MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
上傳時間： 2022-06-21
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PIC XC8 V1.41 PRO版，編譯器破解文件，將附件文件覆蓋編譯器bin目錄下原文件即可。你懂的。。。。。。。編譯前把編譯選項的Free改成PRO和諧文件在MPLAB X IDE v5.00版本測試成功清除已成功 (總時間： 10ms)make -f nbproject/Makefile-default.mk SUBPROJECTS= .build-confmake -f nbproject/Makefile-default.mk dist/default/production/KEY_V1.X.production.hexMicrochip MPLAB XC8 C Compiler (PRO Mode) V1.41Build date: Jan 24 2017Part Support Version: 1.41Copyright (C) 2017 Microchip Technology Inc.Memory Summary: Program space used 2A9h ( 681) of 1000h words ( 16.6%) Data space used 4Dh ( 77) of 100h bytes ( 30.1%) EEPROM space used 0h ( 0) of 100h bytes ( 0.0%) Data stack space used 0h ( 0) of AEh bytes ( 0.0%) Configuration bits used 2h ( 2) of 2h words (100.0%) ID Location space used 0h ( 0) of 4h bytes ( 0.0%)編譯已成功 (總時間： 2s)正在加載代碼...加載完成
標簽： XC8
上傳時間： 2022-06-21
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Tickless Idle Mode（FreeRTOS下的實現）一前言目前，越來越多的嵌入式產品在開發中使用RTOS作為軟件平臺，同時，開發中對低功耗的要求也越來越高，這篇文檔會討論一下如何在RTOS中處理微控制器的低功耗特性。應用中使用的RTOS一般采用基于時間片輪轉的搶占式任務調度機制，一般的低功耗設計思路如下：1，當ldle任務運行時，進入低功耗模式：2，在適當的條件下，通過中斷或者外部事件喚醒MCU.但是，從第二點可以看出，每次當OS系統定時器產生中斷時，也會將MCU從低功耗模式中喚醒，而頻繁的進入低功耗模式/從低功耗模式中喚醒會使得MCU無法進入深度睡眠，對低功耗設計而言也是不合理的。在FreeRTOS中給出了一種低功耗設計模式-Tickless Idle Mode，這個方法可以讓MCU更長時間的處于低功耗模式。
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：qingfengchizhu
CCD（ Charge Coupled Device ）全稱為電荷耦合器件，是70 年代發展起來的新型半導體器件。它是在MOS集成電路技術基礎上發展起來的，為半導體技術應用開拓了新的領域。它具有光電轉換、信息存貯和傳輸等功能，具有集成度高、功耗小、結構簡單、壽命長、性能穩定等優點，故在固體圖像傳感器、信息存貯和處理等方面得到了廣泛的應用。CCD圖像傳感器能實現信息的獲取、轉換和視覺功能的擴展，能給出直觀、真實、多層次的內容豐富的可視圖像信息，被廣泛應用于軍事、天文、醫療、廣播、電視、傳真通信以及工業檢測和自動控制系統。實驗室用的數碼相機、光學多道分析器等儀器，都用了CCD作圖象探測元件。一個完整的CCD器件由光敏單元、轉移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸出電路組成。CCD工作時，在設定的積分時間內由光敏單元對光信號進行取樣，將光的強弱轉換為各光敏單元的電荷多少。取樣結束后各光敏元電荷由轉移柵轉移到移位寄存器的相應單元中。移位寄存器在驅動時鐘的作用下，將信號電荷順次轉移到輸出端。將輸出信號接到示波器、圖象顯示器或其它信號存儲、處理設備中，就可對信號再現或進行存儲處理。由于CCD光敏元可做得很小（約10um），所以它的圖象分辨率很高。
上傳時間： 2022-06-23
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CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實現；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現，除此之外還可將圖像處理電路集成，實現更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術。CIS是90年代興起的新技術，掌握該技術的公司較多，美國有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國臺灣的晶像；大陸地區的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術出現早，相對成熟，前期占據了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優勢明顯，因此多用于手機，PCCamera等便攜產品。隨著CIS技術的不斷進步，性能不斷提升；而CCD技術提升空間有限，進步緩慢。目前CIS不僅占據幾乎全部的便攜設備市場，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場，更是向CCD傳統優勢市場——監控市場發起沖擊。下面就監控專用CIS與傳統CCD進行綜合對比。
上傳時間： 2022-06-23
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機械工業是國民經濟的裝備部門，而標準化和計量測試是機械工業發展的基礎和先決條件。在機械制造中，精密加工必須靠精密的測量手段來保證，加工精度的提供與計量技術的發展水平密切相關。測量與控制是促進科技發展的一個重要因素。CCD（Charge Coupled Device），電荷耦合器件，是70年代初發展起來的新型半導體器件，其設計思想是由美國貝爾實驗室的Boyer與Smith于70年代提出]。二十多年來，CCD的研究取得了驚人的進展，特別是在傳感器應用方面發展迅速，已成為現代光電子學與現代測試技術中最活躍、最富有成果的新興領域之一。由于CCD具有自掃描、高分辨率、高靈敏度、重量輕、體積小、像素位置準確、耗電少、壽命長、可靠性好、信號處理方便、易于與計算機配合等優點，致使CCD光電尺寸測量的使用范圍和特性比現有的機械式、光學式、電磁式量儀優越得多。特別值得注意的是CCD尺寸測量技術是一種非常有效的非接觸檢測方法，它使加工、檢測和控制過程融為一體成為可能。利用CCD作為光敏感器件的激光三角法測量技術在非接觸尺寸、位置測量中得到了廣泛應用。它將激光束投射到被測物面所形成的漫反射光斑作為傳感信號，用透鏡成像原理將收集到的漫反射光匯集到CCD上形成像點，當入射光斑隨被測物面移動時，成像點在CCD上作相應移動，根據象移大小和傳感器的結構參數可以確定被測物面的位移量，若在物體兩邊同時測量就可以得到物體的厚度。
上傳時間： 2022-06-23
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Android 手機遠程Zigbee網絡控制實驗V1.01、實驗準備材料1.Android手機一部（要求系統版本在1.6以上，并有wifi支持）2.Win7系統的筆記本電腦一臺，并有wifi以及USB接口支持。3.軟件server.apk USR-TCP-Test.apk TcpComm.exe2、實驗步驟1.安裝server.apk USR-TCP-Test.apk到Android手機，安裝完成效果如下圖所示：2.在復制TcpComm.exe到計算機，完成后效果如下圖所以：3.在電腦上建立wifi接入點開始輸入CMD復制：netsh wlan set hostednetwork mode=allow ssid=ABCDEFG key=123456789到DOS命令窗口
上傳時間： 2022-06-24
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引言開關電源（SMPS：Switch Mode Power Supply）是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時問比率，維持穩定輸出電壓的一種電源·非隔離式DC/DC變換具有六種基本拓撲結構：降壓（Buck）變換器升壓（Boost）變換器極性反轉升降壓（Buck2Boost）變換器Cuk（Boost2Buck 聯）變換器Sepic變換器Zeta變換器[-1，與線性電源相比，開關電源具有體積小重量輕效率高自身抗干擾性強輸出電壓范圍寬模塊化等優點。LTspice IV是LT公司推出的SPICE電路仿真軟件，具有集成電路圖捕獲和波形觀測功能。LTspice IV內置新型SPIE元件，能快速進行SMPS交互式仿真，且無元件或節點數目的限制.LTspice IV雖然與開關模式電源設計配合使用，但它并不是SMPS專用型SPICE軟件，而是一款通用型SPICE-LTspice IV內置了LT公司新型SPARSE矩陣求解器，采用專有的并行處理方法，實現了對任務的高效并行處理"。
上傳時間： 2022-06-26
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一、建焊盤打開建立焊盤的軟件Pad Designer路徑：包括采用的制式，現在選公制單位毫米，精度3，右側問是否需要多重鉆孔，這個功能一般是用于做非圓孔。一般圓孔不用勾選。下面設定鉆孔樣式，一般是圓孔，鉆孔內部是否鍍銅 plated（no plated即為不鍍銅，一般用于塑膠件定位孔），再是鉆孔直徑，設置精度，是否偏移等。如果是表貼元件，鉆孔直徑設為0。如果是表面安裝元件，把signle layer mode勾選。焊盤一般需要 begin layer和end layer，還有就是soldmask_top，soldmask_bottom，pastemask top，pastemask bottom這幾個層面。對表面安裝元件來說，只需要begin layer，soldermask_top以及pastemask_top就可以了。鼠標左鍵點擊begin layer，會發現最下面三個對話框被刷新，在下面填入需要的值：從左到右：規則焊盤，熱焊盤，反焊盤。1規則焊盤下面需要填入焊盤形狀，長寬，是否有偏移。1熱焊盤，要求選擇焊盤類型，尺寸等；1反焊盤，作用是設定焊盤與周邊間距，一般比規則焊盤略大6-10mil。鼠標點擊soldermask_top，下面對話框刷新出該選項。按照需要填入數據。Pastemask top同樣處理。右邊上角還有視圖角度選擇，Xsection為水平視圖，TOP為從上往下看。
標簽： cadence allegro
上傳時間： 2022-07-02
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MT2625 DatasheetVersion: 1.2Release date: 31 January 2018NB-IoT transceiver? Compliant with 3GPP R13/R14 NB-IoT standard? Supports DL 200kHz bandwidth/UL single tone and multi-tone? Supported RF bands: B1/B2/B3/B5/B8/B11/B12/B13/B17/B18/B19/B20/B21/B25/B26/B28/B31/B66/B70/B71? Supports PSM and eDRX modeMicrocontroller subsystem? ARM? Cortex?-M4 with FPU and MPU? 14 DMA channels? One RTC timer, one 64-bit and five 32-bit general purpose timers? Development support: SWD, JTAG? Crypto engineo AES 128, 192, 256 bitso DES, 3DESo MD5, SHA-1, 224, 256, 384, 512? True random number generator? JTAG password protection
標簽： MT2625
上傳時間： 2022-07-04
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