Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例，簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計)，其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度，低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高，設計過程中我們需要考慮DRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志，出現未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板，在表層走線，所以要選用“Microstrip”，然后點“Value”進行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch，對線長為1.7inch)。現在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭：為發現更多的信息，我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M，數據單沿采樣，數據翻轉最高頻率為66.7M，對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下：之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(DRAM)信號，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(不長于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求，而其他的56位都是一對一，經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求，但有一點需注意，就是寫數據時因為存在回沖，DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調試過程中發現寫RAM會出錯，還需要改版加串阻。
上傳時間： 2013-11-05
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基于PSCAD/EMTDC軟件建立了電壓型PWM整流器仿真模型，PWM整流器中直流側電容的設計取值對雙閉環控制結構中的電壓環性能有重要影響。采用基于軟件仿真驗證的方法，在綜合考慮直流側電壓跟隨性能和紋波要求的情況下，給出了確定電容取值在較小范圍的方法。該方法可在線調整電容數值，對實現PWM整流器直流側電壓的即時控制有一定實用價值。
上傳時間： 2013-11-22
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根據汽車發動機控制芯片的工作環境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應用在發動機控制芯片中的帶隙基準電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝，采用電流型帶隙基準電壓源結構，具有適應低電源電壓、電源抑制比高的特點。同時還提出一種使用不同溫度系數的電阻進行高階補償的方法，實現了較寬溫度范圍內的低溫度系數。仿真結果表明，該帶隙基準電路在-50℃~+125℃的溫度范圍內，實現平均輸出電壓誤差僅5.2 ppm/℃，可用于要求極端嚴格的發動機溫度環境。該電路電源共模抑制比最大為99 dB，可以有效緩解由發動機在不同工況下產生的電源紋波對輸出參考電壓的影響。
上傳時間： 2014-01-09
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計一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源，論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉換電路作為核心，Howland電流源做為誤差補償電路，進一步提高了電流源的精度，使絕對誤差仿真值達到nA級，實際電路測量值絕對誤差達到?滋A級，得到高精度的壓控電流源。仿真和實驗測試均證明該方案是可行的。
上傳時間： 2014-12-24
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風力發電系統的輸出功率受外界因數和風速的影響。為了提高小型風機發電機組的轉換效率，文中采用一種最大功率優化跟蹤算法。以變步長來跟蹤風速變化，當功率變化小于一個閾值時停止搜索，來實現最大功率收索的快速性和穩定性。以帶齒輪箱6 kW的鼠籠異步式風力發電并網為基礎，通過Matlab/Simulink軟件仿真結果證實此種方法與定步長爬山法相比，能夠達到快速跟蹤最大功率點和避免達到最大功率點附近的時候頻繁波動。
上傳時間： 2013-11-14
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在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術指標，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數的大小有關，在電路的線性工作范圍內，起振時電壓放大倍數比3大得越多，最后的穩定輸出電壓幅值也越大。研究結論有利于系統地研究振蕩電路的構成及電路元件參數的選擇。
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：潛水的三貢
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設計中。
上傳時間： 2013-10-27
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為了提高電壓表的測量精度和性價比，提出了一種以AT89C51單片機為控制核心的，基于Proteus仿真技術的數字電壓表設計方案。詳細介紹了數字電壓表的硬件電路設計和軟件編程方法，并利用Proteus 軟件進行了仿真調試。結果表明，所設計的數字電壓表結構簡單，性價比高，并具有較高的測量精度；同時，也證明了Proteus仿真軟件的運用，可以有效地縮短單片機系統的開發周期，降低開發成本。
上傳時間： 2013-11-10
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
上傳時間： 2014-12-03
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透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。
上傳時間： 2013-11-11
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