//led.v /*------------------------------------- LED顯示模塊：led(CLK,AF,ADDR,DATA) 功能： 顯示 注意事項(xiàng)： 8位LED 參數(shù)： CLK:掃妙時(shí)鐘輸入，推薦1kHz AF:數(shù)碼管輸出，a～h ADDR:數(shù)碼管選擇位數(shù)出，0~2 DATA:顯示數(shù)據(jù)輸入0~9999 9999 編寫人： 黃道斌 編寫日期： 2006/07/13 -------------------------------------*/
上傳時(shí)間： 2015-06-24
上傳用戶：duoshen1989
EEPROM 24CXX應(yīng)用程序供參考 對(duì)EEPROM數(shù)據(jù)區(qū)讀出（當(dāng)前值=ADDR+WRC_<=0FFH），每進(jìn)行一次讀操作將使ADDR值減一；讀出數(shù)據(jù)后程序?qū)言摂?shù)據(jù)存入通用寄存器中，開始存放的地址由FSR的值指定（范例為30H），每進(jìn)行一次讀操作將使FSR的值加一；讀出規(guī)定個(gè)數(shù)（由寄存器REC_給定，范例值為0FH）的數(shù)值后，結(jié)束讀出，回main
上傳時(shí)間： 2015-07-05
上傳用戶：playboys0
寫入N字節(jié)數(shù)據(jù)程序 把N個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)寫入起始地址為ADDR的EEPROM內(nèi)
標(biāo)簽： EEPROM ADDR 字節(jié) 數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間： 2013-12-29
上傳用戶：zhanditian
void statistics(int signo) unsigned short cal_chksum(unsigned short *ADDR,int len) int pack(int pack_no) void send_packet(void)
標(biāo)簽： int unsigned short statistics
上傳時(shí)間： 2014-09-09
上傳用戶：liansi
將數(shù)據(jù)data寫入ADDR所指定的pci單元，DSP芯片TMS320VC33控制的匯編源代碼。請(qǐng)使用的同時(shí)交上筆者的名字《張慶》，謝謝！
標(biāo)簽： data ADDR pci 數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間： 2014-12-02
上傳用戶：rocwangdp
時(shí)鐘模塊DS1307驅(qū)動(dòng)I2C uchar Read_DS1307(uchar ADDR) void Write_DS1307_Byte(uchar byte) void Write_DS1307(uchar ADDR,uchar dat) void rtc_get(void) void rtc_set(void)
標(biāo)簽： uchar 1307 Write_DS void
上傳時(shí)間： 2016-03-17
上傳用戶：zm7516678
vhdl ADDR
上傳時(shí)間： 2016-04-22
上傳用戶：han_zh
ip ADDR discription , and the ip ADDR how to located.
標(biāo)簽： ADDR discription located ip
上傳時(shí)間： 2016-06-28
上傳用戶：hustfanenze
#include<reg51.h>/*************************ds1302與at89s52引腳連接********************/sbit T_RST=P3^5; sbit T_CLK=P3^6; sbit T_IO=P3^7; sbit ACC0=ACC^0;sbit ACC7=ACC^7;unsigned char seg[]={0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07,0x08,0x09}; //0~~9段碼 /******************DS1302：寫入操作(上升沿)*********************/ void write_byte(unsigned char da){ unsigned char i; ACC=da; for(i=8;i>0;i--) { T_IO=ACC0; T_CLK=0; T_CLK=1; ACC=ACC>>1; }} /******************DS1302：讀取操作（下降沿）*****************/unsigned char read_byte(void){ unsigned char i; for(i=0;i<8;i++) { ACC=ACC>>1; T_CLK = 1; T_CLK = 0; ACC7 = T_IO; } return(ACC); } /******************DS1302:寫入數(shù)據(jù)（先送地址，再寫數(shù)據(jù)）***************************/ void write_1302(unsigned char ADDR,unsigned char da){ T_RST=0; //停止工作 T_CLK=0; T_RST=1; //重新工作 write_byte(ADDR); //寫入地址 write_byte(da); T_RST=0; T_CLK=1;}
上傳時(shí)間： 2014-01-17
上傳用戶：sglccwk
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請(qǐng)問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請(qǐng)教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：han_zh
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