ti官方開發(fā)的開關(guān)電源功率級設(shè)計器,可以幫助工程師更快選取開關(guān)電源的拓撲,也有助于加深轉(zhuǎn)換器中電壓和電流的理解。不論是Buck、Boost,反激、半橋、全橋、溫伯格,軟件都有涵蓋。包含一份軟件使用說明
標簽: 開關(guān)電源
上傳時間: 2022-06-04
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基于TI的INA226做的功率檢測模塊,板子已經(jīng)經(jīng)過檢驗了可以放心使用基于TI的INA226做的功率檢測模塊,板子已經(jīng)經(jīng)過檢驗了可以放心使用
標簽: ina226
上傳時間: 2022-06-04
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微功耗光功率計的研制與線性處理,作者:李長俊
標簽: 微功耗光功率計
上傳時間: 2022-06-15
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射頻功率放大器在通信系統(tǒng)中已經(jīng)得到大量應(yīng)用,在實現(xiàn)信號放大功能中屬于關(guān)鍵性構(gòu)成組件部分。研制射頻功率放大器必須要符合諸多的指標,而且不可缺少的一項就是穩(wěn)定性。射頻功率放大器是一種高頻信號放大器,存在顯著的內(nèi)部無源元件寄生效應(yīng),放大器傳輸信號期間,可以導(dǎo)致信號源阻抗或負載阻抗等不能良好地匹配于放大器網(wǎng)絡(luò)的現(xiàn)象,加之其他因素的影響,會容易讓射頻功率放大器出現(xiàn)正反饋,由此引發(fā)自激振蕩,嚴重情況下?lián)p壞到設(shè)備。鑒于此,文章在分析射頻功率放大器穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上進行科學(xué)的設(shè)計,防止產(chǎn)生嚴重的損失問題,給實踐工作提供有價值的指導(dǎo)。
標簽: 射頻功率放大器
上傳時間: 2022-06-16
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功率器件領(lǐng)域的經(jīng)典著作,值得品讀和學(xué)習(xí),緊跟時代Fundamentals of Power Semiconductor Devices
標簽: 功率半導(dǎo)體器件
上傳時間: 2022-06-17
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本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驅(qū)動電路原理和要求的基礎(chǔ)上,對EXB841,M57962AL,2SD315A等幾種驅(qū)動電路的工作特性進行了比較。并針對用于輕合金表面防護處理的特種脈沖電源主功率開關(guān)器件驅(qū)動電路運行中存在的問題對驅(qū)動電路提出了功能改進和擴展方案,進行了實驗調(diào)試,并成功地應(yīng)用于不同功率容量1GBT模塊的驅(qū)動,運行情況良好,提高了電源的可靠性。針對電源設(shè)備的進一步功率擴容要求,采用IGBT模塊串、并聯(lián)運行方案。對并聯(lián)模塊的均流、同步觸發(fā)、散熱、布局、布線等問題進行了詳細的分析和討論,同時也討論了串聯(lián)模塊的均壓、驅(qū)動等問題,并用仿真電路對串并聯(lián)模塊的工作特性進行了仿真分析。最后將IGBT串并聯(lián)方案成功地應(yīng)用于表面處理特種電源中,實際運行表明1GBT模塊的串并聯(lián)擴容是可行的。關(guān)鍵i:IGBT,驅(qū),串聯(lián),并聯(lián)功率開關(guān)器件在電力電子設(shè)備中占據(jù)核心的位置,它的可靠工作是整個裝置正常運行的基本條件。[1)在主電路拓撲設(shè)計和功率開關(guān)器件選取合理的前提下,如何可靠地驅(qū)動和保護主開關(guān)器件顯得十分關(guān)鍵。功率開關(guān)器件的驅(qū)動電路是主電路與控制電路之間的接口,是電力電子裝置的重要部分,對整個設(shè)備的性能有很大的影響,其作用是將控制回路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動功率開關(guān)器件。簡而言之,驅(qū)動電路的基本任務(wù)就是將控制電路傳來的信號,轉(zhuǎn)換為加在器件控制端和公共端之間的可以使其導(dǎo)通和關(guān)斷的信號。同樣的器件,采用不同的驅(qū)動電路將得到不同的開關(guān)特性。采用性能良好的驅(qū)動電路可以使功率開關(guān)器件工作在比較理想的開關(guān)狀態(tài),同時縮短開關(guān)時間,減小開關(guān)損耗,對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。因此驅(qū)動電路的優(yōu)劣直接影響主電路的性能,因此驅(qū)動電路的合理化設(shè)計顯得越來越重要。
標簽: igbt
上傳時間: 2022-06-19
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光伏發(fā)電的研究是當今國內(nèi)外研究的一個熱點,因為它的實現(xiàn)及應(yīng)用為目前人類面臨的許多問題如:能源危機、環(huán)境污染等提供了解決途徑。光伏發(fā)電有著非常廣泛的應(yīng)用前景,在人類越來越重視可持續(xù)發(fā)展的今天,太陽能擁有其他能源所沒有的各種優(yōu)點如:幾乎足取之不盡用之不渴的,清潔無污染等,這使它受到人們越來越多的關(guān)注,成為最有希望替代傳統(tǒng)能源的新能源之本文實現(xiàn)了一種通過單片機控制開關(guān)電源使光伏電池給苗電池充電的設(shè)計方案。軟件上,對現(xiàn)有的常用最大功率點跟蹤(MPPT)算法進行了研究和分析,并選用電導(dǎo)增量法對最大功幸點跟蹤,實現(xiàn)了系統(tǒng)工作的高效率。硬件上,系統(tǒng)使用單片機通過PWM控制同步整流電路,并運用閉環(huán)控制,精確采樣電壓值和電流值形成反饋。同時,軟件和硬件都對系統(tǒng)進行了保護,實現(xiàn)了系統(tǒng)工作的安全性和可靠性。通過實驗測試,給出了系統(tǒng)實際使用結(jié)果,并對系統(tǒng)進行了功率損耗分析,由結(jié)果可知,系統(tǒng)工作正常,達到了預(yù)期的性能.
標簽: 最大功率跟蹤 mppt 脈寬調(diào)制
上傳時間: 2022-06-19
上傳用戶:trh505
AC-DC 5V1A專用小功率開關(guān)電源DK106(PCB源文件+變壓器參數(shù)+BOM清單).
標簽: 開關(guān)電源 pcb 變壓器
上傳時間: 2022-06-19
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本文主要是基于氮化鋅(GaN)器件射頻功率放大電路的設(shè)計,在s波段頻率范圍內(nèi),應(yīng)用CREE公司的氮化稼(GaN)高電子遷移速率品體管(CGH40010和CGH40045)進行的寬帶功率放大電路設(shè)計.主要工作有以下幾個方面:首先,設(shè)計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi),對中間級和末級功放晶體管進行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點,繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結(jié)構(gòu),使用ADS軟件對其進行仿真優(yōu)化,設(shè)計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下:通帶寬度為800MHz,在通帶范圍內(nèi)的增益dB(S(2,1)>)10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2,3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm,效率大于40%.其次,設(shè)計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能,借助Orcad模擬電路仿真軟件,設(shè)計出滿足要求的電源電路。最后,分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件,繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板,并通過對硬件電路的調(diào)試,最終使得整體電路滿足了設(shè)計性能的要求。
上傳時間: 2022-06-20
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比,射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動態(tài)范圍大、功耗低、壽命長等一系列優(yōu)點;由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統(tǒng)中的地位非常重要,使得功率放大器的研制變得十分重要,因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力,但其價格昂貴,工藝一致性差;CMOS工藝的功率輸出能力不大,很難應(yīng)用于高輸出功率的場合;而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間,價格相對低廉并和CMOS電路兼容,非常適合于中功率應(yīng)用場合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計和實現(xiàn),分別使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三種工藝.(1)由SMIC 0.18um CMOS工藝實現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz,采用了兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu),在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號增益22dB左右,1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面積為1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz,分為前置推動級和末級功率級,電源電壓為3.3V,仿真結(jié)果為小信號增益28dB左右,1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大飽和輸出功率為29.5dBm,芯片面積為1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工藝實現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz,使用了三級功率放大器結(jié)構(gòu),在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%,芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計、仿真、版圖設(shè)計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設(shè)計過程,對三種工藝實現(xiàn)的功率放大器進行了對比,并通過各自的仿真結(jié)果對出現(xiàn)的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間: 2022-06-20
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