本文：采用了FPGA方法來(lái)模擬高動(dòng)態(tài)(Global Position System GPS)信號(hào)源中的C／A碼產(chǎn)生器。C／A碼在GPS中實(shí)現(xiàn)分址、衛(wèi)星信號(hào)粗捕和精碼(P碼)引導(dǎo)捕獲起著重要的作用，通過(guò)硬件描述語(yǔ)言VERILOG在ISE中實(shí)現(xiàn)電路生成，采用MODELSIM、SYNPLIFY工具分別進(jìn)行仿真和綜合。
標(biāo)簽： FPGA GPS 模擬 動(dòng)態(tài)
上傳時(shí)間： 2013-08-31
上傳用戶(hù)：pwcsoft
Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶(hù)：旗魚(yú)旗魚(yú)
共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。
標(biāo)簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶(hù)：debuchangshi
種高精度數(shù)控直流電流源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
標(biāo)簽： 高精度 數(shù)控直流 電流源
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶(hù)：時(shí)代電子小智
基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
標(biāo)簽： LabVIEW 高精度 電流源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：cuiyashuo
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時(shí)間： 2014-12-03
上傳用戶(hù)：88mao
0-50V高精度可程控直流精密電壓源
標(biāo)簽： 50 高精度 程控 直流
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶(hù)：jackandlee
在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度穩(wěn)定性。
標(biāo)簽： 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶(hù)：604759954
超低漏失線(xiàn)性穩(wěn)壓器的技術(shù)關(guān)鍵，是基準(zhǔn)源模塊的設(shè)計(jì)，在對(duì)雙極型LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，提出了對(duì)其關(guān)鍵模塊基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行高精度的設(shè)計(jì)的方案。
標(biāo)簽： LDO 穩(wěn)壓器 電壓基準(zhǔn)源 分
上傳時(shí)間： 2013-12-07
上傳用戶(hù)：guojin_0704
摘要：采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明：在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益，電源抑制比達(dá)到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時(shí)輸出電壓Vref的擺動(dòng)為0.2mV，是一種有效的基準(zhǔn)電壓實(shí)現(xiàn)方法.關(guān)鍵詞：帶隙基準(zhǔn)電壓源；電源抑制比；溫度系數(shù)
標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶(hù)：王成林。
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