高通濾波為實現高頻信號能正常通過，而低于設定臨界值的低頻信號則被阻隔、減弱。但是阻隔、減弱的幅度則會依據不同的頻率以及不同的濾波程序而改變。文中闡述了對電壓轉移函數推導分析及電路性能的要求，并利用Multisim仿真軟件對其頻幅特性的分析進行。
上傳時間： 2013-11-08
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Butterworth函數的高階低通濾波器的有源設計
標簽： Butterworth 函數 低通濾波器 有源
上傳時間： 2013-11-20
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針對傳統第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個電流傳輸器和2個電容即可完成設計。設計結構簡單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗證了理論設計的準確性和可行性。
上傳時間： 2013-11-15
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為了解決聲表面波濾波器插損太大，造成有用信號衰減嚴重，彌補插損又會引起底部噪聲抬高的問題。該文設計了一種用LC集總元件實現的窄帶帶通濾波器，其特點是插入損耗小，成本低，帶外衰減大，較好解決了因聲表面波濾波器插損大而引起的一系列問題，不會引起通道底部噪聲的抬高。仿真結果證明了該設計方案的可行性。
上傳時間： 2013-11-18
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為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
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低通濾波器設計
上傳時間： 2013-11-20
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用MATLAB編寫低通濾波器
上傳時間： 2013-11-24
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平行耦合微帶線帶通濾波器在微波電路系統中廣泛應用。為了提高帶通濾波器性能，縮短設計周期，采用奇偶模原理分析與ADS（Advanced Design System）仿真相結合的方法，設計出一個中心頻率為2.5 GHz，相對帶寬為10%的平行耦合微帶線帶通濾波器。進一步優化參數，得到電路版圖。最終結果證明，這種方法具有設計周期短、可靠性高的特點，且各項參數滿足設計要求。
上傳時間： 2013-10-12
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設計一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對電路的頻率特性、特征參量等進行了仿真分析,仿真結果與理論設計一致,為有源濾波器的電路設計提供了EDA手段和依據。
上傳時間： 2013-11-12
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磁珠由氧磁體組成，電感由磁心和線圈組成，磁珠把交流信號轉化為熱能，電感把交流存儲起來，緩慢的釋放出去。 磁珠對高頻信號才有較大阻礙作用，一般規格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時電阻比電感小得多。電感的等效電阻可有Z=2X3.14xf 來求得。 鐵氧體磁珠 (Ferrite Bead) 是目前應用發展很快的一種抗干擾元件，廉價、易用，濾除高頻噪聲效果顯著。 在電路中只要導線穿過它即可（我用的都是象普通電阻模樣的，導線已穿過并膠合，也有表面貼裝的形式，但很少見到賣的）。當導線中電流穿過時，鐵氧體對低頻電流幾乎沒有什么阻抗，而對較高頻率的電流會產生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發，其等效電路為一個電感和一個電阻串聯，兩個元件的值都與磁珠的長度成比例。 磁珠種類很多，制造商應提供技術指標說明，特別是磁珠的阻抗與頻率關系的曲線。 有的磁珠上有多個孔洞，用導線穿過可增加元件阻抗（穿過磁珠次數的平方），不過在高頻時所增加的抑制噪聲能力不可能如預期的多，而用多串聯幾個磁珠的辦法會好些。 鐵氧體是磁性材料，會因通過電流過大而產生磁飽和，導磁率急劇下降。大電流濾波應采用結構上專門設計的磁珠，還要注意其散熱措施。 鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲（可用于直流和交流輸出），還可廣泛應用于其他電路，其體積可以做得很小。特別是在數字電路中，由于脈沖信號含有頻率很高的高次諧波，也是電路高頻輻射的主要根源，所以可在這種場合發揮磁珠的作用。 鐵氧體磁珠還廣泛應用于信號電纜的噪聲濾除。 以常用于電源濾波的HH-1H3216-500為例，其型號各字段含義依次為：HH 是其一個系列，主要用于電源濾波，用于信號線是HB系列；1 表示一個元件封裝了一個磁珠，若為4則是并排封裝四個的；H 表示組成物質，H、C、M為中頻應用（50－200MHz），T低頻應用（<50MHz），S高頻應用（>200MHz）；3216 封裝尺寸，長3.2mm，寬1.6mm，即1206封裝；500 阻抗（一般為100MHz時），50 ohm。 其產品參數主要有三項：阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流電阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;額定電流Rated Current (mA): 2500. 磁珠有很高的電阻率和磁導率， 他等效于電阻和電感串聯， 但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時呈現阻性，所以能在相當寬的頻率范圍內保持較高的阻抗，從而提高調頻濾波效果。 磁珠主要用于高頻隔離，抑制差模噪聲等。
標簽： 電感
上傳時間： 2013-11-05
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