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高壓測(cè)試

  • 一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

    介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。

    標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源

    上傳時(shí)間： 2013-10-27

    上傳用戶(hù)：thesk123

  • 降壓型同步控制器可采用低至2.2V的工作輸入電源

    許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。

    標(biāo)簽： 2.2 降壓型 同步控制器 輸入

    上傳時(shí)間： 2013-12-30

    上傳用戶(hù)：arnold

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無(wú)需采用散熱器

    在汽車(chē)、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間： 2014-12-01

    上傳用戶(hù)：lhc9102

  • 基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    標(biāo)簽： LabVIEW 高精度 電流源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2013-11-11

    上傳用戶(hù)：cuiyashuo

  • 高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

    介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

    標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2013-10-08

    上傳用戶(hù)：642778338

  • 一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準(zhǔn)電壓源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。

    標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源

    上傳時(shí)間： 2014-12-03

    上傳用戶(hù)：88mao

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽： DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶(hù)：immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

    標(biāo)簽： 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間： 2013-11-11

    上傳用戶(hù)：jelenecheung

  • TI tl33072高轉(zhuǎn)換率單電源運(yùn)算放大器

    TI33072高轉(zhuǎn)換率單電源運(yùn)算放大器

    標(biāo)簽： 33072 TI tl 轉(zhuǎn)換

    上傳時(shí)間： 2014-11-30

    上傳用戶(hù)：rtsm07

  • 高精度數(shù)控電源制作

    高精度數(shù)控電源制作

    標(biāo)簽： 高精度 數(shù)控 電源制作

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶(hù)：ecooo

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