vbsql學(xué)習(xí)源碼，適合一般初學(xué)者，如有問題，麻煩請指教一下
標(biāo)簽： vbsql
上傳時間： 2017-07-04
上傳用戶：himbly
這是個prolog程式，能解決4x4的數(shù)獨問題 例： ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]
標(biāo)簽： prolog 程式
上傳時間： 2017-07-21
上傳用戶：rocwangdp
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。
標(biāo)簽： ESD_Technology
Perl常問問題集,列出了Perl程序員經(jīng)常見到的問題及解答.
標(biāo)簽： Perl 程序員
上傳時間： 2013-12-06
上傳用戶：fxf126@126.com
VTK基本例題 可以創(chuàng)見一個8角圓柱體 以及一些祥細解說
標(biāo)簽： VTK
上傳時間： 2014-01-27
上傳用戶：youth25
C語言常見問題集,有100多頁,對編程中常出現(xiàn)的問題作出分析和解答,并可在學(xué)習(xí)這些知識點的過程中受益.
標(biāo)簽： 100 C語言 頁 編程
上傳時間： 2014-11-07
上傳用戶：sjyy1001
這個文本中涵蓋了關(guān)于DC工具的最常見的一些問題，針對這些問題做出了具體的解答
標(biāo)簽： DC常見問題解答
上傳時間： 2018-07-20
上傳用戶：zhangqi
晶閘管實用技術(shù)問題解答 2.6
標(biāo)簽： 2.6 晶閘管 實用技術(shù)
上傳時間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
電磁場計算中的時域有限差分法（王常清） pdf版
標(biāo)簽： 電磁場計算 時域 有限差分
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