單芯片手機的優點與挑戰 從電信公司到OEM 和ODM 廠商到芯片組供貨商，手機價值鏈的所有業者都在努力提高功能整合度，它是手機降低成本和節省電路板面積給其它功能的重要關鍵。自從20 年前出現以來，手機就以循序漸近的方式逐步提高功能整合，在此過程中并沒有任何一種技術能夠實現功能整合的大躍進。
標簽： 單芯片手機
上傳時間： 2014-12-27
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單片機常用芯片和器件手冊 地址鎖存器由于MCS-51單片機的P0口是分時復用的地址/數據總線,因此在進行程序存儲器擴展時,必須利用地址鎖存器將信號從地址/數據總線中分離開來。 常用的地址鎖存器是: 74LS373828274LS273 存儲器擴展MCS-51的程序存儲器尋址空間為64k字節(0000H--FFFFH),其中8051、8751片內涵有4K字節的ROM或EPROM，8031片內部不帶ROM。當片內ROM不夠用或采用8031芯片時，需擴展程序存儲器。MCS-51單片機訪問外部程序存儲器所使用的控制信號有： ALE：低8位地址鎖存控制； PSEN：外部程序存儲器“讀取”控制。 常用的程序存儲器有： EPROM： 2716 2732 2764 27128 27256 EEPROM：2817 2864 MCS-51的數據存儲器尋址空間為64k字節(0000H--FFFFH)。而8031單片機內部只有128個字節的RAM存儲器。數據存儲器只使用WR、RD控制線。 常用的數據存儲器有： 靜態RAM：6116 6264 動態RAM：2186
上傳時間： 2013-11-15
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Cortex-M3 技術參考手冊 Cortex-M3是一個32位的核，在傳統的單片機領域中，有一些不同于通用32位CPU應用的要求。譚軍舉例說，在工控領域，用戶要求具有更快的中斷速度，Cortex-M3采用了Tail-Chaining中斷技術，完全基于硬件進行中斷處理，最多可減少12個時鐘周期數，在實際應用中可減少70%中斷。 單片機的另外一個特點是調試工具非常便宜，不象ARM的仿真器動輒幾千上萬。針對這個特點，Cortex-M3采用了新型的單線調試(Single Wire)技術，專門拿出一個引腳來做調試，從而節約了大筆的調試工具費用。同時，Cortex-M3中還集成了大部分存儲器控制器，這樣工程師可以直接在MCU外連接Flash，降低了設計難度和應用障礙。 ARM Cortex-M3處理器結合了多種突破性技術，令芯片供應商提供超低費用的芯片，僅33000門的內核性能可達1.2DMIPS/MHz。該處理器還集成了許多緊耦合系統外設，令系統能滿足下一代產品的控制需求。ARM公司希望Cortex-M3核的推出，能幫助單片機廠商實. Cortex的優勢應該在于低功耗、低成本、高性能3者(或2者)的結合。 Cortex如果能做到 合理的低功耗(肯定要比Arm7 & Arm9要低，但不大可能比430、PIC、AVR低) ＋ 合理的高性能(10~50MIPS是比較可能出現的范圍) ＋ 適當的低成本(1~5$應該不會奇怪)。 簡單的低成本不大可能比典型的8位MCU低。對于已經有8位MCU的廠商來說，比如Philips、Atmel、Freescale、Microchip還有ST和Silocon Lab，不大可能用Cortex來打自己的8位MCU。對于沒有8位MCU的廠商來說，當然是另外一回事，但他們在國內進行推廣的實力在短期內還不夠。 對于已經有32位ARM的廠商來說，比如Philips、Atmel、ST，又不大可能用Cortex來打自己的Arm7/9，對他們來說，比較合理的定位把Cortex與Arm7/9錯開，即<40MIPS的性能＋低于Arm7的價格，當然功耗也會更低些；當然這樣做的結果很可能是，斷了16位MCU的后路。 對于仍然在推廣16位MCU的廠商來說，比如Freescal、Microchip，處境比較尷尬，因為Cortex基本上可以完全替代16位MCU。 所以，未來的1～2年，來自新廠商的Cortex比較值得期待－包括國內的供應商；對于已有32位ARM的廠商，情況比較有趣；對于16位MCU的廠商，反應比較有意思。 關于編程模式 Cortex－M3處理器采用ARMv7-M架構，它包括所有的16位Thumb指令集和基本的32位Thumb-2指令集架構，Cortex-M3處理器不能執行ARM指令集。 Thumb-2在Thumb指令集架構（ISA）上進行了大量的改進，它與Thumb相比，具有更高的代碼密度并提供16/32位指令的更高性能。 關于工作模式 Cortex-M3處理器支持2種工作模式：線程模式和處理模式。在復位時處理器進入“線程模式”，異常返回時也會進入該模式，特權和用戶（非特權）模式代碼能夠在“線程模式”下運行。 出現異常模式時處理器進入“處理模式”，在處理模式下，所有代碼都是特權訪問的。 關于工作狀態 Coretx-M3處理器有2種工作狀態。 Thumb狀態：這是16位和32位“半字對齊”的Thumb和Thumb-2指令的執行狀態。 調試狀態：處理器停止并進行調試，進入該狀態。
上傳時間： 2013-12-04
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SDRAM的原理和時序 SDRAM內存模組與基本結構 我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個概念：物理Bank與芯片位寬。1、 物理Bank 傳統內存系統為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接受的數 據容量就是CPU數據總線的位寬，單位是bit（位）。當時控制內存與CPU之間數據交換的北橋芯片也因此將內存總線的數據位寬 等同于CPU數據總線的位寬，而這個位寬就稱之為物理Bank（Physical Bank，下文簡稱P-Bank）的位寬。所以，那時的內存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應該還記 得Pentium剛上市時，需要兩條72pin的SIMM才能啟動，因為一條72pin -SIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數據總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一條內存開機。不過要強調一點，P-Bank是SDRAM及以前傳統內存家族的特有概念，RDRAM中將以通道（Channel）取代，而對 于像Intel E7500那樣的并發式多通道DDR系統，傳統的P-Bank概念也不適用。2、 芯片位寬 上文已經講到SDRAM內存系統必須要組成一個P-Bank的位寬，才能使CPU正常工作，那么這個P-Bank位寬怎么得到呢 ？這就涉及到了內存芯片的結構。 每個內存芯片也有自己的位寬，即每個傳輸周期能提供的數據量。理論上，完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要，但這對技術的要求很高，在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片 位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯工作。對于16bi t芯片，需要4顆（4×16bit=64bit）。對于8bit芯片，則就需要8顆了。以上就是芯片位寬、芯片數量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合，這個集合的容量不限，但這個集合的 總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發展，
上傳時間： 2013-11-04
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PCF2123是低功耗的CMOS實時時鐘/日歷芯片。數據通過SPI總線傳輸，最大總線速率高達6.25Mbit/s。報警和定時器功能產生一個喚醒信號，喚醒中斷管腳。偏移寄存器可以實現時鐘的校準。
上傳時間： 2013-10-30
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NE1617A是一款高精度雙通道數字溫度監控器。其可以測量本地溫度及遠程溫度。遠程溫度傳感器可以使用分立NPN/PNP三極管（以二極管方式連接），如2N3904/2N3906。或者選用一些內嵌PNP結構（連接成二極管形式）的芯片，如INTEL的微處理器。
上傳時間： 2013-11-17
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PCA2125是低功耗的CMOS實時時鐘/日歷芯片，工作溫度高達125℃。數據通過SPI總線傳輸，最大總線速率高達6.0Mbit/s。報警和定時器功能產生一個喚醒信號，喚醒中斷管腳。
上傳時間： 2013-11-09
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PCF8535是一款低功耗的CMOS點陣液晶驅動器，能以1：17，1：24，1：34、1：49和1：65的多路復用速率驅動點陣液晶顯示器，驅動點陣能力可達65×133點。PCF8535將液晶驅動器所須的全部功能（包括產生LCD偏置電壓的產生等）都集成在芯片里面，這樣做可以大大地減少外部器件并降低功耗。
上傳時間： 2013-11-25
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PCF21xxC系列芯片是單片LCD驅動器，采用硅門CMOS工藝。它采用3總線（CBUS）結構和微控制器連接，所有的輸入均與CMOS/NMOS兼容。
上傳時間： 2013-10-28
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PCF2119x是一款低功耗的CMOS型LCD控制器和驅動器，可以驅動一塊點陣LCD顯示2行每行16個5×8格式的字符，或者顯示1行每行32個5×8格式的字符。PCF2119x單片（無需其他外圍器件）提供顯示所需的所有必要功能，包括片內產生LCD偏置電壓。PCF2119x的這些特性使得其需要的外圍器件極少并且能降低系統的電流損耗。PCF2119x可通過4或8位總線或者2-wire的I2C總線與大多數微控制器連接。該芯片包含一個字符發生器并且可以顯示英文、數字和假名（日語）字符。
上傳時間： 2013-11-06
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