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魏德米勒

魏德米勒，是有著多年豐富經(jīng)驗(yàn)的工業(yè)聯(lián)接專家，在電源、信號(hào)以及數(shù)據(jù)處理的工業(yè)環(huán)境里，為全球的客戶和合作伙伴提供產(chǎn)品、解決方案和服務(wù)。魏德米勒扎根于這些行業(yè)和市場(chǎng)，對(duì)于未來的技術(shù)挑戰(zhàn)胸有成竹。魏德米勒堅(jiān)持發(fā)展之路，為滿足客戶的不同需求，提供創(chuàng)新、可持續(xù)發(fā)展和高效的解決方案。[1]

  • 魏德米勒繼電器產(chǎn)品目錄（超級(jí)詳細(xì)）

    魏德米勒繼電器產(chǎn)品目錄（超級(jí)詳細(xì)），用于選型

    標(biāo)簽： 繼電器 產(chǎn)品目錄 魏德米勒

    上傳時(shí)間： 2018-04-12

    上傳用戶：selfrog

  • 神奇的量子世界 杰拉德·米爾本

    本書也是一本關(guān)于量子物理學(xué)的科普書籍，杰拉德·米爾本著。

    標(biāo)簽： 量子

    上傳時(shí)間： 2013-06-18

    上傳用戶：buffer

  • 本程序?yàn)槊桌諣顟B(tài)機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)模塊

    本程序?yàn)槊桌諣顟B(tài)機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)模塊，對(duì)用狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)程序控制部分具有指導(dǎo)意義

    標(biāo)簽： 程序 狀態(tài) 設(shè)計(jì)模塊

    上傳時(shí)間： 2016-11-23

    上傳用戶：teddysha

  • 此程序?yàn)閹栞斎搿⒚桌蛰敵鰻顟B(tài)的狀態(tài)機(jī)控制部分

    此程序?yàn)閹栞斎搿⒚桌蛰敵鰻顟B(tài)的狀態(tài)機(jī)控制部分

    標(biāo)簽： 狀態(tài) 程序 摩爾 控制

    上傳時(shí)間： 2014-12-21

    上傳用戶：PresidentHuang

  • 米勒拉賓算法判斷大質(zhì)數(shù)

    米勒拉賓算法判斷大質(zhì)數(shù)，對(duì)質(zhì)數(shù)的判斷為必要條件，而非充分條件

    標(biāo)簽： 算法

    上傳時(shí)間： 2016-11-25

    上傳用戶：lindor

  • 十種狀態(tài)機(jī)例子（VHDL）包括米勒型和莫爾型的狀態(tài)機(jī)。

    十種狀態(tài)機(jī)例子（VHDL）包括米勒型和莫爾型的狀態(tài)機(jī)。

    標(biāo)簽： VHDL 狀態(tài)

    上傳時(shí)間： 2013-12-31

    上傳用戶：guanliya

  • MOS管的米勒效應(yīng)-講的很詳細(xì)

    MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFET就會(huì)進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)Vds徹底降下來，開通結(jié)束。由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。（Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降）

    標(biāo)簽： MOS管

    上傳時(shí)間： 2022-03-20

    上傳用戶：得之我幸78

  • MOSFET開關(guān)過程的研究及米勒平臺(tái)振蕩的抑制

    設(shè)計(jì)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需重點(diǎn)考慮寄生參數(shù)對(duì)電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項(xiàng)重要參數(shù),在驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注。重點(diǎn)觀察了MOSFET的開通和關(guān)斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對(duì)漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺(tái)附近產(chǎn)生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對(duì)功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)具有一定的指導(dǎo)意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

    標(biāo)簽： mosfet

    上傳時(shí)間： 2022-04-02

    上傳用戶：默默

  • (全美經(jīng)典)工程電磁場(chǎng)基礎(chǔ)

    ·（全美經(jīng)典）工程電磁場(chǎng)基礎(chǔ) J.A.埃德米尼斯特爾 2002年 7－03－009390－9

    標(biāo)簽： 工程 電磁場(chǎng)

    上傳時(shí)間： 2013-04-24

    上傳用戶：zhangyigenius

  • 電磁場(chǎng)基礎(chǔ)(全美經(jīng)典系列)

    [工程電磁場(chǎng)基礎(chǔ)(全美經(jīng)典學(xué)習(xí)指導(dǎo)系列)].(美)埃德米爾斯特爾.掃描版

    標(biāo)簽： 電磁場(chǎng)

    上傳時(shí)間： 2013-07-31

    上傳用戶：pkkkkp

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