C++作為具體的實現(xiàn)語言。書的內(nèi)容包括表、棧、隊列、樹、散列表、優(yōu)先隊列、排序、不相交集算法、圖論算法、算法分析、算法設(shè)計、攤還分析、查找樹算法、k-d樹和配對堆等。
標簽： c++編程教程
上傳時間： 2015-06-14
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選Activate Product 然後下一步 進到了註冊畫面 將註冊機打開選擇Aster V7 2x 按Get Num產(chǎn)生註冊碼 將註冊碼複製到Aster的註冊畫面上,按下面的"其它" 將硬體代碼複製 將硬體代碼貼上註冊機上的Hardware ID後,按Get Key產(chǎn)生啟動碼後複製到註冊畫面的最下方.按下一步即可啟動
上傳時間： 2016-08-22
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由慣性導航原理的特性可知 ，純慣性無 阻尼航 姿 系統(tǒng) 的誤差將 出現(xiàn) 明顯的周期 性振蕩 ，并 隨時 間發(fā) 散 ，如水平姿態(tài)誤差體現(xiàn)出傅科周期調(diào)制舒勒周期振蕩 ，方位誤差體 現(xiàn)出地球周 期振蕩 。 若在 水平 回路 中加 人 阻尼 網(wǎng)絡(luò) ，可使其舒勒周期振蕩衰減 ，傅科周期振蕩也將 隨之 消失 ，再加入方 位阻尼 ，就能完 成內(nèi)全 阻尼網(wǎng) 絡(luò) 的設(shè)計 。 文章將平 臺精對準 中羅經(jīng) 回路的思想引入到捷聯(lián)航姿系統(tǒng) 中，并 通過改變原有航姿算法 以達 到內(nèi) 全阻尼 的目的，最后 的數(shù) 字仿 真結(jié)果表 明 ，該新算法可使航 姿系統(tǒng)不依賴 任何 外部信息就 能使姿態(tài) 精度得 到 提 高
上傳時間： 2016-10-23
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·300M內(nèi)部時鐘頻率 ·可進行頻移鍵控（FSK），二元相移鍵控（BPSK），相移鍵控（PSK），脈沖調(diào)頻（CHIRP），振幅調(diào)制（AM）操作 ·正交的雙通道12位D/A轉(zhuǎn)換器 ·超高速比較器，3皮秒有效抖動偏差 ·外部動態(tài)特性： 80 dB無雜散動態(tài)范圍（SFDR）@ 100 MHz (±1 MHz) AOUT ·4倍到20倍可編程基準時鐘乘法器 ·兩個48位可編程頻率寄存器 ·兩個14位可編程相位補償寄存器 ·12位振幅調(diào)制和可編程的通斷整形鍵控功能 ·單引腳FSK和BPSK數(shù)據(jù)輸入接口 ·PSK功能可由I/O接口實現(xiàn) ·具有線性和非線性的脈沖調(diào)頻（FM CHIRP）功能，帶有引腳可控暫停功能 ·具有過渡FSK功能 ·在時鐘發(fā)生器模式下，有小于25 ps RMS抖動偏差 ·可自動進行雙向頻率掃描 ·能夠?qū)π盘栠M行sin(x)/x校正 ·簡易的控制接口： 可配置為10MHZ串行接口，2線或3線SPI兼容接口或100MHZ 8位并行可編程接口 ·3.3V單電源供電 ·具有多路低功耗功能 ·單輸入或差分輸入時鐘 ·小型80腳LQFP 封裝
上傳時間： 2019-08-06
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一 產(chǎn)品描述 提供6個觸摸感應按鍵，一對一直接輸出，對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二 產(chǎn)品特色 1 工作電壓範圍：3.1V – 5.5V 2 工作電流：3mA@5V 3 6個觸摸感應按鍵 4 提供一對一的直接輸出，未按鍵為高電平輸出，按鍵為低電平輸出 5 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三 產(chǎn)品應用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四 功能描述 1 VK3606DM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應按鍵的狀態(tài)。 2 單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認了, 需要等 K1 放開後, 其他按 鍵才能再被承認，同時間只有一個按鍵狀態(tài)會被輸出。 3 具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復位。 4 環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5 可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認輸出。 6 內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7 不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動
標簽： 3606 KEYS SOP VK 16 DM 抗干擾 防水
上傳時間： 2019-08-08
上傳用戶：szqxw1688
一．產(chǎn)品描述 提供6個觸摸感應按鍵，一對一直接輸出，輸出為開漏(opendrain)型態(tài)，適合作AD鍵。對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1.工作電壓範圍：3.1V – 5.5V 2.工作電流： 3mA@5V 3.6 個觸摸感應按鍵 4.提供一對一的直接輸出，未按鍵為開漏(open drain)型態(tài)輸出，按鍵時為低電平。 5.可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7.內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。 產(chǎn)品應用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3606OM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認了, 需要等K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認，同時間只有一個按鍵狀態(tài)會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.K0~K5 中不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。 8.D0~D5 中不使用的輸出請接地，避免浮接會有漏電流的情 況。
標簽： KEYS 3606 SOP 16 VK OM 抗干擾 防水
上傳時間： 2019-08-08
上傳用戶：szqxw1688
一．產(chǎn)品描述 提供10個觸摸感應按鍵及兩線式串列界面，並有中斷輸出INT腳與MCU聯(lián)繫。特性上對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1. 工作電壓範圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流：3mA@5V 3. 10 個觸摸感應按鍵 4. 提供串列界面 SCK、SDA、INT 作為與 MCU 溝通方式。 5. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。產(chǎn)品應用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3610IM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認，同時間只有一個按鍵狀態(tài)會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。
標簽： KEYS VK3610 SOP 10 16 IM VK 抗干擾
上傳時間： 2019-08-08
上傳用戶：szqxw1688
產(chǎn)品描述 提供8個觸摸感應按鍵，二進制(BCD)編碼輸出，具有一個按鍵承認輸出的顯示，按鍵後的資料會維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認的狀態(tài)，對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 產(chǎn)品特色 工作電壓範圍： 3.1V – 5.5V 工作電流： 3mA@5V 8 個觸摸感應按鍵 提供二進制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 按鍵後離開，輸出狀態(tài)會維持到下次按鍵才會改變。 提供按鍵承認有效輸出，當有按鍵時輸出低電平，無按鍵為高電平。 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 產(chǎn)品應用 應用于大小家電，娛樂產(chǎn)品等
標簽： VK3608 SOP VK 16 BM 抗干擾 防水 電元器件 貼片
上傳時間： 2019-08-08
上傳用戶：szqxw1688
內(nèi)容簡介 介紹了一般微處押器核鮒設(shè)計原理、基于微處邦器核的SoC設(shè)計的其本機念甜方法,通過對ARM系列處理器核和 CPU核的詳小描述,說明微處理器及外接口的設(shè)計原理和方法。同時也綜述了ARM系列她理器核和最新ARM核的 研發(fā)戰(zhàn)果以政ARM和Thmb踹積模型,對SC設(shè)計中涉及到的行儲器層次、 Cache存儲器管誣、片上總線片|:調(diào)和 產(chǎn)品測試等主要間黥進行了論述。在此基礎(chǔ)上給出了幾個基于ARM核的SoC嵌人式應用的實例。最后對基于異步設(shè)計 的ARM核 AMCLET及異步SUC子系統(tǒng) AMUlET3打的研究進行了介紹 木書的特點是將基于ARM微處理器核的SC設(shè)計和實際恢人式系統(tǒng)的應用集成于一體,對于基于ARM核的S設(shè)計 和嵌λ式系統(tǒng)開發(fā)者來說是一本很好的參考手冊。可用作計算機科學拉術(shù)與應用電氣T程、電∫科學與技術(shù)專業(yè)科牛及碩 研究生的教材,也可作為從事集成電路設(shè)計的[程技術(shù)人員、于ARM的嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)技術(shù)入員的參考書。
上傳時間： 2020-04-02
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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