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電壓監(jiān)(jiān)測儀

  • 電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

    電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長 對(duì)老化零件無從查起無法預(yù)先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰

    標(biāo)簽: 電路板維修 技術(shù)資料

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶:neu_liyan

  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測電阻器

    一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測電阻器所組成的。

    標(biāo)簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:qwerasdf

  • 單個(gè)電阻器設(shè)定DCDC轉(zhuǎn)換器的正或負(fù)輸出

    對(duì)於許多電子子繫統(tǒng)而言,比如:VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應(yīng)用,僅采用一個(gè)簡單的降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器並不能滿足其要求

    標(biāo)簽: DCDC 電阻器 設(shè)定

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:nostopper

  • 纖巧型同步升壓轉(zhuǎn)換器在700mV條件下啟動(dòng)

    由於性電池容易購買而且價(jià)格相對(duì)便宜,因此它為人們帶來了方便,並且成為了便攜式儀器以及室外消遣娛樂設(shè)備的電源選擇。

    標(biāo)簽: 700 mV 同步升壓 轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間: 2014-01-07

    上傳用戶:xiaoyaa

  • 雙通道8A DCDC uModule穩(wěn)壓器能夠容易地通過并聯(lián)來提供16A電流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi),因此只需少量的外部元件。

    標(biāo)簽: uModule DCDC 16A 雙通道

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:頂?shù)弥?/p>

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 跟我學(xué)數(shù)字電子技朮

    數(shù)字電子技朮

    標(biāo)簽:

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

    上傳用戶:1101055045

  • (N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展,通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大,系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中,傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家,各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽: 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時(shí)間: 2014-03-24

    上傳用戶:alan-ee

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