本模塊的脈沖功率發射電路主要集成了超聲傳感器的前置功率放大驅動電路，它與匹配變壓器相連后可直接驅動超聲換能器產生超聲波。通過改變MCU輸出脈沖的頻率，該驅動模塊可以產生從20KHz～2MHz 的頻率，這個頻段基本涵蓋了目前常見的超聲波應用頻段。模塊的供電范圍為12V～24V，工作溫度為工業級－40～+85oC，輸出脈沖功率可調，最高可達300w，輸出阻抗為25mΩ。本模塊中的超聲脈沖驅動電路基本可以滿足目前國內所有超聲脈沖功率發射的常規應用要求。接收部分電路主要提供的對接收到的信號進行濾波放大，可根據不同的應用需要調整接收部分的濾波頻帶和放大倍數，它的輸入噪聲在輸入信號頻率為500kHz 的時候可低至50uV，對于接收信號特別微弱的應用場合，如超聲波氣體流量計和超聲物位計中將有良好的表現。
標簽： 超聲脈沖 功率 放大 接收模塊
上傳時間： 2013-06-19
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關于 ‘‘地’’ 電路中參考點－零電位點，稱為地點。開關電源中的‘‘地’’：： 公共端 (common)(common)－輸出與輸入參考點。例如－PFCPFC與后繼變換器輸入端的公共端。 電路中的地 (ground(ground--GND)GND)－所有電路共用參考－點。如輔助電源與PFCPFC及DC/DCDC/DC公共端。 大地 (earth(earth--E)電網供電設備通常以大地EE作為零電位。三相輸配電三相中點接大地EE，同時引出中，線NN。 接地阻抗很小的大面積 ‘‘地’’稱為地平面(Ground plane(plane)。
標簽： EMI 電源
上傳時間： 2013-04-24
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一般在選用共模電感的時候重點注意以下幾個參數： 1) Impedance 表示器件在100MHz 時最大的阻抗值。一般在應用共模電感時候， 都是以此值作為選用的重點參考。 2) Rated Current 表示器件應用時候的最大額定電流。在選用的時候，這個參 數作為此重點，電路工作電流一定要小于器件額定工作電流，不然容易燒毀器件。 3) 至于其它參數作為參考。
標簽： 共模電感
上傳時間： 2013-07-30
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TDA1521是荷蘭飛利浦公司設計的低失真度及高穩度的芯片。 其中的參數為：TDA1521在電壓為±16V、阻抗為8Ω時，輸出功率為2×15W，此時的失真僅為0.5％。輸入阻抗20KΩ, 輸入靈敏度600mV,信噪比達到85dB。其電路設有等待、靜噪狀態，具有過熱保護，低失調電壓高紋波抑制，而且熱阻極低，具有極佳的高頻解析力和低頻力度。其音色通透純正，低音力度豐滿厚實，高音清亮明快，很有電子管的韻味。
標簽： 雙聲道 功放電路圖 音箱 電路設計
上傳時間： 2013-07-04
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多數電磁干擾濾波器必須使用共模電感器。由于共模電感器在很寬的 頻率范圍內阻抗很高，所以可抑制高頻開關電源產生的高頻噪聲。
標簽： 共模電感 材料
上傳時間： 2013-07-19
上傳用戶：fzy309228829
摘要:為改善傳統EMI 濾波器的濾波性能,分析并采用了合成扼流圈來替代傳統分立扼流圈,并根據濾 波器阻抗失配原理,通過分析L ISN 網絡與噪聲源的阻抗特性,分別對共差模等效電路進行分析與設計,提出 了基于合成扼流圈的開關電源EMI 濾波器設計方法。試驗結果證明,此方法是有效的,并已成功地應用在燃 料電池轎車用DC/ DC 變換器的控制電路板設計中。 關鍵詞:開關電源;電磁干擾;合成扼流圈;共模電感
標簽： 共模電感 濾波器設計
上傳時間： 2013-06-09
上傳用戶：萬有引力
地線造成電磁干擾的主要原因是地線存在阻抗，當電流流過地線時，會在地線上產生電壓，這就是地線噪聲。在這個電壓的驅動下，會產生地線環路電流，形成地環路干擾。當兩個電路共用一段地線時，會形成公共阻抗耦合。 解決地環路干擾的方法有切斷地環路，增加地環路的阻抗，使用平衡電路等。解決公共阻抗耦合的方法是減小公共地線部分的阻抗，或采用并聯單點接地，徹底消除公共阻抗。
標簽： PCB 布線設計 地線干擾
上傳時間： 2013-07-31
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主算電子電路阻抗值,為PCB工廠控制阻抗計算用，本軟件可使用到2038年,值得下載
標簽： 9000 si
上傳時間： 2013-06-01
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15.2 已經加入了有關貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets 下的 DRC 選項. 點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄.
標簽： Allegro 15.2 SPB
上傳時間： 2013-10-08
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
標簽： IGBT 模塊
上傳時間： 2013-11-03
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