產(chǎn)業(yè)化具有很好的參考價值，通過進一步改進工藝及結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率，最終可以形成有競爭力的產(chǎn)品。
標(biāo)簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)的重要行業(yè)之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心，其發(fā)展受到廣泛關(guān)注.IGBT模塊發(fā)展的關(guān)鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中存在的缺陷，引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗證納米銀焊膏的連接性能，以確定其能否應(yīng)用在所需的1GBT模塊的制作過程中，本文首先設(shè)計了單個模擬芯片的燒結(jié)連接實驗，通過微x射線斷層掃描儀、剪切實驗、1描電鏡等檢測手段，對燒結(jié)后的連接層進行了全方位的檢測，結(jié)果發(fā)現(xiàn)雖然連接層沒有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷，但是剪切強度較低，經(jīng)過分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質(zhì)量并不十分可靠，因此又設(shè)計用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結(jié)連接實驗，連接傳況良好，剪切實驗的過程中，發(fā)現(xiàn)是芯片先出現(xiàn)破損，這證明了連接的質(zhì)量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應(yīng)用在IGBT模塊的制作中。本文重點介紹了整個IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個芯片燒結(jié)相類似的操作過程，完成整個模塊的燒結(jié)。燒結(jié)完成后通過微 射線斷層掃描儀對燒結(jié)的質(zhì)量進行了檢測，通過檢測發(fā)現(xiàn)連接層質(zhì)量良好。模塊燒結(jié)連接之后，更做出最終成型的IGBT模塊，還需要經(jīng)過外殼設(shè)計與制造、打線、灌度、組裝等工T藝，從而得到最終的成品，并通過晶體管特性測試儀對模塊的基本電性能進行了檢測。
上傳時間： 2022-06-20
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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