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電平標(biāo)準(zhǔn)

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標簽: 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間: 2013-08-30

    上傳用戶:cainaifa

  • 自己現在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現在用的CPLD下載線,用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

    標簽: CPLD 244 74 HC

    上傳時間: 2013-08-31

    上傳用戶:dancnc

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽: Protel 99 se

    上傳時間: 2013-09-11

    上傳用戶:Yukiseop

  • Protel99se SDK

    Protel99se SDK\r\n\r\nProtel向用戶提供SDK軟件包。SDK軟件包包括:服務器生成向導和Protel API及相關文檔資料。\r\n\r\n 服務器生成向導是一個運行于設計資源管理器的插入式服務器,它為用戶生成第三方EDA軟件模板的原代碼和安裝文件(.INS文件),安裝文件用于將用戶開發的第三方EDA軟件安裝在設計資源管理器平臺上。服務器生成向導可以為用戶生成兩種格式的原代碼:Delphi和C++ Builder。\r\n\r\n為方便用戶開發第三方EDA軟件,Protel向用戶

    標簽: Protel SDK 99 se

    上傳時間: 2013-09-18

    上傳用戶:txfyddz

  • 10Gbits GPON系統的完整,緊湊型APD偏置解決方案

    雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器,但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路,包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器

    標簽: Gbits GPON APD 10

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:zhangyigenius

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能?;诩捎嫈灯鞯腘進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 在單端應用中采用差分I/O放大器

      Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.

    標簽: 單端應用 差分 放大器

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:rocketrevenge

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