介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶(hù)：thesk123
為了提高電壓表的測(cè)量精度和性?xún)r(jià)比，提出了一種以AT89C51單片機(jī)為控制核心的，基于Proteus仿真技術(shù)的數(shù)字電壓表設(shè)計(jì)方案。詳細(xì)介紹了數(shù)字電壓表的硬件電路設(shè)計(jì)和軟件編程方法，并利用Proteus 軟件進(jìn)行了仿真調(diào)試。結(jié)果表明，所設(shè)計(jì)的數(shù)字電壓表結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性?xún)r(jià)比高，并具有較高的測(cè)量精度；同時(shí)，也證明了Proteus仿真軟件的運(yùn)用，可以有效地縮短單片機(jī)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)周期，降低開(kāi)發(fā)成本。
標(biāo)簽： Proteus 數(shù)字電壓表 仿真設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶(hù)：xianglee
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時(shí)間： 2014-12-03
上傳用戶(hù)：88mao
透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：jelenecheung
在靜電傳感器測(cè)量氣/固兩相流參數(shù)的基礎(chǔ)上，以J.B.Gajewski教授的成果為基礎(chǔ)，對(duì)電容的計(jì)算進(jìn)行了研究。將靜電傳感器電極與屏蔽罩間的電容cp看作圓柱型電容，對(duì)其建立的靜電傳感器數(shù)學(xué)模型中的感應(yīng)電極與屏蔽罩間電容值進(jìn)行探討，并得到了這個(gè)電容的計(jì)算式。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶(hù)：erkuizhang
針對(duì)電能質(zhì)量擾動(dòng)的在線識(shí)別，提出一種基于dq變換和S變換的電能質(zhì)量擾動(dòng)識(shí)別方法。首先根據(jù)擾動(dòng)信號(hào)電壓有效值的分布特性將擾動(dòng)分為兩類(lèi)：第一類(lèi)為電壓暫降、暫升和中斷；第二類(lèi)為振蕩暫態(tài)、電壓尖峰、電壓缺口和諧波。利用dq變換有效值波形特征對(duì)第一類(lèi)擾動(dòng)進(jìn)行識(shí)別；然后對(duì)第二類(lèi)擾動(dòng)進(jìn)行S變換，通過(guò)變換后S矩陣的頻譜標(biāo)準(zhǔn)差和工頻幅值變化進(jìn)行識(shí)別。仿真結(jié)果表明：該方法正確率高、響應(yīng)速度快、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且抗噪聲能力強(qiáng)。
標(biāo)簽： 變換 S變換 電能質(zhì)量 識(shí)別
上傳時(shí)間： 2014-01-12
上傳用戶(hù)：sdq_123
將一種根據(jù)誤差的大小來(lái)調(diào)節(jié)比例系數(shù)K值的單神經(jīng)元PI控制器引入到逆變器的控制回路中，可以實(shí)現(xiàn)在線調(diào)整參數(shù)，在一定程度上不依賴(lài)于系統(tǒng)的模型。仿真結(jié)果表明：與常規(guī)的PI控制器相比該控制器的輸出超調(diào)量較小，有一定的自適應(yīng)能力，可以提高逆變電源系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。
標(biāo)簽： 單神經(jīng)元 PI控制 逆變器 系統(tǒng)仿真
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶(hù)：ligi201200
進(jìn)入90年代以來(lái)，各種單片真有效值／直巍(TRMS／PC)轉(zhuǎn)換器正在國(guó)內(nèi)外迅速推廣應(yīng)用，構(gòu)成具有高性?xún)r(jià)比的各種真有效值儀表。本文重點(diǎn)介紹AD6 37的工作原理與典型應(yīng)用。
標(biāo)簽： 637 AD 真有效值 直流轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶(hù)：asdfasdfd
針對(duì)輸電線路縱聯(lián)差動(dòng)保護(hù)中常用的常規(guī)比率差動(dòng)保護(hù)、復(fù)式比率差動(dòng)保護(hù)、故障分量復(fù)式比率差動(dòng)保護(hù)的不同特點(diǎn)，采用ATP-EMTP仿真軟件模擬的方法，結(jié)合這3種判據(jù)經(jīng)高阻發(fā)生故障的試驗(yàn)，得出各判據(jù)的抗過(guò)渡電阻的能力的結(jié)論，以便解決差動(dòng)保護(hù)的可靠性和靈敏度問(wèn)題。
標(biāo)簽： 輸電線路 比率 差動(dòng)保護(hù) 性能仿真
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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基于硅光伏電池單元的物理模型和光伏組件及光伏陣列的串并聯(lián)結(jié)構(gòu),采用PSpice構(gòu)建了小型硅光伏陣列的仿真模型,并利用該模型對(duì)光伏直流BUCK變換電路的開(kāi)環(huán)和恒壓控制閉環(huán)特性進(jìn)行了仿真研究.仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比表明,此模型能夠在較高的近似程度上方便地模擬實(shí)際光伏電池的行為特性,將PSpice軟件用于光伏發(fā)電系統(tǒng)的仿真是可行的.
標(biāo)簽： PSpice 光伏電路 仿真 實(shí)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2014-01-05
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