利用pHEMT工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設(shè)計(jì)中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF-54143晶體管，電路采用二級(jí)級(jí)聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式，利用微帶電路實(shí)現(xiàn)輸入輸出和級(jí)間匹配，通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對(duì)電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進(jìn)行了研究設(shè)計(jì)，最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB，噪聲小于1.2 dB，輸出電壓駐波比小于2，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。
標(biāo)簽：
GHz
波段
低噪聲放大器
仿真設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間：
2014-07-03
上傳用戶：遠(yuǎn)遠(yuǎn)ssad
