(臺達)開關(guān)電源基本原理與設(shè)計介紹，比較實用
標簽： 開關(guān)電源
上傳時間： 2013-06-15
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EWB經(jīng)典實用列子，基于單片機的經(jīng)典應(yīng)用。
標簽： EWB
上傳時間： 2013-06-22
上傳用戶：wsm555
·期刊論文：基于Sobel算子數(shù)字圖像的邊緣檢測
上傳時間： 2013-06-22
上傳用戶：wangdean1101
·目 錄第一篇 良弓之子，必學為箕(框架) ~禮記.學記~第 1 章 認識應(yīng)用框架, 141.1 何謂應(yīng)用框架1.2 框架的起源1.3 框架的分層1.4 框架的「無用之用」效果1.5 框架與OS 之關(guān)係：常見的迷思第 2 章 應(yīng)用框架魅力的泉源：反向溝通, 312.1 前言2.2 認識反向溝通2.3 主
上傳時間： 2013-05-23
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上帝擲骰子嗎——量子物理史話是一本量子物理方面的科普著作。
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：vvbvvb123
這是用FPGA實現(xiàn)的設(shè)計兩人擲骰子比較點大小的游戲，里面有詳細的程序源碼及分析，希望有些幫助
上傳時間： 2013-08-06
上傳用戶：lili123
電路連接 由于數(shù)碼管品種多樣，還有共陰共陽的，下面我們使用一個數(shù)碼管段碼生成器（在文章結(jié)尾） 去解決不同數(shù)碼管的問題： 本例作者利用手頭現(xiàn)有的一位不知品牌的共陽數(shù)碼管：型號D5611 A/B，在Eagle 找了一個 類似的型號SA56-11，引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。 注意： 1. 將數(shù)碼管的a~g 段，分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數(shù)碼管未知的話，可以通過通電測量它哪個引腳對應(yīng)哪個字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽。共陰的話，接220Ω電阻到電源負極；共陽的話，接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數(shù)碼管實際工作亮度與手頭現(xiàn)有原件而定，不一定需要準確。 4. 按下按鈕即停。 源代碼 由于我是按照段碼生成器默認接法接的，所以不用修改段碼生成器了，直接在段碼生成器選擇共陽極，再按“自動”生成數(shù)組就搞定。 下面是源代碼，由于偷懶不用寫循環(huán)，使用了部分AVR 語句。 PORTD 這個是AVR 的端口輸出控制語句，8 位對應(yīng)D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應(yīng)的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數(shù)碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表，表中十個元素由LED 段碼生成器生成，選擇了共陽極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對 應(yīng)D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關(guān) } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位，即Arduino 的引腳D0~D6，這樣需要取出PORTD 最高位，即 D7的狀態(tài)，與段碼相加，之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平，則在此死循環(huán),暫停LED 跑 動 } }
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：baitouyu
LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：zzbbqq99n
對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
上傳時間： 2013-11-19
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
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