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電子管后級(jí)

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時(shí)間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • 宏晶 STC15F2K60S2開發(fā)板配套軟件源碼 基礎(chǔ)例程30例

    宏晶 STC15F2K60S2開發(fā)板配套軟件源碼 基礎(chǔ)例程30例/**********************基于STC15F2K60S2系列單片機(jī)C語言編程實(shí)現(xiàn)使用如下頭文件,不用另外再包含"REG51.H"#include <STC15F2K60S2.h>***********************/#include "STC15F2K60S2.H"//#include "REG51.H" //sfr P4   = 0xC0;#define  uint unsigned int  #define  uchar unsigned char  /**********************引腳別名定義***********************/sbit SEL=P4^3; // LED和數(shù)碼管選擇引腳 高:LED有效 低:數(shù)碼管有效 // SEL連接的單片機(jī)引腳必須為帶有上拉電阻的引腳 或?qū)⑵渲苯舆B接VCC#define data P2 // 數(shù)據(jù)輸入定義  /**********************函數(shù)名稱:Delay_1ms功能描述:延時(shí)入口參數(shù):unsigned int t 表示要延時(shí)t個1ms 出口參數(shù):無備注:通過參數(shù)t,控制延時(shí)的時(shí)間長短***********************/void Delay_1ms(uint t){ uchar j;   for(;t>0;t--)       for(j=110;j>0;j--)     ;}/**********************函數(shù)名稱:Led_test功能描述:對8個二極管進(jìn)行測試,依次輪流點(diǎn)亮8個二極管入口參數(shù):無出口參數(shù):無備注:  ***********************/void Led_test(){    uchar G_value=0x01; // 給變量賦初值 SEL=1;    //高電平LED有效   while(1) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=G_value<<1; if(G_value==0x00) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=0x01;      } }}/***********************主函數(shù)************************/void main(){ ///////////////////////////////////////////////// //注意: STC15W4K32S4系列的芯片,上電后所有與PWM相關(guān)的IO口均為 //      高阻態(tài),需將這些口設(shè)置為準(zhǔn)雙向口或強(qiáng)推挽模式方可正常使用 //相關(guān)IO: P0.6/P0.7/P1.6/P1.7/P2.1/P2.2 //        P2.3/P2.7/P3.7/P4.2/P4.4/P4.5 ///////////////////////////////////////////////// P4M1=0x00; P4M0=0x00; P2M0=0xff; P2M1=0x00; //將P2設(shè)為推挽 Led_test();  }

    標(biāo)簽: STC15F2K60S2

    上傳時(shí)間: 2022-05-03

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  • DS1302時(shí)鐘+18b20+stc15w408as數(shù)碼管顯示最終程序

    本程序基于STC15w408as單片機(jī),配合一片sn74hc595芯片擴(kuò)展IO口驅(qū)動4個4個數(shù)碼管(四個數(shù)碼管為時(shí)間專用數(shù)碼管,帶時(shí)間點(diǎn)顯示的。用的時(shí)候數(shù)碼管反向安裝,這樣可以顯示溫度符號℃)。用DS1302提供精確時(shí)間,18B20提供溫度。同時(shí)兩個IO口連接兩個按鍵,可實(shí)現(xiàn)調(diào)時(shí)。程序開始顯示時(shí)間,同時(shí)按K1K2按鍵,過7秒后激活顯示溫度,以后每7秒顯示溫度2秒。本程序?yàn)榻?jīng)驗(yàn)學(xué)習(xí)程序,可能是我電路板焊接質(zhì)量不好,導(dǎo)致DS1302備用電池?zé)o法使用,無法保存時(shí)間。希望大神能給出優(yōu)化意見。

    標(biāo)簽: ds1302 時(shí)鐘 數(shù)碼管

    上傳時(shí)間: 2022-06-13

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  • 探討逆變焊機(jī)IGBT炸管的原因及保護(hù)措施

    1電壓型PWM控制器過流保護(hù)固有問題目前國內(nèi)常見的IGBT逆變弧焊機(jī)PWM控制器通常采用TL494.SG3525等電壓型集成芯片,電流反饋信號一般取自整流輸出端,當(dāng)輸出電流信號由分流器檢出電流與給定電流比較后,經(jīng)比例積分放大器大,控制輸出脈沖寬度IGBT導(dǎo)通后,即使產(chǎn)生過電流,PWM控制電路也不可能及時(shí)關(guān)斷正在導(dǎo)通的過流脈沖由于系統(tǒng)存在延退環(huán)節(jié),過流保護(hù)時(shí)間將延長.2電流型過流保護(hù)電流型PWM控制電路反饋電流信號由高頻變壓器初級端通過電流互感器取得,由于電流信號取自變壓器初級,反應(yīng)速度快,保護(hù)信號與正在流過IGBT的電流同步,一旦發(fā)生過流PWM立即關(guān)斷輸出脈沖,IGBT獲得及時(shí)保護(hù),電流型PwM控制器固有的逐個脈沖檢測瞬時(shí)電流值的控制方式對輸入電壓和負(fù)載變化響應(yīng)快,系統(tǒng)穩(wěn)定性好同意老兄的觀點(diǎn),在實(shí)際應(yīng)用中電壓型PWM確實(shí)占了大多數(shù),但過流保護(hù)取樣也可以從變壓器初級取,通過互感線圈或霍爾傳感器取得過流信號,比如控制3525的8腳,這點(diǎn)深圳瑞凌的焊機(jī)做的不錯,可以很好保護(hù)開關(guān)管過流.如何通過檢測手段判斷一種逆變電源的主電路是否可靠,我認(rèn)為可以從開關(guān)器件和主變壓器的空載和負(fù)載狀態(tài)下的電流電壓波形來分析,從而針對性的調(diào)整開關(guān)器件參數(shù)及過流過壓緩沖元件參數(shù)以及高頻變壓器的參數(shù),難點(diǎn)在于如何選擇匹配.

    標(biāo)簽: 逆變焊機(jī) igbt

    上傳時(shí)間: 2022-06-19

    上傳用戶:fliang

  • 基于單片機(jī)控制和LED數(shù)碼管顯示的數(shù)字鐘電子鐘的設(shè)計(jì)

    1、本課題任務(wù)如下:設(shè)計(jì)一個具有特定功能的電子鐘。該電子鐘上電或按鍵復(fù)位后能自動顯示系統(tǒng)提示符"P.",進(jìn)入時(shí)鐘準(zhǔn)備狀態(tài);第一次按電子鐘啟動/調(diào)整鍵,電子鐘從0時(shí)0分0秒開始運(yùn)行,進(jìn)入時(shí)鐘運(yùn)行狀態(tài);再次按電子鐘啟動/調(diào)整鍵,則電子鐘進(jìn)入時(shí)鐘調(diào)整狀態(tài),此時(shí)可利用各調(diào)整鍵調(diào)整時(shí)間,調(diào)整結(jié)束后可按啟動/調(diào)整鍵再次進(jìn)入時(shí)鐘運(yùn)行狀態(tài)。2、本課題要求如下:(1)在AT89S51的PO口和P2口外接由六個LED數(shù)碼管(LED5~LEDO)構(gòu)成的顯示器,用PO口作LED的段碼輸出口(PO.0~P0.7對應(yīng)于LED的a-dp),P2.5-P2.0作LED的位控輸出線(P2.5~P2.0對應(yīng)于LED5~LEDO),P1口外接四個按鍵A、B,C.D(對應(yīng)于P1.0~P1.3).(2)、利用六個LED顯示當(dāng)前時(shí)間。(3)、四個按鍵的功能:A鍵用于電子鐘啟動/調(diào)整;B鍵用于調(diào)時(shí),范圍0-23,0為24點(diǎn),每按一次時(shí)加1;C鍵用于調(diào)分,范圍0-59,0為60分,每按一次分加1:D鍵用于調(diào)秒,范圍0-59,0為60秒,每按一次秒加1.(4)、單片機(jī)采用AT89S51,fasc-12MHz(5)、電子鐘供電電源電路的設(shè)計(jì)。

    標(biāo)簽: 單片機(jī) LED數(shù)碼管顯示 數(shù)字鐘電子鐘

    上傳時(shí)間: 2022-06-19

    上傳用戶:aben

  • 怎樣判斷IGBT、MOS管的好壞

    怎樣判斷IGBT MOS管的好壞?怎么檢測它的引腳?IGBT1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ 擋,用萬用表測量時(shí), 若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大, 則判斷此極為柵極(G )。其余兩極再用萬用表測量, 若測得阻值為無窮大, 調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極( C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。2、判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ 擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極( E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極( G)和集電極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極( G)和發(fā)射極( E),這時(shí)IGBT 被阻斷,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。3、注意事項(xiàng)任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬用表撥在R×10KΩ 擋,因R×1KΩ 擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管( P-MOSFET )的好壞。現(xiàn)在經(jīng)常要檢測MOS 管了,轉(zhuǎn)幾篇MOS 管的檢測方法,以備隨時(shí)觀摩!用萬用表檢測MOS 開關(guān)管好壞的方法一、MOS 開關(guān)管針腳判斷:在電腦上, MOS 管都是N 溝道增強(qiáng)型的MOSFET 開關(guān)管, 大部分都采用TO-220F 封裝,其針腳判斷方法是:將針腳向下,印有型號的面向自己,左邊的是柵極,中間是漏極,右邊是源極。

    標(biāo)簽: igbt mos管

    上傳時(shí)間: 2022-06-22

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  • 電磁爐IGBT管擊穿原因

    電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中,功率管的損壞占有相當(dāng)大的比例,若在沒有查明故障原因的情況下貿(mào)然更換功率管會引起再次燒毀。一:諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容容量變小、失效或特性不良,將導(dǎo)致電磁爐LC 振蕩電路頻率偏高,從而引起功率管IGBT管損壞,經(jīng)查其他電路無異常時(shí),我們必須將0.3uF 和5uF 電容一起更換。二:IGBT 管激勵電路異常振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT 管飽和、導(dǎo)通與截至,必須通過激勵電路將脈沖信號放大來完成。如果激勵電路出現(xiàn)故障,高電壓就會加到IGBT 管的G 極,導(dǎo)致IGBT 管瞬間擊穿損壞。常見為驅(qū)動管S8050、S8550損壞。三:同步電路異常同步電路在電磁爐中的主要是保證加到IGBT G 極上的開關(guān)脈沖前沿與IGBT 管上VCE 脈沖后沿同步。當(dāng)同步電路工作異常時(shí), 導(dǎo)致IGBT管瞬間擊穿損壞。

    標(biāo)簽: 電磁爐 igbt

    上傳時(shí)間: 2022-06-22

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  • SEGGER J-FlASH ARM(jlink驅(qū)動)_V4.08_免費(fèi)版

    1:打開J-Flash ARM后,首先點(diǎn)擊File-OpenProject...,從中選擇STM32F103RB.jflash。(例子芯片,直接在提示的目錄下找)    2.點(diǎn)擊File-Open data file...選擇要燒錄的可執(zhí)行文件(.hex 或者 .bin) 3:options-project settings  在里面配置cpu型號,下載方式 4: 選擇燒錄文件后,點(diǎn)擊Target-connect,鏈接一下硬件是否通。如果能夠連接成功會了LOG窗口最后一行顯示“Connected successfully”。5:按F3擦除芯片。6.按F5鍵將程序?qū)懭胄酒?.硬件鏈接上之后,點(diǎn)擊Target-Secure chip防止程序被惡意讀出。如果您的芯片用于調(diào)試,不要執(zhí)行本步驟。

    標(biāo)簽: J-Flash

    上傳時(shí)間: 2022-06-22

    上傳用戶:kingwide

  • 基于NE555骰子設(shè)計(jì)方案(附上原理圖和PCB源文件)

    開機(jī)通電時(shí),7只LED會隨機(jī)顯示一個點(diǎn)數(shù),玩家按一下開關(guān)S1,7只LED會全部變亮,大約幾秒后,7只LED燈開始閃爍,直到最后顯示出穩(wěn)定的點(diǎn)數(shù)。整個一次“擲骰子”的過程結(jié)束。電路主要由脈沖產(chǎn)生器和一個十進(jìn)制計(jì)數(shù)器電路組成。脈沖產(chǎn)生器由NE555及外圍元件構(gòu)成多諧振蕩器,當(dāng)按下按鍵S1時(shí)Q1導(dǎo)通,NE555的3腳輸出脈沖,則CD4017的5個輸出端輪流輸出高電平,通過電阻和三極管的不同組合,可驅(qū)動7只LED發(fā)光,以指示1-6的點(diǎn)數(shù)。

    標(biāo)簽: ne555 原理圖 pcb

    上傳時(shí)間: 2022-07-19

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  • 雙管反激,最高可支持1000VDC輸入

    主控平臺:UC2844拓?fù)洌弘p管反激描述:本方案為大功率電源的輔助電源部分,可接受三相市電輸入、三相旁路輸入、電池輸入、輸入電壓最高可支持1000VDC提供24V、+12V、-12V、+5V以及高頻輸出(可供后級隔離驅(qū)動電源使用)

    標(biāo)簽: 雙管反激

    上傳時(shí)間: 2022-07-26

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