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頻率電壓轉(zhuǎn)換

  • 超聲波電機(jī)之設(shè)計(jì)及分析

    1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz,超音波(Ultrasonic wave)即爲(wèi)頻率超過20KHz以上的音波或機(jī)械振動(dòng),因此超音波馬達(dá)就是利用超音波的彈性振動(dòng)頻率所構(gòu)成的制動(dòng)力。超音波馬達(dá)的內(nèi)部主要是以壓電陶瓷材料作爲(wèi)激發(fā)源,其成份是由鉛(Pb)、結(jié)(Zr)及鈦(Ti)的氧化物皓鈦酸鉛(Lead zirconate titanate,PZT)製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體,如銅或不銹鋼,並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲(wèi)驅(qū)動(dòng)源,以激振彈性體,稱此結(jié)構(gòu)爲(wèi)定子(Stator),將其用彈簧與轉(zhuǎn)子Rotor)接觸,將所産生摩擦力來驅(qū)使轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng),由於壓電材料的驅(qū)動(dòng)能量很大,並足以抗衡轉(zhuǎn)子與定子間的正向力,雖然伸縮振幅大小僅有數(shù)徵米(um)的程度,但因每秒之伸縮達(dá)數(shù)十萬次,所以相較於同型的電磁式馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)能量要大的許多。超音波馬達(dá)的優(yōu)點(diǎn)爲(wèi):1,轉(zhuǎn)子慣性小、響應(yīng)時(shí)間短、速度範(fàn)圍大。2,低轉(zhuǎn)速可產(chǎn)生高轉(zhuǎn)矩及高轉(zhuǎn)換效率。3,不受磁場(chǎng)作用的影響。4,構(gòu)造簡(jiǎn)單,體積大小可控制。5,不須經(jīng)過齒輸作減速機(jī)構(gòu),故較爲(wèi)安靜。實(shí)際應(yīng)用上,超音波馬達(dá)具有不同於傳統(tǒng)電磁式馬達(dá)的特性,因此在不適合應(yīng)用傳統(tǒng)馬達(dá)的場(chǎng)合,例如:間歇性運(yùn)動(dòng)的裝置、空間或形狀受到限制的場(chǎng)所;另外包括一些高磁場(chǎng)的場(chǎng)合,如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來在自動(dòng)化設(shè)備、視聽音響、照相機(jī)及光學(xué)儀器等皆可應(yīng)用超音波馬達(dá)來取代。

    標(biāo)簽: 超聲波電機(jī)

    上傳時(shí)間: 2022-06-17

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  • ABBYY FineReader 8.0專業(yè)版是最新、最準(zhǔn)確的ABBYY OCR軟體版本。它可以為用戶提供 最高級(jí)別識(shí)字精確率

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    標(biāo)簽: ABBYY FineReader 8.0 OCR

    上傳時(shí)間: 2016-02-11

    上傳用戶:q123321

  • 高電壓降壓型轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高功率LED

    凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長(zhǎng)的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列,這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。

    標(biāo)簽: LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動(dòng)高功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:playboys0

  • 反激式控制器改善了多輸出應(yīng)用的交叉調(diào)節(jié)性能

    反激式轉(zhuǎn)換器通常應(yīng)用於具有多個(gè)輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個(gè)反激式轉(zhuǎn)換器,多輸出僅增加極少的成本或復(fù)雜度––– 每個(gè)額外的輸出僅要求另一個(gè)變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。

    標(biāo)簽: 反激式控制器 輸出 調(diào)節(jié) 性能

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:3294322651

  • 單個(gè)電阻器設(shè)定DCDC轉(zhuǎn)換器的正或負(fù)輸出

    對(duì)於許多電子子繫統(tǒng)而言,比如:VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應(yīng)用,僅采用一個(gè)簡(jiǎn)單的降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器並不能滿足其要求

    標(biāo)簽: DCDC 電阻器 設(shè)定

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:nostopper

  • 反激式控制器簡(jiǎn)化了低輸入電壓DCDC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

    LT®3837 從一個(gè) 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓,但可通過采用一個(gè) VCC 穩(wěn)壓器和 / 或變壓器上的一個(gè)偏壓繞組使該轉(zhuǎn)換器的輸入範(fàn)圍向上擴(kuò)展。

    標(biāo)簽: DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

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  • 降壓-升壓型控制器簡(jiǎn)化手持式產(chǎn)品的DCDC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

    對(duì)於輸出電壓處於輸入電壓範(fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少,但迄今為止都不能令人非常滿意

    標(biāo)簽: DCDC 降壓 升壓型 控制器

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:urgdil

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • 微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng))

    微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng)) 特點(diǎn): 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 單相交流 單相 電表

    上傳時(shí)間: 2015-01-03

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