//led.v /*------------------------------------- LED顯示模塊:led(CLK,AF,ADDR,DATA) 功能: 顯示 注意事項(xiàng): 8位LED 參數(shù): CLK:掃妙時(shí)鐘輸入,推薦1kHz AF:數(shù)碼管輸出,a~h ADDR:數(shù)碼管選擇位數(shù)出,0~2 DATA:顯示數(shù)據(jù)輸入0~9999 9999 編寫人: 黃道斌 編寫日期: 2006/07/13 -------------------------------------*/
上傳時(shí)間: 2015-06-24
上傳用戶:duoshen1989
EEPROM 24CXX應(yīng)用程序供參考 對(duì)EEPROM數(shù)據(jù)區(qū)讀出(當(dāng)前值=ADDR+WRC_<=0FFH),每進(jìn)行一次讀操作將使ADDR值減一;讀出數(shù)據(jù)后程序?qū)言摂?shù)據(jù)存入通用寄存器中,開始存放的地址由FSR的值指定(范例為30H),每進(jìn)行一次讀操作將使FSR的值加一;讀出規(guī)定個(gè)數(shù)(由寄存器REC_給定,范例值為0FH)的數(shù)值后,結(jié)束讀出,回main
上傳時(shí)間: 2015-07-05
上傳用戶:playboys0
寫入N字節(jié)數(shù)據(jù)程序 把N個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)寫入起始地址為ADDR的EEPROM內(nèi)
標(biāo)簽: EEPROM ADDR 字節(jié) 數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間: 2013-12-29
上傳用戶:zhanditian
void statistics(int signo) unsigned short cal_chksum(unsigned short *ADDR,int len) int pack(int pack_no) void send_packet(void)
標(biāo)簽: int unsigned short statistics
上傳時(shí)間: 2014-09-09
上傳用戶:liansi
將數(shù)據(jù)data寫入ADDR所指定的pci單元,DSP芯片TMS320VC33控制的匯編源代碼。請(qǐng)使用的同時(shí)交上筆者的名字《張慶》,謝謝!
標(biāo)簽: data ADDR pci 數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間: 2014-12-02
上傳用戶:rocwangdp
時(shí)鐘模塊DS1307驅(qū)動(dòng)I2C uchar Read_DS1307(uchar ADDR) void Write_DS1307_Byte(uchar byte) void Write_DS1307(uchar ADDR,uchar dat) void rtc_get(void) void rtc_set(void)
標(biāo)簽: uchar 1307 Write_DS void
上傳時(shí)間: 2016-03-17
上傳用戶:zm7516678
vhdl ADDR
上傳時(shí)間: 2016-04-22
上傳用戶:han_zh
ip ADDR discription , and the ip ADDR how to located.
標(biāo)簽: ADDR discription located ip
上傳時(shí)間: 2016-06-28
上傳用戶:hustfanenze
#include<reg51.h>/*************************ds1302與at89s52引腳連接********************/sbit T_RST=P3^5; sbit T_CLK=P3^6; sbit T_IO=P3^7; sbit ACC0=ACC^0;sbit ACC7=ACC^7;unsigned char seg[]={0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07,0x08,0x09}; //0~~9段碼 /******************DS1302:寫入操作(上升沿)*********************/ void write_byte(unsigned char da){ unsigned char i; ACC=da; for(i=8;i>0;i--) { T_IO=ACC0; T_CLK=0; T_CLK=1; ACC=ACC>>1; }} /******************DS1302:讀取操作(下降沿)*****************/unsigned char read_byte(void){ unsigned char i; for(i=0;i<8;i++) { ACC=ACC>>1; T_CLK = 1; T_CLK = 0; ACC7 = T_IO; } return(ACC); } /******************DS1302:寫入數(shù)據(jù)(先送地址,再寫數(shù)據(jù))***************************/ void write_1302(unsigned char ADDR,unsigned char da){ T_RST=0; //停止工作 T_CLK=0; T_RST=1; //重新工作 write_byte(ADDR); //寫入地址 write_byte(da); T_RST=0; T_CLK=1;}
上傳時(shí)間: 2014-01-17
上傳用戶:sglccwk
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo):當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí),8片分立器件不焊接;當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí),SODIMM內(nèi)存條不安裝。請(qǐng)問專家:1、在設(shè)計(jì)中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管腳約束文件是否還可更改?若能更改,則必須要滿足什么條件下更改?生成的約束文件中,ADDR,data之間是否能調(diào)換? 2、對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么?通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配,哪種匹配方式更好? 3、V4中,PCB LayOut時(shí),DDR2線路阻抗單端為50歐,差分為100歐?Hyperlynx仿真時(shí),那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低頻率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片內(nèi)存顆粒,則物理上兩部分是連在一起的,若實(shí)際使用時(shí),只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒,是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響?若有影響,如何控制? 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用,構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元?若能,則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大?工作時(shí)候,DDR2芯片是否很燙,一般如何考慮散熱? 8、由于多層板疊層的問題,可能頂層和中間層的銅箔不一樣后,中間的夾層后度不一樣時(shí),也可能造成阻抗的不同。請(qǐng)教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層?
上傳時(shí)間: 2013-10-12
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