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提出了一種基于gm /ID方法設(shè)計的可變增益放大器。設(shè)計基于SMIC90nmCMOS工藝模型，可變增益放大器由一個固定增益級、兩個可變增益級和一個增益控制器構(gòu)成。固定增益級對輸入信號預(yù)放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可變性由兩個受增益控制器控制的可變增益級實(shí)現(xiàn)。運(yùn)用gm /ID的綜合設(shè)計方法，優(yōu)化了任意工作范圍內(nèi)，基于gm /ID和VGS關(guān)系的晶體管設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了低電壓低功耗。為得到較寬的增益范圍，應(yīng)用了一種新穎的偽冪指函數(shù)。利用Cadence中spectre工具仿真，結(jié)果表明，在1.2 V的工作電壓下，具有76 dB的增益，控制電壓范圍超過0.8 V，帶寬范圍從34 MHz到183.6 MHz，功耗為0.82 mW。
上傳時間： 2013-11-10
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為了測量某試件多點(diǎn)溫度，且溫度跨度很大，還要達(dá)到要求精度，本文利用幾種不同類型的傳感器（AD590、PT1000和K型熱電偶）進(jìn)行采集，其輸出形式（電流源、電阻和熱電勢）和大小均不相同，設(shè)計了電源電路、信號轉(zhuǎn)換電路和放大抬升電路，使各種傳感器的輸出達(dá)到統(tǒng)一的1～5 V的標(biāo)準(zhǔn)信號；在實(shí)驗(yàn)室利用高精度電壓、電流源和電阻箱分別對熱電偶、AD590和PT1000進(jìn)行模擬，結(jié)果表明該方法可行，調(diào)理電路的相對精度可達(dá)到0.1級。
標(biāo)簽： 溫度傳感器 信號調(diào)理 電路設(shè)計
上傳時間： 2013-12-11
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ADM1073 –48 V熱插拔控制器，可通過動態(tài)控制置于電源路徑中外部N溝道FET上的柵極電壓，精確限制該電源產(chǎn)生的電流。內(nèi)部檢測放大器可以檢測連接在電源VEE和SENSE引腳之間的檢測電阻上的電壓。該電平體現(xiàn)了負(fù)載電流水平。檢測放大器具有100 mV (±3%)的預(yù)設(shè)控制環(huán)路閾值。這意味著當(dāng)檢測電阻上檢測到100 mV的電壓時，電流控制環(huán)路就會調(diào)節(jié)負(fù)載電流。這樣檢測電阻值可以設(shè)置促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)的電流水平。100 mV除以RSENSE可以得到電流值，此時檢測電阻會促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)。
上傳時間： 2013-10-30
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設(shè)計了一款用于UHF RFID射頻前端接收機(jī)的高線性度LNA。該低噪聲放大器采用噪聲消除技術(shù)，具有單端輸入差分輸出的功能，能夠同時實(shí)現(xiàn)輸出平衡，噪聲消除和非線性失真抵消，具有高的線性度。該電路采用TSMC 0.18 μm工藝設(shè)計，芯片面積只有0.02 mm2。電源電壓為1.8 V，總電流為8 mA，后仿真結(jié)果增益為19.2 dB，噪聲因子為2.5 dB，輸入1 dB壓縮點(diǎn)為-5.2 dBm。
上傳時間： 2014-01-21
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介紹了一種基于低壓、寬帶、軌對軌、自偏置CMOS第二代電流傳輸器（CCII）的電流模式積分器電路，能廣泛應(yīng)用于無線通訊、射頻等高頻模擬電路中。通過采用0.18 μm工藝參數(shù)，進(jìn)行Hspice仿真，結(jié)果表明：電流傳輸器電壓跟隨的線性范圍為-1.04～1.15 V，電流跟隨的線性范圍為-9.02～6.66 mA，iX/iZ的-3 dB帶寬為1.6 GHz。輸出信號的幅度以20dB/decade的斜率下降，相位在低于3 MHz的頻段上保持在90°。
上傳時間： 2014-06-20
上傳用戶：lvchengogo
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個可用于12~14 bit精度，100 MS/s采樣頻率的高速流水線（Pipelined）ADC的運(yùn)放。設(shè)計基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝，在Cadence環(huán)境下對電路進(jìn)行Spectre仿真。仿真結(jié)果表明，在2.5 V單電源電壓下驅(qū)動2 pF負(fù)載時，運(yùn)放的直流增益可達(dá)到124 dB，單位增益帶寬720 MHz，轉(zhuǎn)換速率高達(dá)885 V/μs，達(dá)到0.1%的穩(wěn)定精度的建立時間只需4 ns，共模抑制比153 dB。
標(biāo)簽： CMOS 增益提高 運(yùn)算 放大器設(shè)計
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：jiiszha
現(xiàn)代信息處理應(yīng)用中，對模數(shù)轉(zhuǎn)換器的速度、精度、功耗和動態(tài)性能等關(guān)鍵性能指標(biāo)不斷提出更高的要求。針對模數(shù)轉(zhuǎn)換的實(shí)際應(yīng)用，提出并設(shè)計了一種基于TI公司生產(chǎn)的雙通道14 位 250MSPS 低功耗A / D轉(zhuǎn)換器 ADS4249的RGB視頻編碼器電路設(shè)計。這款A(yù) / D轉(zhuǎn)換器的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)在于其完美的實(shí)現(xiàn)高動態(tài)性能的同時又能擁有1.8 V超低功耗。這一特性使得ADS4249非常適合多載波，寬帶通信的信號處理應(yīng)用。
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：kiklkook
采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設(shè)計,鋸齒波信號的線性度較好,當(dāng)負(fù)載電路減小時,自動進(jìn)入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效率。整個電路基于1.0 μm 40 V CMOS工藝設(shè)計,通過Hspice完成了整體電路前仿真驗(yàn)證和后仿真,仿真結(jié)果表明,振蕩電路的性能較好,可廣泛應(yīng)用在PWM等各種電子電路中。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：kangqiaoyibie
設(shè)計了一種用于高速ADC中的全差分套筒式運(yùn)算放大器.從ADC的應(yīng)用指標(biāo)出發(fā),確定了設(shè)計目標(biāo),利用開關(guān)電容共模反饋、增益增強(qiáng)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)了一個可用于12 bit精度、100 MHz采樣頻率的高速流水線(Pipelined)ADC中的運(yùn)算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工藝,Spectre仿真結(jié)果表明,該運(yùn)放可以達(dá)到105.8 dB的增益,單位增益帶寬達(dá)到983.6 MHz,而功耗僅為26.2 mW.運(yùn)放在4 ns的時間內(nèi)可以達(dá)到0.01%的建立精度,滿足系統(tǒng)設(shè)計要求.
標(biāo)簽： 增益 增強(qiáng)型 運(yùn)算放大器
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：563686540
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