電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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PT4115是一款連續(xù)電感電流導(dǎo)通模式的降壓恒流源，用于驅(qū)動(dòng)一顆或者多顆串聯(lián)LED。根據(jù)不同外部器件，芯片可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)數(shù)十瓦的LED。PT4115具有調(diào)光功能，通過(guò)DIM引腳實(shí)現(xiàn)模擬調(diào)光和寬范圍PWM調(diào)光。當(dāng)VDIM低于0.3V時(shí)，功率開關(guān)關(guān)斷，芯片進(jìn)入低功耗待機(jī)狀態(tài) 主要技術(shù)參數(shù) ? 輸入電壓范圍：6V to 40V ? 最大輸出LED電流1.2A ? 5%的輸出電流精度 ? 高達(dá)97%的效率 ? 極少的外部器件 ? 復(fù)用DIM引腳進(jìn)行LED開關(guān)、模擬調(diào)光和PWM調(diào)光 ? LED開路保護(hù) ? LED過(guò)熱保護(hù) ? 輸出電流可調(diào)節(jié) ? 具有輸入欠壓保護(hù)功能 應(yīng)用 ? 低壓LED射燈代替鹵素?zé)?? 車載LED燈 ? LED備用燈 ? LED信號(hào)燈
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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DU1763是一款兼容可控硅調(diào)光器的高壓線性恒流控制器，可直接驅(qū)動(dòng)多通道LED燈串。其電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，只需很少的外圍元件就可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的恒流特性的調(diào)光特性。主要應(yīng)用于對(duì)體積、成本要求苛刻的非隔離兼容可控硅調(diào)光器的LED恒流驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)。同時(shí)由于無(wú)需電解電容及磁性元件等特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)很長(zhǎng)的電源壽命。 DU1763可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況去選擇三通道或二勇斗。DU1763還可以多芯片并聯(lián)或串聯(lián)應(yīng)用：其輸出電流可通過(guò)電流采樣電阻進(jìn)行編程。可自適輸出LED燈串的電壓大小。 DU1763集成了專利的防過(guò)沖技術(shù)和過(guò)溫補(bǔ)償功能。DU1763還集成了各種保護(hù)功能，包括輸出短路、輸出開路、過(guò)溫保護(hù)。從而提高了LED恒流電源的可靠性。
標(biāo)簽： 1763 DU 兼容 可控硅調(diào)光器
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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為了滿足實(shí)時(shí)跟蹤的需求，在分析了3種配電網(wǎng)拓?fù)涓櫵惴ǖ幕A(chǔ)上，提出了一種電網(wǎng)全局以母線為節(jié)點(diǎn)遍歷和設(shè)備單元局部更新相結(jié)合的新型實(shí)時(shí)跟蹤算法。為了便于說(shuō)明算法的應(yīng)用，文中還對(duì)電網(wǎng)拓?fù)渥兓透櫵惴ㄟM(jìn)行了闡述。最后在一個(gè)大型鋼鐵企業(yè)的配電網(wǎng)仿真系統(tǒng)中進(jìn)行了實(shí)際的應(yīng)用，該仿真說(shuō)明了該跟蹤算法是有效的。
標(biāo)簽： 配電網(wǎng) 上傳時(shí)間： 2013-11-06
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA?？梢院芎玫貞?yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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一種單相電路無(wú)功電流實(shí)時(shí)檢測(cè)新方法的研究
標(biāo)簽： 單相 電路 無(wú)功電流 實(shí)時(shí)檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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一種非常實(shí)用的Boost升壓電路原理詳解
上傳時(shí)間： 2013-10-29
上傳用戶：gundan
文中對(duì)BUCK型DC_DC變換器進(jìn)行了系統(tǒng)建模。為了得到包含平均電流調(diào)節(jié)開關(guān)控制方式的雙環(huán)控制系統(tǒng)的簡(jiǎn)化模型，提出了一種電流環(huán)閉環(huán)傳遞函數(shù)的近似函數(shù)，并分別對(duì)電流控制器，電流補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和功率級(jí)進(jìn)行了建模，采用Mathcad進(jìn)行仿真，得到系統(tǒng)相位裕度達(dá)到54°的結(jié)果。
標(biāo)簽： 電流控制 開關(guān)調(diào)節(jié)系統(tǒng) 建模
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：lunshaomo
利用RC高通電路的思想，針對(duì)LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度，而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過(guò)程中，系統(tǒng)的功耗并沒(méi)有增加。此LDO芯片設(shè)計(jì)采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號(hào)工藝。仿真結(jié)果表明：整個(gè)LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當(dāng)負(fù)載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時(shí)，其建立時(shí)間由原來(lái)的和28 μs減少到8 μs；而在負(fù)載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內(nèi)，由1.8 V跳變到2.3 V時(shí)，輸出電壓的建立時(shí)間由47 μs降低為15 μs。
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-20
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時(shí)間： 2014-12-03
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