15.2 已經(jīng)加入了有關(guān)貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets 下的 DRC 選項. 點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄.
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：王慶才
用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標簽： 歸零法 N進制計數(shù)器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個放大器都有較高的動態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車雷達前端和26．5GHz本地多點通信系統(tǒng)中．
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：masochism
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
模擬轉(zhuǎn)換器性能不只依賴分辨率規(guī)格 大量的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)使人們難以選擇最適合某種特定應(yīng)用的ADC器件。工程師們選擇ADC時，通常只注重位數(shù)、信噪比(SNR)、諧波性能，但是其它規(guī)格也同樣重要。本文將介紹ADC器件最易受到忽視的九項規(guī)格，并說明它們是如何影響ADC性能的。 1. SNR比分辨率更為重要。 ADC規(guī)格中最常見的是所提供的分辨率，其實該規(guī)格并不能表明ADC器件的任何能力。但可以用位數(shù)n來計算ADC的理論SNR： 不 過工程師也許并不知道，熱噪聲、時鐘抖動、差分非線性(DNL)誤差以及其它參數(shù)異常都會限制ADC器件的SNR。對于高性能高分辨率轉(zhuǎn)換器尤其如此。一 些數(shù)據(jù)表提供有效位數(shù)(ENOB)規(guī)格，它描述了ADC器件所能提供的有效位數(shù)。為了計算ADC的ENOB值，應(yīng)把測量的SNR值放入上述公式，并求解 n。
上傳時間： 2014-12-22
上傳用戶：z240529971
使用Altium_Designer進行高性能PCB設(shè)計
標簽： Altium_Designer PCB 性能
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：zhaoq123
PCB線寬和電流關(guān)系公式 先計算Track的截面積，大部分PCB的銅箔厚度為35um（即 1oz）它乘上線寬就是截面積，注意換算成平方毫米。 有一個電流密度經(jīng)驗值，為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。 I=KT（0.44）A（0.75）， 括號里面是指數(shù)， K為修正系數(shù)，一般覆銅線在內(nèi)層時取0.024，在外層時取0.048 T為最大溫升，單位為攝氏度（銅的熔點是1060℃） A為覆銅截面積，單位為square mil. I為容許的最大電流，單位為安培。 一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A ， 250mil=6.35mm 8.3A ？倍數(shù)關(guān)系，與公式不符 ？
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：ls530720646
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