由于電磁兼容的迫切要求,電磁干擾(EMI)抑制元件獲得了廣泛的應(yīng)用。然而實(shí)際應(yīng)用中的電磁兼容問(wèn)題十分復(fù)雜,單單依靠理論知識(shí)是完全不夠的,它更依賴于廣大電子工程師的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)。為了更好地解決電子產(chǎn)品的電磁兼容性這一問(wèn)題,還要考慮接地、 電路與PCB板設(shè)計(jì)、電纜設(shè)計(jì)、屏蔽設(shè)計(jì)等問(wèn)題[1][2]。本文通過(guò)介紹磁珠的基本原理和特性來(lái)說(shuō)明它在開(kāi)關(guān)電源電磁兼容設(shè)計(jì)中的重要性與應(yīng)用,以期為設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)新產(chǎn)品時(shí)提供必要的參考。 2 磁珠及其工作原理 磁珠的主要原料為鐵氧體,鐵氧體是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料,鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金,它的制造工藝和機(jī)械性能與陶瓷相似,顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經(jīng)常使用的一類磁芯就是鐵氧體材料,許多廠商都提供專門用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點(diǎn)是高頻損耗非常大,具有很高的導(dǎo)磁率,它可以使電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。鐵氧體材料通常應(yīng)用于高頻情況,因?yàn)樵诘皖l時(shí)它們主要呈現(xiàn)電感特性,使得損耗很小。在高頻情況下,它們主要呈現(xiàn)電抗特性并且隨頻率改變。實(shí)際應(yīng)用中,鐵氧體材料是作為射頻電路的高 頻衰減器使用的。實(shí)際上,鐵氧體可以較好的等效于電阻以及電感的并聯(lián),低頻下電阻被電感短路,高頻下電感阻抗變得相當(dāng)高,以至于電流全部通過(guò)電阻。鐵氧體是一個(gè)消耗裝置,高頻能量在上面轉(zhuǎn)化為熱能,這是由它的電阻特性決定的。 對(duì)于抑制電磁干擾用的鐵氧體,最重要的性能參數(shù)為磁導(dǎo)率和飽和磁通密度。磁導(dǎo)率可以表示為復(fù)數(shù),實(shí)數(shù)部分構(gòu)成電感,虛數(shù)部分代表?yè)p耗,隨著頻率的增加而增加。因此它的等效電路為由電感L和電阻R組成的串聯(lián)電路,如圖1所示,電感L和電阻R都是頻率的函數(shù)。當(dāng)導(dǎo)線穿過(guò)這種鐵氧體磁芯時(shí),所構(gòu)成的電感阻抗在形式上是隨著頻率的升高而增加,但是在不同頻率時(shí)其機(jī)理是完全不同的。
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PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師
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LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開(kāi)關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi),因此只需少量的外部元件。
標(biāo)簽: uModule DCDC 16A 雙通道
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高頻磁放大器穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間: 2013-10-27
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XRP7714是一款四輸出脈寬調(diào)制(PWM)分級(jí)降壓(step down)DC-DC控制器,并具有內(nèi)置LDO提供待機(jī)電源。該器件在單個(gè)IC上為電池供電的產(chǎn)品提供了整套的電源管理方案,并且通過(guò)內(nèi)含的I2C串行接口進(jìn)行整體的編程配置。XRP7714器件的每一路輸出電壓的編程范圍是0.9V~5.1V,此范圍內(nèi)無(wú)需外部分壓器。可編程DPWM開(kāi)關(guān)頻率的范圍從300kHz到1.5MHz,使用戶能夠在效率和元件大小之間取得最優(yōu)方案。為了讓用戶能夠在設(shè)計(jì)的多路電源XRP7714系統(tǒng)能夠取得最優(yōu)的方案,下文將詳細(xì)的介紹影響XRP7714系統(tǒng)效率的參數(shù)設(shè)置以及外圍器件的選型。
標(biāo)簽: 7714 XRP 多路電源 參數(shù)
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同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹大家都知道,對(duì)于開(kāi)關(guān)電源,在次級(jí)必然要有一個(gè)整流輸出的過(guò)程。作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動(dòng)式器件:只要有足夠的正向電壓它就開(kāi)通,而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高,快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個(gè)壓降完全是做的無(wú)用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個(gè)例子:如有一個(gè)管子壓降為0.7V,其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時(shí),損耗為0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可見(jiàn)此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低,損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開(kāi)關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展,如GeForce 8800GTX顯卡,其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A)的電源轉(zhuǎn)換器。而當(dāng)前世界的能源緊張問(wèn)題的凸現(xiàn),為廣大用戶提供更高轉(zhuǎn)換效率(如多核R80,完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn))的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個(gè)開(kāi)關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會(huì)責(zé)任了。如何解決這些問(wèn)題?尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻(幾毫歐到十幾毫歐)極低的專用功率MOSFET就是在這個(gè)時(shí)刻走上開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺(tái)了!作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過(guò),這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。在實(shí)際應(yīng)用中,一般在通過(guò)20-30A電流時(shí)才有0.2-0.3V的壓降損耗。因?yàn)槠鋲航档扔陔娏髋c通態(tài)電阻的乘積,故小電流時(shí),其壓降和恒定壓降的肖特基不同,電流越小壓降越低。這個(gè)特性對(duì)于改善輕載效率(20%)尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。對(duì)于以上提到的兩種整流方案,我們可以通過(guò)灌溉農(nóng)田來(lái)理解:肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒(méi)有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來(lái)的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點(diǎn)點(diǎn)被太陽(yáng)曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。我們的多核F1,多核R80,其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET,在通過(guò)24A峰值電流時(shí)壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時(shí)的3.3V電流為10A,則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V,損耗比例為0.04/4=1%,比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗,其技術(shù)的進(jìn)步已不僅僅是一個(gè)量的變化,而可以說(shuō)是有了一個(gè)質(zhì)的飛躍了。也可以說(shuō),我們?yōu)橛脩粜藿艘粭l嚴(yán)絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標(biāo)簽: 同步整流
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主要介紹了以PIC18F2480單片機(jī)為處理器,基于可編程多路開(kāi)關(guān)檢測(cè)接口器件MC33993實(shí)現(xiàn)的車用多路開(kāi)關(guān)檢測(cè)接口電路的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)克服了以往基于分立元件的檢測(cè)接口電路的弊端,簡(jiǎn)化了接口電路設(shè)計(jì),保證了車用開(kāi)關(guān)工作的可靠性和安全性。 Abstract: The design of automotive multiple switch detection interface circuit based on MC33993 is introduced mainly which adopts PIC18F2480 single chip microprocessor.This circuit overcomes shortage of traditional design which contains many schism elements, and the application of MC33993 also predigests the whole design of interface circuit and guarantees the dependability and security of the switch.
標(biāo)簽: 33993 MC 多路開(kāi)關(guān) 檢測(cè)
上傳時(shí)間: 2013-11-19
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介紹了一種用MSP430 單片機(jī)實(shí)現(xiàn)光纖旁路保護(hù)器的方法。在硬件設(shè)計(jì)上采用精密光學(xué)元件和控制電路,實(shí)現(xiàn)了光路的無(wú)縫切換。在MSP430 單片機(jī)內(nèi)嵌入TCP/IP 協(xié)議,借助以太網(wǎng)控制芯片CS8900A 實(shí)現(xiàn)了單片機(jī)通過(guò)以太網(wǎng)傳輸數(shù)據(jù)。MCU 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)防火墻發(fā)來(lái)的心跳信號(hào),在防火墻出現(xiàn)異常時(shí),旁路器切換光路繞過(guò)防火墻,從而保證網(wǎng)絡(luò)通暢。
上傳時(shí)間: 2013-11-20
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單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù):第1章 電磁干擾控制基礎(chǔ). 1.1 電磁干擾的基本概念1 1.1.1 噪聲與干擾1 1.1.2 電磁干擾的形成因素2 1.1.3 干擾的分類2 1.2 電磁兼容性3 1.2.1 電磁兼容性定義3 1.2.2 電磁兼容性設(shè)計(jì)3 1.2.3 電磁兼容性常用術(shù)語(yǔ)4 1.2.4 電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)6 1.3 差模干擾和共模干擾8 1.3.1 差模干擾8 1.3.2 共模干擾9 1.4 電磁耦合的等效模型9 1.4.1 集中參數(shù)模型9 1.4.2 分布參數(shù)模型10 1.4.3 電磁波輻射模型11 1.5 電磁干擾的耦合途徑14 1.5.1 傳導(dǎo)耦合14 1.5.2 感應(yīng)耦合(近場(chǎng)耦合)15 .1.5.3 電磁輻射耦合(遠(yuǎn)場(chǎng)耦合)15 1.6 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)電磁干擾控制的一般方法16 第2章 數(shù)字信號(hào)耦合與傳輸機(jī)理 2.1 數(shù)字信號(hào)與電磁干擾18 2.1.1 數(shù)字信號(hào)的開(kāi)關(guān)速度與頻譜18 2.1.2 開(kāi)關(guān)暫態(tài)電源尖峰電流噪聲22 2.1.3 開(kāi)關(guān)暫態(tài)接地反沖噪聲24 2.1.4 高速數(shù)字電路的EMI特點(diǎn)25 2.2 導(dǎo)線阻抗與線間耦合27 2.2.1 導(dǎo)體交直流電阻的計(jì)算27 2.2.2 導(dǎo)體電感量的計(jì)算29 2.2.3 導(dǎo)體電容量的計(jì)算31 2.2.4 電感耦合分析32 2.2.5 電容耦合分析35 2.3 信號(hào)的長(zhǎng)線傳輸36 2.3.1 長(zhǎng)線傳輸過(guò)程的數(shù)學(xué)描述36 2.3.2 均勻傳輸線特性40 2.3.3 傳輸線特性阻抗計(jì)算42 2.3.4 傳輸線特性阻抗的重復(fù)性與阻抗匹配44 2.4 數(shù)字信號(hào)傳輸過(guò)程中的畸變45 2.4.1 信號(hào)傳輸?shù)娜肷浠?5 2.4.2 信號(hào)傳輸?shù)姆瓷浠?6 2.5 信號(hào)傳輸畸變的抑制措施49 2.5.1 最大傳輸線長(zhǎng)度的計(jì)算49 2.5.2 端點(diǎn)的阻抗匹配50 2.6 數(shù)字信號(hào)的輻射52 2.6.1 差模輻射52 2.6.2 共模輻射55 2.6.3 差模和共模輻射比較57 第3章 常用元件的可靠性能與選擇 3.1 元件的選擇與降額設(shè)計(jì)59 3.1.1 元件的選擇準(zhǔn)則59 3.1.2 元件的降額設(shè)計(jì)59 3.2 電阻器60 3.2.1 電阻器的等效電路60 3.2.2 電阻器的內(nèi)部噪聲60 3.2.3 電阻器的溫度特性61 3.2.4 電阻器的分類與主要參數(shù)62 3.2.5 電阻器的正確選用66 3.3 電容器67 3.3.1 電容器的等效電路67 3.3.2 電容器的種類與型號(hào)68 3.3.3 電容器的標(biāo)志方法70 3.3.4 電容器引腳的電感量71 3.3.5 電容器的正確選用71 3.3.6 電容器使用注意事項(xiàng)73 3.4 電感器73 3.4.1 電感器的等效電路74 3.4.2 電感器使用的注意事項(xiàng)74 3.5 數(shù)字集成電路的抗干擾性能75 3.5.1 噪聲容限與抗干擾能力75 3.5.2 施密特集成電路的噪聲容限77 3.5.3 TTL數(shù)字集成電路的抗干擾性能78 3.5.4 CMOS數(shù)字集成電路的抗干擾性能79 3.5.5 CMOS電路使用中注意事項(xiàng)80 3.5.6 集成門電路系列型號(hào)81 3.6 高速CMOS 54/74HC系列接口設(shè)計(jì)83 3.6.1 54/74HC 系列芯片特點(diǎn)83 3.6.2 74HC與TTL接口85 3.6.3 74HC與單片機(jī)接口85 3.7 元器件的裝配工藝對(duì)可靠性的影響86 第4章 電磁干擾硬件控制技術(shù) 4.1 屏蔽技術(shù)88 4.1.1 電場(chǎng)屏蔽88 4.1.2 磁場(chǎng)屏蔽89 4.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽91 4.1.4 屏蔽損耗的計(jì)算92 4.1.5 屏蔽體屏蔽效能的計(jì)算99 4.1.6 屏蔽箱的設(shè)計(jì)100 4.1.7 電磁泄漏的抑制措施102 4.1.8 電纜屏蔽層的屏蔽原理108 4.1.9 屏蔽與接地113 4.1.10 屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)113 4.2 接地技術(shù)114 4.2.1 概述114 4.2.2 安全接地115 4.2.3 工作接地117 4.2.4 接地系統(tǒng)的布局119 4.2.5 接地裝置和接地電阻120 4.2.6 地環(huán)路問(wèn)題121 4.2.7 浮地方式122 4.2.8 電纜屏蔽層接地123 4.3 濾波技術(shù)126 4.3.1 濾波器概述127 4.3.2 無(wú)源濾波器130 4.3.3 有源濾波器138 4.3.4 鐵氧體抗干擾磁珠143 4.3.5 貫通濾波器146 4.3.6 電纜線濾波連接器149 4.3.7 PCB板濾波器件154 4.4 隔離技術(shù)155 4.4.1 光電隔離156 4.4.2 繼電器隔離160 4.4.3 變壓器隔離 161 4.4.4 布線隔離161 4.4.5 共模扼流圈162 4.5 電路平衡結(jié)構(gòu)164 4.5.1 雙絞線在平衡電路中的使用164 4.5.2 同軸電纜的平衡結(jié)構(gòu)165 4.5.3 差分放大器165 4.6 雙絞線的抗干擾原理及應(yīng)用166 4.6.1 雙絞線的抗干擾原理166 4.6.2 雙絞線的應(yīng)用168 4.7 信號(hào)線間的串?dāng)_及抑制169 4.7.1 線間串?dāng)_分析169 4.7.2 線間串?dāng)_的抑制173 4.8 信號(hào)線的選擇與敷設(shè)174 4.8.1 信號(hào)線型式的選擇174 4.8.2 信號(hào)線截面的選擇175 4.8.3 單股導(dǎo)線的阻抗分析175 4.8.4 信號(hào)線的敷設(shè)176 4.9 漏電干擾的防止措施177 4.10 抑制數(shù)字信號(hào)噪聲常用硬件措施177 4.10.1 數(shù)字信號(hào)負(fù)傳輸方式178 4.10.2 提高數(shù)字信號(hào)的電壓等級(jí)178 4.10.3 數(shù)字輸入信號(hào)的RC阻容濾波179 4.10.4 提高輸入端的門限電壓181 4.10.5 輸入開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)抖動(dòng)干擾的抑制方法181 4.10.6 提高器件的驅(qū)動(dòng)能力184 4.11 靜電放電干擾及其抑制184 第5章 主機(jī)單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 5.1 單片機(jī)主機(jī)單元組成特點(diǎn)186 5.1.1 80C51最小應(yīng)用系統(tǒng)186 5.1.2 低功耗單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)187 5.2 總線的可靠性設(shè)計(jì)191 5.2.1 總線驅(qū)動(dòng)器191 5.2.2 總線的負(fù)載平衡192 5.2.3 總線上拉電阻的配置192 5.3 芯片配置與抗干擾193 5.3.1去耦電容配置194 5.3.2 數(shù)字輸入端的噪聲抑制194 5.3.3 數(shù)字電路不用端的處理195 5.3.4 存儲(chǔ)器的布線196 5.4 譯碼電路的可靠性分析197 5.4.1 過(guò)渡干擾與譯碼選通197 5.4.2 譯碼方式與抗干擾200 5.5 時(shí)鐘電路配置200 5.6 復(fù)位電路設(shè)計(jì)201 5.6.1 復(fù)位電路RC參數(shù)的選擇201 5.6.2 復(fù)位電路的可靠性與抗干擾分析202 5.6.3 I/O接口芯片的延時(shí)復(fù)位205 5.7 單片機(jī)系統(tǒng)的中斷保護(hù)問(wèn)題205 5.7.1 80C51單片機(jī)的中斷機(jī)構(gòu)205 5.7.2 常用的幾種中斷保護(hù)措施205 5.8 RAM數(shù)據(jù)掉電保護(hù)207 5.8.1 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.2 利用雙片選的外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.3 利用DS1210實(shí)現(xiàn)外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)208 5.8.4 2 KB非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器DS1220AB/AD211 5.9 看門狗技術(shù)215 5.9.1 由單穩(wěn)態(tài)電路實(shí)現(xiàn)看門狗電路216 5.9.2 利用單片機(jī)片內(nèi)定時(shí)器實(shí)現(xiàn)軟件看門狗217 5.9.3 軟硬件結(jié)合的看門狗技術(shù)219 5.9.4 單片機(jī)內(nèi)配置看門狗電路221 5.10 微處理器監(jiān)控器223 5.10.1 微處理器監(jiān)控器MAX703~709/813L223 5.10.2 微處理器監(jiān)控器MAX791227 5.10.3 微處理器監(jiān)控器MAX807231 5.10.4 微處理器監(jiān)控器MAX690A/MAX692A234 5.10.5 微處理器監(jiān)控器MAX691A/MAX693A238 5.10.6 帶備份電池的微處理器監(jiān)控器MAX1691242 5.11 串行E2PROM X25045245 第6章 測(cè)量單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 6.1 概述255 6.2 模擬信號(hào)放大器256 6.2.1 集成運(yùn)算放大器256 6.2.2 測(cè)量放大器組成原理260 6.2.3 單片集成測(cè)量放大器AD521263 6.2.4 單片集成測(cè)量放大器AD522265 6.2.5 單片集成測(cè)量放大器AD526266 6.2.6 單片集成測(cè)量放大器AD620270 6.2.7 單片集成測(cè)量放大器AD623274 6.2.8 單片集成測(cè)量放大器AD624276 6.2.9 單片集成測(cè)量放大器AD625278 6.2.10 單片集成測(cè)量放大器AD626281 6.3 電壓/電流變換器(V/I)283 6.3.1 V/I變換電路..283 6.3.2 集成V/I變換器XTR101284 6.3.3 集成V/I變換器XTR110289 6.3.4 集成V/I變換器AD693292 6.3.5 集成V/I變換器AD694299 6.4 電流/電壓變換器(I/V)302 6.4.1 I/V變換電路302 6.4.2 RCV420型I/V變換器303 6.5 具有放大、濾波、激勵(lì)功能的模塊2B30/2B31305 6.6 模擬信號(hào)隔離放大器313 6.6.1 隔離放大器ISO100313 6.6.2 隔離放大器ISO120316 6.6.3 隔離放大器ISO122319 6.6.4 隔離放大器ISO130323 6.6.5 隔離放大器ISO212P326 6.6.6 由兩片VFC320組成的隔離放大器329 6.6.7 由兩光耦組成的實(shí)用線性隔離放大器333 6.7 數(shù)字電位器及其應(yīng)用336 6.7.1 非易失性數(shù)字電位器x9221336 6.7.2 非易失性數(shù)字電位器x9241343 6.8 傳感器供電電源的配置及抗干擾346 6.8.1 傳感器供電電源的擾動(dòng)補(bǔ)償347 6.8.2 單片集成精密電壓芯片349 6.8.3 A/D轉(zhuǎn)換器芯片提供基準(zhǔn)電壓350 6.9 測(cè)量單元噪聲抑制措施351 6.9.1 外部噪聲源的干擾及其抑制351 6.9.2 輸入信號(hào)串模干擾的抑制352 6.9.3 輸入信號(hào)共模干擾的抑制353 6.9.4 儀器儀表的接地噪聲355 第7章 D/A、A/D單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 7.1 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的干擾源357 7.2 D/A轉(zhuǎn)換原理及抗干擾分析358 7.2.1 T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器359 7.2.2 基準(zhǔn)電源精度要求361 7.2.3 D/A轉(zhuǎn)換器的尖峰干擾362 7.3 典型D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口363 7.3.1 并行12位D/A轉(zhuǎn)換器AD667363 7.3.2 串行12位D/A轉(zhuǎn)換器MAX5154370 7.4 D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)的光電接口電路377 7.5 A/D轉(zhuǎn)換器原理與抗干擾性能378 7.5.1 逐次比較式ADC原理378 7.5.2 余數(shù)反饋比較式ADC原理378 7.5.3 雙積分ADC原理380 7.5.4 V/F ADC原理382 7.5.5 ∑Δ式ADC原理384 7.6 典型A/D轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口387 7.6.18 位并行逐次比較式MAX 118387 7.6.28 通道12位A/D轉(zhuǎn)換器MAX 197394 7.6.3 雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器5G14433399 7.6.4 V/F轉(zhuǎn)換器AD 652在A/D轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用403 7.7 采樣保持電路與抗干擾措施408 7.8 多路模擬開(kāi)關(guān)與抗干擾措施412 7.8.1 CD4051412 7.8.2 AD7501413 7.8.3 多路開(kāi)關(guān)配置與抗干擾技術(shù)413 7.9 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的電源、接地與布線416 7.10 精密基準(zhǔn)電壓電路與噪聲抑制416 7.10.1 基準(zhǔn)電壓電路原理417 7.10.2 引腳可編程精密基準(zhǔn)電壓源AD584418 7.10.3 埋入式齊納二極管基準(zhǔn)AD588420 7.10.4 低漂移電壓基準(zhǔn)MAX676/MAX677/MAX678422 7.10.5 低功率低漂移電壓基準(zhǔn)MAX873/MAX875/MAX876424 7.10.6 MC1403/MC1403A、MC1503精密電壓基準(zhǔn)電路430 第8章 功率接口與抗干擾設(shè)計(jì) 8.1 功率驅(qū)動(dòng)元件432 8.1.1 74系列功率集成電路432 8.1.2 75系列功率集成電路433 8.1.3 MOC系列光耦合過(guò)零觸發(fā)雙向晶閘管驅(qū)動(dòng)器435 8.2 輸出控制功率接口電路438 8.2.1 繼電器輸出驅(qū)動(dòng)接口438 8.2.2 繼電器—接觸器輸出驅(qū)動(dòng)電路439 8.2.3 光電耦合器—晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)電路439 8.2.4 脈沖變壓器—晶閘管輸出電路440 8.2.5 單片機(jī)與大功率單相負(fù)載的接口電路441 8.2.6 單片機(jī)與大功率三相負(fù)載間的接口電路442 8.3 感性負(fù)載電路噪聲的抑制442 8.3.1 交直流感性負(fù)載瞬變?cè)肼暤囊种品椒?42 8.3.2 晶閘管過(guò)零觸發(fā)的幾種形式445 8.3.3 利用晶閘管抑制感性負(fù)載的瞬變?cè)肼?47 8.4 晶閘管變流裝置的干擾和抑制措施448 8.4.1 晶閘管變流裝置電氣干擾分析448 8.4.2 晶閘管變流裝置的抗干擾措施449 8.5 固態(tài)繼電器451 8.5.1 固態(tài)繼電器的原理和結(jié)構(gòu)451 8.5.2 主要參數(shù)與選用452 8.5.3 交流固態(tài)繼電器的使用454 第9章 人機(jī)對(duì)話單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 9.1 鍵盤接口抗干擾問(wèn)題456 9.2 LED顯示器的構(gòu)造與特點(diǎn)458 9.3 LED的驅(qū)動(dòng)方式459 9.3.1 采用限流電阻的驅(qū)動(dòng)方式459 9.3.2 采用LM317的驅(qū)動(dòng)方式460 9.3.3 串聯(lián)二極管壓降驅(qū)動(dòng)方式462 9.4 典型鍵盤/顯示器接口芯片與單片機(jī)接口463 9.4.1 8位LED驅(qū)動(dòng)器ICM 7218B463 9.4.2 串行LED顯示驅(qū)動(dòng)器MAX 7219468 9.4.3 并行鍵盤/顯示器專用芯片8279482 9.4.4 串行鍵盤/顯示器專用芯片HD 7279A492 9.5 LED顯示接口的抗干擾措施502 9.5.1 LED靜態(tài)顯示接口的抗干擾502 9.5.2 LED動(dòng)態(tài)顯示接口的抗干擾506 9.6 打印機(jī)接口與抗干擾技術(shù)508 9.6.1 并行打印機(jī)標(biāo)準(zhǔn)接口信號(hào)508 9.6.2 打印機(jī)與單片機(jī)接口電路509 9.6.3 打印機(jī)電磁干擾的防護(hù)設(shè)計(jì)510 9.6.4 提高數(shù)據(jù)傳輸可靠性的措施512 第10章 供電電源的配置與抗干擾設(shè)計(jì) 10.1 電源干擾問(wèn)題概述513 10.1.1 電源干擾的類型513 10.1.2 電源干擾的耦合途徑514 10.1.3 電源的共模和差模干擾515 10.1.4 電源抗干擾的基本方法516 10.2 EMI電源濾波器517 10.2.1 實(shí)用低通電容濾波器518 10.2.2 雙繞組扼流圈的應(yīng)用518 10.3 EMI濾波器模塊519 10.3.1 濾波器模塊基礎(chǔ)知識(shí)519 10.3.2 電源濾波器模塊521 10.3.3 防雷濾波器模塊531 10.3.4 脈沖群抑制模塊532 10.4 瞬變干擾吸收器件532 10.4.1 金屬氧化物壓敏電阻(MOV)533 10.4.2 瞬變電壓抑制器(TVS)537 10.5 電源變壓器的屏蔽與隔離552 10.6 交流電源的供電抗干擾方案553 10.6.1 交流電源配電方式553 10.6.2 交流電源抗干擾綜合方案555 10.7 供電直流側(cè)抑制干擾措施555 10.7.1 整流電路的高頻濾波555 10.7.2 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源配置與抗干擾556 10.7.3 集成穩(wěn)壓器使用中的保護(hù)557 10.8 開(kāi)關(guān)電源干擾的抑制措施559 10.8.1 開(kāi)關(guān)噪聲的分類559 10.8.2 開(kāi)關(guān)電源噪聲的抑制措施560 10.9 微機(jī)用不間斷電源UPS561 10.10 采用晶閘管無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)消除瞬態(tài)干擾設(shè)計(jì)方案564 第11章 印制電路板的抗干擾設(shè)計(jì) 11.1 印制電路板用覆銅板566 11.1.1 覆銅板材料566 11.1.2 覆銅板分類568 11.1.3 覆銅板的標(biāo)準(zhǔn)與電性能571 11.1.4 覆銅板的主要特點(diǎn)和應(yīng)用583 11.2 印制板布線設(shè)計(jì)基礎(chǔ)585 11.2.1 印制板導(dǎo)線的阻抗計(jì)算585 11.2.2 PCB布線結(jié)構(gòu)和特性阻抗計(jì)算587 11.2.3 信號(hào)在印制板上的傳播速度589 11.3 地線和電源線的布線設(shè)計(jì)590 11.3.1 降低接地阻抗的設(shè)計(jì)590 11.3.2 減小電源線阻抗的方法591 11.4 信號(hào)線的布線原則592 11.4.1 信號(hào)傳輸線的尺寸控制592 11.4.2 線間串?dāng)_控制592 11.4.3 輻射干擾的抑制593 11.4.4 反射干擾的抑制594 11.4.5 微機(jī)自動(dòng)布線注意問(wèn)題594 11.5 配置去耦電容的方法594 11.5.1 電源去耦595 11.5.2 集成芯片去耦595 11.6 芯片的選用與器件布局596 11.6.1 芯片選用指南596 11.6.2 器件的布局597 11.6.3 時(shí)鐘電路的布置598 11.7 多層印制電路板599 11.7.1 多層印制板的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)599 11.7.2 多層印制板的布局方案600 11.7.3 20H原則605 11.8 印制電路板的安裝和板間配線606 第12章 軟件抗干擾原理與方法 12.1 概述607 12.1.1 測(cè)控系統(tǒng)軟件的基本要求607 12.1.2 軟件抗干擾一般方法607 12.2 指令冗余技術(shù)608 12.2.1 NOP的使用609 12.2.2 重要指令冗余609 12.3 軟件陷阱技術(shù)609 12.3.1 軟件陷阱609 12.3.2 軟件陷阱的安排610 12.4 故障自動(dòng)恢復(fù)處理程序613 12.4.1 上電標(biāo)志設(shè)定614 12.4.2 RAM中數(shù)據(jù)冗余保護(hù)與糾錯(cuò)616 12.4.3 軟件復(fù)位與中斷激活標(biāo)志617 12.4.4 程序失控后恢復(fù)運(yùn)行的方法618 12.5 數(shù)字濾波619 12.5.1 程序判斷濾波法620 12.5.2 中位值濾波法620 12.5.3 算術(shù)平均濾波法621 12.5.4 遞推平均濾波法623 12.5.5 防脈沖干擾平均值濾波法624 12.5.6 一階滯后濾波法626 12.6 干擾避開(kāi)法627 12.7 開(kāi)關(guān)量輸入/輸出軟件抗干擾設(shè)計(jì)629 12.7.1 開(kāi)關(guān)量輸入軟件抗干擾措施629 12.7.2 開(kāi)關(guān)量輸出軟件抗干擾措施629 12.8 編寫軟件的其他注意事項(xiàng)630 附錄 電磁兼容器件選購(gòu)信息632
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采用各向異性磁阻AMR傳感器傳感磁場(chǎng)位置,逐漸成為一種非接觸測(cè)量運(yùn)動(dòng)物體位置的常用方法。角度或線性運(yùn)動(dòng)物體,配有補(bǔ)充性的傳感器或固定磁鐵,再附裝上一塊磁鐵或傳感元件,就可以定量確定合成磁場(chǎng)的相關(guān)方向。使用多個(gè)傳感器或磁鐵可以增大角度或線性位置的測(cè)量范圍。此應(yīng)用說(shuō)明解釋了用于位置測(cè)量的AMR傳感器的原理包括幾個(gè)用以解決工藝問(wèn)題的有效壽命電路。
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