賽靈思ZYNQ-7000EPP系列開(kāi)辟新型器件先河
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶(hù)：wangzhen1990
賽靈思采用專(zhuān)為 FPGA 定制的芯片制造工藝和創(chuàng)新型統(tǒng)一架構(gòu)，讓 7 系列 FPGA 的功耗較前一代器件降低一半以上。
上傳時(shí)間： 2013-10-10
上傳用戶(hù)：sklzzy
本白皮書(shū)介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個(gè)方面，其中包括臺(tái)積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶(hù)：wcl168881111111
堆疊與載入賽靈思打造令人驚嘆的FPGA
上傳時(shí)間： 2013-11-03
上傳用戶(hù)：lizhizheng88
賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低 功耗技術(shù)，并將該技術(shù)與新型一體化 ASMBLTM 架構(gòu)相結(jié)合，從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實(shí)現(xiàn)了前所未有的高集成度和高帶寬，為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)人員提供了一種可替代 ASSP和 ASIC 的全面可編程解決方案。
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶(hù)：zengduo
可編程技術(shù)勢(shì)在必行 — 用更少的資源實(shí)現(xiàn)更多功能 隨時(shí)隨地降低風(fēng)險(xiǎn)、使用可編程硬件設(shè)計(jì)平臺(tái)快速開(kāi)發(fā)差異化產(chǎn)品 — 驅(qū)使人們不斷探索能夠提供更大容量、更低功耗和更高帶寬的 FPGA 解決方案，用來(lái)創(chuàng)建目前 ASIC 和 ASSP 所能提供的系統(tǒng)級(jí)功能。賽靈思已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種創(chuàng)新型 FPGA 設(shè)計(jì)和制造方法，能夠滿(mǎn)足“可編程技術(shù)勢(shì)在必行”的兩大關(guān)鍵要求。堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)是新一代 FPGA 的基礎(chǔ)，不僅超越了摩爾定律，而且實(shí)現(xiàn)的功能能夠滿(mǎn)足最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求。利用該技術(shù)，賽靈思縮短了批量交付最大型 FPGA 所需的時(shí)間，從而可以滿(mǎn)足最終客戶(hù)的批量生產(chǎn)需求。本白皮書(shū)將探討促使賽靈思開(kāi)發(fā)堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)原因，以及使之實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新方法。
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶(hù)：Yue Zhong
賽靈思推出的三款全新產(chǎn)品系列不僅發(fā)揮了臺(tái)積電28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗 (HPL) 工藝技術(shù)前所未有的功耗、性能和容量?jī)?yōu)勢(shì)，而且還充分利用 FPGA 業(yè)界首款統(tǒng)一芯片架構(gòu)無(wú)與倫比的可擴(kuò)展性，為新一代系統(tǒng)提供了綜合而全面的平臺(tái)基礎(chǔ)。目前，隨著賽靈思 7 系列 (Virtex®-7、Kintex™-7 和Artix™-7 系列) 的推出，賽靈思將系統(tǒng)功耗、性?xún)r(jià)比和容量推到了全新的水平，這在很大程度上要?dú)w功于臺(tái)積電 28nm HKMG 工藝出色的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)以及芯片和軟件層面上的設(shè)計(jì)創(chuàng)新。結(jié)合業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 EasyPath™成本降低技術(shù)，上述新系列產(chǎn)品將為新一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)無(wú)與倫比的價(jià)值
標(biāo)簽： Virtex Kintex Artix FPGA
上傳時(shí)間： 2015-01-02
上傳用戶(hù)：shuizhibai
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱(chēng)THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專(zhuān)用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很?chē)?yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿(mǎn)足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2013-12-15
上傳用戶(hù)：天空說(shuō)我在
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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思源量?jī)x電器元件清單
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶(hù)：siying
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