『原創(chuàng)』SKILL源程序共享:MM轉(zhuǎn)MIL,且附帶計(jì)算器功能。此SKILL功能包括:MM轉(zhuǎn)MIL MIL轉(zhuǎn)MM轉(zhuǎn)換。含計(jì)算器功能,加、減、乘、除都可以。非常實(shí)用的一個(gè)SKILL。...
標(biāo)簽： MANLAB
上傳時(shí)間： 2015-07-15
上傳用戶：mwr0707
mil mm,db 倍數(shù)，米每秒，千米每小時(shí)，等單位之間互相換算 電阻并聯(lián)計(jì)算
上傳時(shí)間： 2017-09-17
上傳用戶：mubo
復(fù)活節(jié)計(jì)算 int y, n, a, q, b, m, w, d, mm = 4; y = atoi(argv[1]); n = y-1900; a = fmod(n,19);
上傳時(shí)間： 2021-07-09
上傳用戶：scfan2004
結(jié)構(gòu)體的具體尺寸如下所示：a=1.20h=0.620其中介質(zhì)錐的介電常數(shù)E=2.0。選定工作頻率為f=15GHz相對(duì)應(yīng)的真空中的波長(zhǎng)為0=20mm，這樣結(jié)構(gòu)體的兒何尺寸己經(jīng)完全確定，下面介紹求解的全過(guò)程選定求解方式為（Solution Type）Driven modal1.建立所求結(jié)構(gòu)體的幾何模型（單位：mm）。由于此結(jié)構(gòu)體的幾何形狀較簡(jiǎn)單，使用工具欄中的Draw命令可直接畫(huà)出，這里不再贅述述。畫(huà)出的結(jié)構(gòu)體如圖4.1.2所示。2.充結(jié)構(gòu)體的材料選定結(jié)構(gòu)體中的錐體部分，添加其介電常數(shù)Er=20的介質(zhì)材料注：如果HSS中沒(méi)有提供與所需參數(shù)完全相同的材料，用戶可以通過(guò)新建材料或修改已有材料，使其參數(shù)滿足用戶需求設(shè)定結(jié)構(gòu)體的邊界條件及其激勵(lì)源a.選定結(jié)構(gòu)體的貼片部分，設(shè)定其為理想導(dǎo)體（PerE）。b.畫(huà)出尺寸為X×Y×Z=70mm×70mm×40mm的長(zhǎng)方體作為輻射邊界，并設(shè)定其邊界條件為輻射邊界條件（Radiation Boundary）。c.由于要求出結(jié)構(gòu)體的RCS，因此設(shè)定激勵(lì)源為平面入射波（Incident Wave Source）。如圖4.1.3所示。4.設(shè)定求解細(xì)節(jié)，檢驗(yàn)并求解a.設(shè)定求解過(guò)程的工作頻率為f=15GHz.其余細(xì)節(jié)設(shè)定如圖4.1.4所示。b.設(shè)定遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)的求解（Far Field Radiation Sphere欄的設(shè)定）。c.使用 Validation check命令進(jìn)行檢驗(yàn)，無(wú)錯(cuò)誤發(fā)生，下一步運(yùn)行命令 Analyze，對(duì)柱錐結(jié)構(gòu)體進(jìn)行求解。如圖4.1.5和4.1.6所示。
上傳時(shí)間： 2022-03-10
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無(wú)線充方案：P6808 國(guó)內(nèi)首款SOC無(wú)線充方案IP6808 正式進(jìn)入無(wú)線充電行業(yè)。近日我們獲悉，這款芯片通過(guò)了Qi v1.2.4認(rèn)證，WPC無(wú)線充電聯(lián)盟官網(wǎng)注冊(cè)時(shí)間為7月10日，登記ID為3691。它支持10W快充，是一顆兼容WPC v1.2協(xié)議的7.5W/10W無(wú)線充電發(fā)射控制器。特點(diǎn) 兼容WPC v1.2.4 標(biāo)準(zhǔn) 支持5~10W 多種應(yīng)用 單獨(dú)5W 應(yīng)用 快充充電器輸入5~10W 應(yīng)用 5V 充電器輸入5~10W 升壓應(yīng)用 9V~15V 充電器輸入5~10W 降壓應(yīng)用 輸入耐壓高達(dá)25V 集成NMOS 全橋驅(qū)動(dòng) 集成內(nèi)部電壓/電流解調(diào) 支持 FOD 異物檢測(cè)功能 高靈敏靜態(tài)異物檢測(cè) 支持動(dòng)態(tài)FOD 檢測(cè) FOD 參數(shù)可調(diào) 低靜態(tài)功耗和高效率 靜態(tài)電流4mA 實(shí)測(cè)系統(tǒng)充電效率高達(dá)79% 兼容NPO 電容和CBB 電容 支持成品固件在線升級(jí) 針對(duì)供電能力不足的USB 電源有動(dòng)態(tài)功率調(diào)整功能（DPM） 支持低至5V 500mA 的充電器 輸入過(guò)壓，過(guò)流保護(hù)功能 支持PD3.0 輸入請(qǐng)求 支持NTC 用于系統(tǒng)各狀態(tài)指示的2 路 LED 封裝 5 mm × 5 mm 0.5pitch QFN32應(yīng)用產(chǎn)品背夾、無(wú)線充電底座 車(chē)載無(wú)線充電設(shè)備
上傳時(shí)間： 2022-06-15
上傳用戶：bluedrops
超聲波電機(jī)利用壓電陶瓷的逆壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械振動(dòng)，再通過(guò)摩擦作用將機(jī)械振動(dòng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姍C(jī)的旋轉(zhuǎn)（直線）運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)負(fù)載。壓電陶瓷作為超聲波電機(jī)的振動(dòng)發(fā)生器件，其性能的優(yōu)劣直接影響到電機(jī)的輸出性能。本文采用傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷，研究壓電阿瓷在行被型超聲波電機(jī)中的應(yīng)用及壓電性能對(duì)電機(jī)性能的影響.研究了P41和PMns-PZN-PZT壓電陶瓷材料的結(jié)構(gòu)、性能、頻率溫度穩(wěn)定性及極化方式對(duì)壓電陶瓷性能的影響。結(jié)果表明，這兩種材料都具有較好的介電溫度穩(wěn)定性，P41具有明顯的鐵電體相變特點(diǎn)，PMns-PZN-PZT具有她豫-鐵電體相變特點(diǎn)。采用同時(shí)同向一次極化工藝改善了二次極化工藝所遺留的各極化區(qū)域ds不均勻、分區(qū)界面應(yīng)力的存在導(dǎo)致的性能不穩(wěn)定性，同時(shí)縮短了極化時(shí)間，提高了超聲波電機(jī)的輸出性能.P-41陶的極化采件為3kV/mm，120 ℃極化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的極化條件為3.5 kV/mm.140℃極化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷的性能與超聲波電機(jī)性能的相關(guān)性，探討了電機(jī)的導(dǎo)納、負(fù)載、啟動(dòng)與關(guān)斷和溫度特性。結(jié)果表明，電機(jī)具有較好的瞬態(tài)特性，啟動(dòng)時(shí)間ams，關(guān)斷時(shí)間<l ms.采用P-41壓電陶瓷電機(jī)的啟動(dòng)與關(guān)斷速度比PMnS-PZIN-PZT壓電陶登電機(jī)的快，與P41壓電陶瓷具有非弛豫相變特點(diǎn)有關(guān)，說(shuō)明P41壓電陶瓷比較適用于需要反復(fù)開(kāi)關(guān)的超聲電機(jī).同時(shí)，P41電機(jī)的Qm較小而Aar比較大（TRUM-60 1型電機(jī)），具有較好的負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力。電機(jī)的表面溫度隨運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間的延長(zhǎng)迅速升高，最終在某一溫度下穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)，采用PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷電機(jī)的表面溫度明顯低于采用P41壓電陶瓷的電機(jī)（TRLIM6011電機(jī)），與PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷具有非常低的介電損耗有關(guān)，因此這種材料比較適用于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)的超聲波電機(jī)。預(yù)壓力對(duì)電機(jī)的性能影響很大，不同尺寸電機(jī)具有不同的驅(qū)動(dòng)性能.
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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DescriptionThe IMX385LQR-C is a diagonal 8.35 mm (Type 1/2) CMOS active pixel type solid-state image sensor with a squarepixel array and 2.13 M effective pixels. This chip operates with analog 3.3 V, digital 1.2 V, and interface 1.8 V triplepower supply, and has low power consumption. High sensitivity, low dark current and no smear are achieved throughthe adoption of R, G and B primary color mosaic filters. This chip features an electronic shutter with variablecharge-integration time.(Applications: Surveillance cameras)
標(biāo)簽： CMOS傳感器 IMX385LQR-C
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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sony CMOS傳感器datasheet，IMX178LQJ-C_Data_SheetDescriptionThe IMX178LQJ-C is a diagonal 8.92 mm (Type 1/1.8) CMOS active pixel type image sensor with a square pixelarray and 6.44 M effective pixels. This chip operates with analog 2.9 V, digital 1.2 V and interface 1.8 V triple powersupply, and has low power consumption.High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary colormosaic filters.This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.(Applications: Surveillance cameras, FA cameras, Industrial cameras)
標(biāo)簽： CMOS傳感器 IMX178LQJ-C
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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1引言由于環(huán)境溫度、濕度、油污等外界條件對(duì)諸如預(yù)付費(fèi)水表、預(yù)付費(fèi)燃?xì)獗?、預(yù)付費(fèi)熱量表等接觸式卡表的影響明顯，卡座磨損、腐蝕，以及潮氣、灰塵等大大縮短了對(duì)卡表的使用壽命，因此非接觸卡表已成為當(dāng)前發(fā)展趨勢(shì)。這里給出了一種基于射頻器件MFRCS22"的智能儀表設(shè)計(jì)，提高了智能儀表的使命壽命。2 MFRC522簡(jiǎn)介2.1 MFRC522的特點(diǎn)MFRC522采用串行通信方式與主機(jī)通信，可根據(jù)用戶需求，選用SPIPC或串行UART工作模式，有利于減少連線，縮小PCB板面積，降低成本。MFRC522主要特點(diǎn)如下：高度集成的調(diào)制解調(diào)電路，采用少量外部器件，即可將輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)接至天線；支持ISO/EC 14443 TypeA接口和MIFARE通信協(xié)議；支持多種主機(jī)接口：10 Mbitls的SPI接口；PC接口，快速模式的速率為400 Kbit/s，高速模式的速率為3400 Kbitls；串行UART，傳輸速率可以高達(dá)1 228.8 kbits，取 RS232 口；特有的發(fā)送器掉電機(jī)制可關(guān)團(tuán)內(nèi)部天線驅(qū)動(dòng)器，即關(guān)閉RF場(chǎng)，達(dá)到低功耗；內(nèi)置溫度傳感器，在過(guò)熱時(shí)自動(dòng)停止RF發(fā)射；獨(dú)立的多組電源供電，避免相互干擾，優(yōu)化EMC特性和信號(hào)退構(gòu)性能；25 V-3.6 V的低壓、低功耗，采用5 mmx5mmx0.85 mm的超小型HVQFN32封裝。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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摘要：為提高CCD攝像機(jī)的成像質(zhì)量，同時(shí)使鏡頭結(jié)構(gòu)緊湊、小型化，在大視場(chǎng)光學(xué)鏡頭的設(shè)計(jì)中，引入標(biāo)準(zhǔn)二次曲面和偶次非球面。根據(jù)初級(jí)像差理論，分析了非球面的位置、初始結(jié)構(gòu)參數(shù)的求解規(guī)律。通過(guò)理論計(jì)算和ZEMAX光學(xué)設(shè)計(jì)軟件的優(yōu)化，給出工作波長(zhǎng)為Q~Q7m、全視場(chǎng)角為80，相對(duì)孔徑為1：15的鏡頭設(shè)計(jì)實(shí)例。該鏡頭由7塊鏡片組成，包括一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)二次曲面和兩個(gè)8次方非球面；在40p/mm空間頻率處的MTF值超過(guò)Q85，全視場(chǎng)畸變小于3%，像質(zhì)優(yōu)良。關(guān)鍵詞：CCD攝像機(jī)；大視場(chǎng)；光學(xué)鏡頭；非球面引言CCD攝像設(shè)備在圖像傳感領(lǐng)域的迅速發(fā)展，成為現(xiàn)代光電子學(xué)和測(cè)試技術(shù)中最為引人關(guān)注的研究熱點(diǎn)之一。在科研領(lǐng)域，由于CCD具有靈敏度高、噪聲低、成本低、小而輕等優(yōu)點(diǎn)，已成為研究宏觀（如天體）和微觀（如生物細(xì)胞）現(xiàn)象不可缺少的工具。在國(guó)防軍事領(lǐng)域，CCD成像技術(shù)在微光、夜視及遙感應(yīng)用中發(fā)揮著巨大的作用?？傊?，在各類光電成像領(lǐng)域中，它已逐步取代了真空攝像管的成像系統(tǒng)。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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