本指南包含有關移除和安裝Secure Access 6000機柜中的現場置換單元的信息。 有關Secure Access 6000的安全信息，請參閱Juniper Networks支持站點上的Juniper Networks Security Products Safety Guide。以下各部分將介紹有關組件的移除和安裝的詳細過程。
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：shenlan
如何對STM8S的閃存存儲器和數據EEPROM編程
上傳時間： 2014-12-24
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HT45R37 內建有Serial Interface Function，其中包括了SPI 和I2C 這兩種串列傳輸模式，本文 以HT45R37 為母體，介紹使用SPI 進行資料傳輸的方法和注意事項
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：lz4v4
采用納瓦技術的8/14引腳閃存8位CMOS單片機 PIC12F635/PIC16F636/639數據手冊 目錄1.0 器件概述 2.0 存儲器構成3.0 時鐘源4.0 I/O 端口 5.0 Timer0 模塊6.0 具備門控功能的Timer1 模塊 7.0 比較器模塊8.0 可編程低壓檢測（PLVD）模塊9.0 數據EEPROM 存儲器10.0 KeeLoq® 兼容加密模塊 11.0 模擬前端（AFE）功能說明 （僅限PIC16F639）12.0 CPU 的特殊功能13.0 指令集概述14.0 開發支持15.0 電氣特性16.0 DC 和AC 特性圖表17.0 封裝信息Microchip 網站變更通知客戶服務客戶支持讀者反饋表 附錄A： 數據手冊版本歷史產品標識體系全球銷售及服務網點
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：qlpqlq
6引腳8位閃存單片機 PIC10F200/202/204/206數據手冊 目錄1.0 器件概述2.0 PIC10F200/202/204/206 器件種類3.0 架構概述4.0 存儲器構成5.0 I/O 端口6.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F200/202）7.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F204/206）8.0 比較器模塊9.0 CPU 的特性10.0 指令集匯總11.0 開發支持 12.0 電氣規范 13.0 DC 及AC 特性圖表14.0 封裝信息 索引 客戶支持 變更通知客戶服務 讀者反饋表 產品標識體系
上傳時間： 2013-10-09
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NEC閃光胸牌電路板的構成電路板是由單片機應用電路部分和閃存編程器兩部分構成的。■單片機應用電路部分單片機應用電路部分主要是由電池（1220），開關和NEC 78K0/KB2(uPD78F0500)8位閃存單片機構成。把程序寫入單片機內置的閃存存儲器，就可以進行各種控制了。■閃存編程器部分閃存編程器是把PC里的程序寫入單片機的閃存存儲器的裝置。您得到的電路板上的閃存編程器部分只有配線沒有零部件，要寫入程序必須購置零部件后焊接，您只要花費很少的經費和精力即可完成。關于閃存編程器的制作方法下面會做詳細說明。
上傳時間： 2013-10-31
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存儲器技術.doc 計算機的主存儲器（Main Memory），又稱為內部存儲器，簡稱為內存。內存實質上是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路。內存的主要作用是用來存放計算機系統執行時所需要的數據，存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時作為緩沖用。由于CPU只能直接處理內存中的數據 ，所以內存是計算機系統中不可缺少的部件。內存的品質直接關系到計算機系統的速度、穩定性和兼容性。 4.1 存儲器類型計算機內部存儲器有兩種類型，一種稱為只讀存儲器ROM（Read Only Memiry），另一種稱為隨機存儲器RAM（Random Access Memiry）。 4.1.1 只讀存儲器只讀存儲器ROM主要用于存放計算機固化的控制程序，如主板的BIOS程序、顯卡BIOS控制程序、硬盤控制程序等。ROM的典型特點是：一旦將數據寫入ROM中后，即使在斷電的情況下也能夠永久的保存數據。從使用上講，一般用戶能從ROM中讀取數據，而不能改寫其中的數據。但現在為了做一日和尚撞一天鐘于軟件或硬件程序升級，普通用戶使用所謂的閃存（Flash Memiry）也可以有條件地改變ROM中的數據。有關只讀存儲器ROM的內容將在第11章中介紹，本章主要介紹隨機存儲器。4.1.2 隨機存取存儲器隨機存取存儲器RAM的最大特點是計算機可以隨時改變RAM中的數據，并且一旦斷電，TAM中數據就會立即丟失，也就是說，RAM中的數據在斷電后是不能保留的。從用于制造隨機存取存儲器的材料上看，RAM又可分為靜態隨機存儲器SRAM（Static RAM）和動態隨機存儲器DRAM（Dymamic RAM）兩種。1. 動態隨機存儲器在DRAM中數據是以電荷的形式存儲在電容上的，充電后電容上的電壓被認為是邏輯上的“1”，而放電后的電容上的電壓被認為是邏輯上的“0”認。為了減少存儲器的引腳數，就反存儲器芯片的每個基本單元按行、列矩陣形式連接起來，使每個存儲單元位于行、列的交叉點。這樣每個存儲單元的地址做一日和尚撞一天鐘可以用位數較少的行地址和列地址兩個部分表示，在對每個單元進行讀寫操作時，就可以采用分行、列尋址方式寫入或讀出相應的數據，如圖4－1所示。 由于電容充電后，電容會緩慢放電，電容 上的電荷會逐漸
標簽： 存儲器
上傳時間： 2014-01-10
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無線感測器已變得越來越普及，短期內其開發和部署數量將急遽增加。而無線通訊技術的突飛猛進，也使得智慧型網路中的無線感測器能夠緊密互連。此外，系統單晶片(SoC)的密度不斷提高，讓各式各樣的多功能、小尺寸無線感測器系統相繼問市。儘管如此，工程師仍面臨一個重大的挑戰：即電源消耗。
上傳時間： 2013-10-30
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文中研究并實現了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態存儲系統,成果為實際研制應用于星的基于閃存的大容量存儲器奠定了基礎,具體較好的指導和借鑒意義。
上傳時間： 2014-10-15
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STM32F10xxx閃存編程參考手冊
上傳時間： 2013-11-06
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