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NPN達(dá)(dá)林頓連接晶體管

  • 開關(guān)電源中光耦隔離的幾種典型接法對比

      在一般的隔離電源中,光耦隔離反饋是一種簡單、低成本的方式。但對于光耦反饋的各種連接方式及其區(qū)別,目前尚未見到比較深入的研究。而且在很多場合下,由于對光耦的工作原理理解不夠深入,光耦接法混亂,往往導(dǎo)致電路不能正常工作。本研究將詳細(xì)分析光耦工作原理,并針對光耦反饋的幾種典型接法加以對比研究。

    標(biāo)簽: 開關(guān)電源 光耦隔離 典型 對比

    上傳時間: 2013-10-19

    上傳用戶:a155166

  • NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

    采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。

    標(biāo)簽: NIP 非晶硅 薄膜太陽能電池

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:wanqunsheng

  • 主變壓器差動保護(hù)誤動作的處理

    對差動保護(hù)進(jìn)行相關(guān)檢查、試驗如下: 1、檢查BCH-2型差動繼電器與定值單相符,對差動繼電器進(jìn)行檢查、檢驗合格。 2、檢查差動保護(hù)二次回路接線正確,二次回路絕緣符合規(guī)程要求。 3、35kV開關(guān)為DW2-35型,檢查油箱內(nèi)電流互感器為差動保護(hù)專用LRD型,變比為75/5,核對變比、極性正確;6kV電流互感器為LAJ-10 300/5,差動接在D級繞組上,核對變比、極性正確。 4、對差動保護(hù)按定值單傳動,各繼電器動作正確。 以上各項目正常,說明一、二次設(shè)備無缺陷,二次接線無錯誤,便恢復(fù)主變送電,送電后進(jìn)行差動保護(hù)向量和差壓檢測正常

    標(biāo)簽: 主變壓器 差動保護(hù) 動作

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:小碼農(nóng)lz

  • 分比功率架構(gòu)和V•I晶片靈活、優(yōu)越的功率系統(tǒng)方案

    當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體,對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時、對負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對的挑戰(zhàn),是要設(shè)計出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件,可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案,應(yīng)付以上提及的各項挑戰(zhàn)。這些功率元件稱為V•I晶片。

    標(biāo)簽: 8226 功率架構(gòu) 功率

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:yan2267246

  • 寫XS128的D-Flash的三個程序案例

    寫XS128的D-Flash的三個程序案例

    標(biāo)簽: D-Flash 128 XS 程序

    上傳時間: 2013-10-16

    上傳用戶:13925096126

  • 利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序?qū)嵗?/a>

    利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序

    標(biāo)簽: IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開發(fā)

    上傳時間: 2014-01-08

    上傳用戶:文993

  • 利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序

    利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序

    標(biāo)簽: IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開發(fā)

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:netwolf

  • 晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

    晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

    標(biāo)簽: wafer 晶片 工藝 詳細(xì)介紹

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:jesuson

  • 用MSP430實現(xiàn)斜率 A/D轉(zhuǎn)換的溫度控制系統(tǒng)

    用 MSP430實現(xiàn)斜率 A/D轉(zhuǎn)換的溫度控制系統(tǒng)

    標(biāo)簽: MSP 430 D轉(zhuǎn)換 斜率

    上傳時間: 2013-12-21

    上傳用戶:athjac

  • 基于單片機(jī)的LED漢字顯示屏的設(shè)計

    文中詳細(xì)介紹了由STC89C52RC單片機(jī)、74HC154芯片、晶振電路、復(fù)位電路、驅(qū)動電路、16×16 LED點陣構(gòu)成的LED漢字顯示屏系統(tǒng)。設(shè)計采用STC89C52RC單片機(jī)為微控制器,74HC154為譯碼器、PNP型三極管8550構(gòu)成行驅(qū)動電路,NPN型三極管8050構(gòu)成列驅(qū)動電路,采用4個8x8LED顯示器級聯(lián)構(gòu)成16×16 的點陣漢字顯示屏。軟、硬件設(shè)計結(jié)果表明所設(shè)計的LED漢字顯示屏可以實現(xiàn)漢字的滾動顯示,且漢字清晰,無串?dāng)_,無重影

    標(biāo)簽: LED 單片機(jī) 漢字 顯示屏

    上傳時間: 2014-01-24

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