兩電平逆變器PCB接線圖，可用于電機(jī)控制，已經(jīng)制板，實(shí)際效果很好
上傳時(shí)間： 2016-06-06
上傳用戶(hù)：咔樂(lè)塢
關(guān)於宏晶STC89C51單片機(jī)IC芯片的詳細(xì)資料，內(nèi)有很多簡(jiǎn)單電路。
上傳時(shí)間： 2013-12-02
上傳用戶(hù)：佳期如夢(mèng)
PCB拼板工作，制板商的工具，可以為開(kāi)發(fā)者節(jié)省拼版的復(fù)雜設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-08
上傳用戶(hù)：hongmo
這次把真正的把源程序公開(kāi)了，而且還有詳細(xì)的原理教程，希望大家?guī)兔Π阉龅母?，支持的器件更多? 這個(gè)下載線電路是我做過(guò)的中最穩(wěn)定的，成功率很高。你也可以直接使用現(xiàn)有的下載線或者Atmel的原版下 載線。Easy 51Pro串行編程器也支持AT89C2051了?！禘asy 51Pro的製作及使用說(shuō)明》中有詳細(xì)介紹。 有何問(wèn)題或者發(fā)現(xiàn)了BUG請(qǐng)?jiān)谶@裡給我留言: http://enkj.com/gbook/guestbook.asp?user=digiboy
上傳時(shí)間： 2013-12-12
上傳用戶(hù)：xieguodong1234
windows 環(huán)境下的所有報(bào)行指令, 如winver 檢查Windows版本 wmimgmt.msc 打開(kāi)Windows管理體系結(jié)構(gòu)(wmi) wupdmgr Windows更新程序 wscript Windows腳本宿主設(shè)置 write 寫(xiě)字板 等等...其它的指令瑪
標(biāo)簽： Windows windows wmimgmt wupdmgr
上傳時(shí)間： 2013-12-26
上傳用戶(hù)：225588
介紹了步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的發(fā)展史,及國(guó)內(nèi)的現(xiàn)狀和步進(jìn)電動(dòng)機(jī)未來(lái)的應(yīng)用前景。并且闡述了步進(jìn)電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速、角度、轉(zhuǎn)矩的控制原理。本文闡述了一種步進(jìn)電機(jī)控制器的設(shè)計(jì)方案，并繪制了原理圖和PCB板圖，撰寫(xiě)了程序源代碼。實(shí)現(xiàn)了對(duì)步進(jìn)電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速、角度的控制，并完成了實(shí)物的制作。這期間主要使用protel99se軟件繪制原理圖和制板，使用proteus7.1軟件進(jìn)行程序代碼的仿真和功能的理論驗(yàn)證。最后通過(guò)硬件的調(diào)試驗(yàn)證程序代碼的實(shí)際功能，完成對(duì)控制器的設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： 步進(jìn)電動(dòng)機(jī) 發(fā)展 應(yīng)用前景 控制原理
上傳時(shí)間： 2016-12-12
上傳用戶(hù)：daoxiang126
電子廠員工培訓(xùn)教材,電子技術(shù)人員，焊接和制板必備的知識(shí)，硬件人員必需！
標(biāo)簽： 電子 培訓(xùn)教材 電子技術(shù)
上傳時(shí)間： 2016-12-16
上傳用戶(hù)：15736969615
在通訊系統(tǒng)中常見(jiàn)到的cordic，是個(gè)用很少複雜度就能實(shí)現(xiàn)三角函數(shù)的電路，檔案中有C語(yǔ)言的CORDIC程式
上傳時(shí)間： 2017-03-07
上傳用戶(hù)：lepoke
鑒于很多網(wǎng)友都想學(xué) pspice，但是卻找不到資料， 這里我做一個(gè)簡(jiǎn)單的pspice 圖文教程，希望能對(duì)大家 學(xué)習(xí)有所幫助。此教程僅用于學(xué)習(xí)交流，未經(jīng)本人許 可不得用于商業(yè)目的。 此教程只簡(jiǎn)單介紹下 pspice 仿真（基于cadence16.5 軟件），至于制板大家可以購(gòu)買(mǎi)敦晨電子出品的 cadence16.5 視頻教程，其中建封裝及約束規(guī)則設(shè)置講 的尤為詳細(xì)，教程最后附錄“敦晨電子-cadence16.5 視頻教程”目錄。
上傳時(shí)間： 2018-08-02
上傳用戶(hù)：syq123
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶(hù)：shancjb
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
