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高電阻測(cè)量

  • 一種簡單可靠離散量信號電路的設(shè)計和實現(xiàn)

    基于目前航空電子設(shè)備離散量輸入/輸出電路實現(xiàn)復(fù)雜,分立器件多,高低溫下參數(shù)不一致等現(xiàn)象,通過對比分析典型離散量電路,提出了一種簡單、高可靠性的離散量信號電路設(shè)計,同時由于典型離散量輸出電路故障率較高,提出了一種離散量輸出信號的過流保護電路設(shè)計思路,采用電路仿真軟件Multisim進行了功能仿真、容差分析,在實際工程應(yīng)用中各項實驗結(jié)果證明,該電路滿足實際使用要求,具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。

    標(biāo)簽: 離散量信號 電路

    上傳時間: 2014-01-18

    上傳用戶:kz_zank

  • 高等模擬集成電路

    近年來,隨著集成電路工藝技術(shù)的進步,電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個重要的變化: 一個是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心,一個是整個電子系統(tǒng)可以集成在一個芯片上(稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用,并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠遠超過模擬電路的集成規(guī)模,而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強等優(yōu)點,因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此,模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因為我們接觸到的外部世界的物理量主要都是模擬量,比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等,要將它們變換為數(shù)字信號,需要模擬信號處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路,如果這些電路性能不夠高,將會影響整個系統(tǒng)的性能。其次,系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成,如微弱信號放大,很高頻率和寬頻帶信號的實時處理等。因此,雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心,但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口,其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個芯片上,這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小,使MOS器件的性能不斷提高,MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流,并因此促進了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴展和性能的不斷提高,對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求,促進了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材,本書內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴展,同時涉及實際設(shè)計中需要考慮的一些問題,重點介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書共7章,大致可分為三個部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ),比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路,為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識。由于版圖設(shè)計與工藝參數(shù)對模擬集成電路性能的影響很大,因此第7章簡單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過程和版圖設(shè)計技術(shù),讀者可以通過對該章所介紹的相關(guān)背景知識的了解,更深入地理解MOS器件和電路的特性,有助于更好地完成模擬集成電路的可實現(xiàn)性設(shè)計。第二部分為新電路技術(shù),由第2章、第3章和第5章的部分組成,包括近年來逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對數(shù)域電路,它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力,同時它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號載體的電路不同,這是一種以電流作為信號載體的電路,雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的,但由于信號載體不同,不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點和開關(guān)電容與開關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路,處理的是時間離散信號,又類似于模擬電路,處理的是幅度連續(xù)信號,它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時間常數(shù),解決了模擬電路實際應(yīng)用中的一大障礙。對數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹,這類電路除具有良好的電性能外,還提出了一種利用器件的非線性特性實現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個模擬電路的功能模塊,它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分,并且與信號和信號處理聯(lián)系密切,有助于在信號和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計方法和主要類型,包括連續(xù)時間濾波器、對數(shù)域濾波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路,包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因為載波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號,射頻前端電路的性能對整個通信系統(tǒng)有直接的影響,所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成,由董在望主編,第1、4、7章由李冬梅編寫,第6章由王志華編寫,第5章由李永明和董在望編寫,第2、3章由董在望編寫,李國林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書,也可作為本科教學(xué)參考書或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作,深致謝意。 限于編者水平,難免有錯誤和疏漏之處,歡迎批評指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負載放大電路 1.4運算放大器 1.4.1運算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級運算放大器 1.4.3兩級運算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運算放大器的頻率補償 1.5模擬開關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開關(guān)電容電路和開關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開關(guān)電容電路的時域分析 3.1.2開關(guān)電流電路的時域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開關(guān)電容電路 3.2.1開關(guān)電容單元電路 3.2.2開關(guān)電容電路的特點 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關(guān)電流電路 3.3.1開關(guān)電流單元電路 3.3.2開關(guān)電流電路的特點 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計的逼近方法 5.2連續(xù)時間濾波器 5.2.1連續(xù)時間濾波器的設(shè)計方法 5.2.2跨導(dǎo)電容(GmC)連續(xù)時間濾波器 5.2.3連續(xù)時間濾波器的片上自動調(diào)節(jié)電路 5.3對數(shù)域濾波器 5.3.1對數(shù)域電路概念及其特點 5.3.2對數(shù)域電路基本單元 5.3.3對數(shù)域濾波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號 6.2.2復(fù)數(shù)信號處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積(CVD) 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計技術(shù) 思考題

    標(biāo)簽: 模擬集成電路

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:chengxin

  • 四大EMC設(shè)計技巧講解

    EMC設(shè)計中的濾波器通常指由L,C構(gòu)成的低通濾波器。濾波器結(jié)構(gòu)的選擇是由"最大不匹配原則"決定的。即在任何濾波器中,電容兩端存在高阻 抗,電感兩端存在低阻抗。

    標(biāo)簽: EMC 設(shè)計技巧

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:123啊

  • 高增益K波段MMIC低噪聲放大器

      基于0.25gm PHEMT工藝,給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器.放大器設(shè)計中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu),通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲;采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò),用來消除低頻增益和振蕩;三級電路通過電阻共用一組正負電源,使用方便,且電路性能較好,輸入輸出駐波比小于2.0;功率增益達24dB;噪聲系數(shù)小于3.5dB.兩個放大器都有較高的動態(tài)范圍和較小的面積,放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm;芯片尺寸為1mm×2mm×0.1mm.該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車雷達前端和26.5GHz本地多點通信系統(tǒng)中.

    標(biāo)簽: MMIC 增益 低噪聲放大器 波段

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:masochism

  • 電感和磁珠的區(qū)別及應(yīng)用場合和作用

    磁珠由氧磁體組成,電感由磁心和線圈組成,磁珠把交流信號轉(zhuǎn)化為熱能,電感把交流存儲起來,緩慢的釋放出去。 磁珠對高頻信號才有較大阻礙作用,一般規(guī)格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時電阻比電感小得多。電感的等效電阻可有Z=2X3.14xf 來求得。 鐵氧體磁珠 (Ferrite Bead) 是目前應(yīng)用發(fā)展很快的一種抗干擾元件,廉價、易用,濾除高頻噪聲效果顯著。 在電路中只要導(dǎo)線穿過它即可(我用的都是象普通電阻模樣的,導(dǎo)線已穿過并膠合,也有表面貼裝的形式,但很少見到賣的)。當(dāng)導(dǎo)線中電流穿過時,鐵氧體對低頻電流幾乎沒有什么阻抗,而對較高頻率的電流會產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā),其等效電路為一個電感和一個電阻串聯(lián),兩個元件的值都與磁珠的長度成比例。 磁珠種類很多,制造商應(yīng)提供技術(shù)指標(biāo)說明,特別是磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線。 有的磁珠上有多個孔洞,用導(dǎo)線穿過可增加元件阻抗(穿過磁珠次數(shù)的平方),不過在高頻時所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多,而用多串聯(lián)幾個磁珠的辦法會好些。 鐵氧體是磁性材料,會因通過電流過大而產(chǎn)生磁飽和,導(dǎo)磁率急劇下降。大電流濾波應(yīng)采用結(jié)構(gòu)上專門設(shè)計的磁珠,還要注意其散熱措施。 鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲(可用于直流和交流輸出),還可廣泛應(yīng)用于其他電路,其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中,由于脈沖信號含有頻率很高的高次諧波,也是電路高頻輻射的主要根源,所以可在這種場合發(fā)揮磁珠的作用。 鐵氧體磁珠還廣泛應(yīng)用于信號電纜的噪聲濾除。 以常用于電源濾波的HH-1H3216-500為例,其型號各字段含義依次為:HH 是其一個系列,主要用于電源濾波,用于信號線是HB系列;1 表示一個元件封裝了一個磁珠,若為4則是并排封裝四個的;H 表示組成物質(zhì),H、C、M為中頻應(yīng)用(50-200MHz),T低頻應(yīng)用(<50MHz),S高頻應(yīng)用(>200MHz);3216 封裝尺寸,長3.2mm,寬1.6mm,即1206封裝;500 阻抗(一般為100MHz時),50 ohm。 其產(chǎn)品參數(shù)主要有三項:阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流電阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;額定電流Rated Current (mA): 2500. 磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率, 他等效于電阻和電感串聯(lián), 但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性,在高頻時呈現(xiàn)阻性,所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗,從而提高調(diào)頻濾波效果。 磁珠主要用于高頻隔離,抑制差模噪聲等。

    標(biāo)簽: 電感

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:貓愛薛定諤

  • 怎樣才能算是設(shè)計優(yōu)秀的PCB文件?

    我是專業(yè)做PCB的,在線路板災(zāi)個行業(yè)呆久了,看到了上百家公司設(shè)計的PCB板,各行各業(yè)的,如有空調(diào)的,液晶電視的,DVD的,數(shù)碼相框的,安防的等等,因此我從我所站的角度來說,就覺得有些PCB文件設(shè)計得好,有些PCB文件設(shè)計則不是那么理想,標(biāo)準(zhǔn)就是怎能么樣PCB廠的工程人員看得一目了然,而不產(chǎn)生誤解,導(dǎo)致做錯板子,下面我會從PCB的制作流程來說,說的不好,請各位多多包涵!1 制作要求對于板材 板厚 銅厚 工藝 阻焊/字符顏色等要求清晰。以上要求是制作一個板子的基礎(chǔ),因此R&D工程師必須寫清晰,這個在我所接觸的客戶來看,格力是做得相對好的,每個文件的技術(shù)要求都寫得很清晰,哪怕就是平時我們認為最正常的用綠色阻焊油墨白色字符都寫在技術(shù)要求有體現(xiàn),而有些客戶則是能免則免,什么都不寫,就發(fā)給廠家打樣生產(chǎn),特別是有些廠家有些特別的要求都沒有寫出來,導(dǎo)致廠家在收到郵件之后,第一件事情就是要咨詢這方面的要求,或者有些廠家最后做出來的不符要求。2 鉆孔方面的設(shè)計 最直接也是最大的問題,就是最小孔徑的設(shè)計,一般板內(nèi)的最小孔徑都是過孔的孔徑,這個是直接體現(xiàn)在成本上的,有些板的過孔明明可以設(shè)計為0.50MM的孔,即只放0.30MM,這樣成本就直接大幅上升,廠家成本高了,就會提高報價;另外就是過孔太多,有些DVD以及數(shù)碼相框上面的過孔真的是整板都放滿了,動不動就1000多孔,做過太多這方面的板,認為正常應(yīng)該在500-600孔,當(dāng)然有人會說過孔多對板子的信號導(dǎo)通方面,以及散熱方面有好處,我認為這就要取一個平衡,在控制這些方面的同時還要不會導(dǎo)致成本上升,我在這里可以說個例子:我們公司有個客戶是深圳做DVD的,量很大,在最開始合作的時候也是以上這種情況,后來成本對雙方來說,實在是個大問題,經(jīng)過與 R&D溝通,將過孔的孔徑盡量加大,刪除大銅皮上的部分過孔,像主IC中間的散熱孔用4個3.00MM的孔代替, 這樣一來,鉆孔的費用就降低了,一平方就可以降幾十塊錢的鉆孔費,對于雙方來說達到了雙贏;另外就是一些槽孔,比如說1.00MM X 1.20MM的超短槽孔,對于廠家來說,真的是非常之難做,第一很難控制公差,第二鉆也來的槽也不是直的,有些彎曲,以前我們也做過部分這樣的板子,結(jié)果幾毛錢人民幣的板,由于槽孔不合格,扣款1美金/塊,我們也與客戶溝通過這方面的問題,后來就直接改用1.20MM的圓孔。

    標(biāo)簽: PCB

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:1039312764

  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗

    PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時間: 2013-10-22

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  • Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個電路設(shè)計為例,簡單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計),其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度,低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片),DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高,設(shè)計過程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標(biāo)志,出現(xiàn)未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對應(yīng)管腳和3245的對應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板,在表層走線,所以要選用“Microstrip”,然后點“Value”進行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch,對線長為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭:為發(fā)現(xiàn)更多的信息,我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M,數(shù)據(jù)單沿采樣,數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M,對應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下:之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關(guān)心的是接收端(DRAM)信號,所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設(shè)計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(不長于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計要求,而其他的56位都是一對一,經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計要求,但有一點需注意,就是寫數(shù)據(jù)時因為存在回沖,DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導(dǎo)致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會出錯,還需要改版加串阻。

    標(biāo)簽: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上傳時間: 2013-11-05

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴,阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2014-12-24

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  • 寬輸入范圍1A LED驅(qū)動器利用汽車和12V AC電源給高亮度LED供電

    LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅(qū)動器,具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範(fàn)圍,並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流

    標(biāo)簽: LED 12V AC電源

    上傳時間: 2013-11-09

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