半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
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三相半波整流原理
上傳時間： 2013-10-12
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討論了交-交變頻調速系統故障診斷的重要性，針對目前變頻系統輸出電流諧波比較大，用常規方法不易判斷的問題，提出了用新型小波包頻帶能量法提取電機斷條故障信號的特征量，并運用該算法對變頻調速系統電機斷條時和正常時輸出電流波形特征量進行分析。仿真結果表明，新型小波包頻帶能量特征法與常規診斷方法相比，具有準確度高、診斷速度快等優點。
上傳時間： 2015-01-02
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復件 ET521A五合一數字存儲示波表主要特點
上傳時間： 2013-11-20
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ET521A示波表修家電疑難故障（雷鐘）
上傳時間： 2013-11-18
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微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統） 特點： 精確度0.25%滿刻度±1位數 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定 瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要規格： 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協議: Modbus RTU mode 溫度系數: 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2015-01-03
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特點 精確度0.1%滿刻度±1位數 可直接量測交直流電壓(AC/DC 20~265V)無需另接電源 精密濾波整流,均方根值校正 尺寸小(24x48x50mm),穩定性 分離式端子,配線容易 CE認證
上傳時間： 2013-11-05
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特點 顯示范圍0至19999(瞬間量),0至999999999(9位數累積量)可任意規劃 精確度0.03%滿刻度(瞬間量) 頻率輸入范圍 0.01Hz 至 10KHz 瞬間量與累積量時間基數可任意規劃(1 或 60 或 3600 秒) 瞬間量之最高顯示值可任意規劃(0至19999) 累積量之輸入脈波比例刻畫調整可任意規劃(0.00001至9999.99999) 具有二組警報功能 15 BIT 隔離類比輸出 數位RS-485 界面 數位脈波同步輸出功能
上傳時間： 2014-11-07
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電壓駐波比、反射損耗、傳輸損耗、電壓反射系數、傳輸功率、功率反射換算表
標簽： 換算表
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：tianyi996
本文介紹了采用光連續波反射法(OCWR) 技術的光回波損耗測試儀的校準內容和校準方法。校準內容包括內部光源的校準、光功率計的校準、回波損耗校準件的校準、回波損耗測量準確度的校準等諸多方面,著重介紹了校準回波損耗測量準確度的校準方法- 光回波損耗無源模擬法和有源模擬法,并介紹了無源模擬法和有源模擬法所使用的標準儀器和計算公式以及不確定度評定。經對多臺光回波損耗測試儀的校準,表明本校準方法準確可行,滿足了客戶的需求。
上傳時間： 2015-01-03
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