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GAN

氮化鎵是一種無機物,化學式GAN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(directbandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumpedsolid-statelaser)的條件下,產生紫光(405nm)激光。
  • 生成對抗網絡

    GAN的前沿性文章,作為模式識別,姿態估計的參考,方便閱讀

    標簽: GAN

    上傳時間: 2019-03-15

    上傳用戶:h_hh

  • 你一定需要!2019最新門極驅動選型指南

    英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GAN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度,縮短開發時間,節省用料(BOM)及電路板空間,相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案,可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動,同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGAN?),或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。

    標簽: 門極驅動

    上傳時間: 2022-07-16

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