我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：1、在設(shè)計中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會造成信號完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時使用，構(gòu)成一個(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時間： 2013-10-12
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RF設(shè)計中經(jīng)常遇到阻抗計算問題，Smith Chart是一種方便，直觀的實(shí)用方法
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：hebmuljb
作者RICHARD CHI-HSI LI，結(jié)合自己20年RF設(shè)計經(jīng)驗(yàn)，整理的RF設(shè)計技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)，工程性很強(qiáng)，從最基本的LNA、MIXERS、差分對等講起，涉及到阻抗匹配，接地，天線設(shè)計，RF系統(tǒng)分析，是一本很不錯的書。英文版
標(biāo)簽： RF設(shè)計 經(jīng)驗(yàn)
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：ve3344
本書全面論述了信號完整性問題。主要講述了信號完整性和物理設(shè)計概論，帶寬、電感和特性阻抗的實(shí)質(zhì)含義，電阻、電容、電感和阻抗的相關(guān)分析，解決信號完整性問題的四個實(shí)用技術(shù)手段
上傳時間： 2013-11-14
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文中應(yīng)用電磁場全波仿真工具SIwave構(gòu)建信號跨層走線模型,從電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)阻抗的角度分析了跨層走線對信號傳輸?shù)挠绊?同時使用添加電容的方法優(yōu)化信號傳輸路徑,并對電容的選取及其位置的確定進(jìn)行了研究,為PCB設(shè)計提供參考。
上傳時間： 2014-01-20
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針對太浦閘監(jiān)控系統(tǒng)現(xiàn)場控制單元現(xiàn)場總線通信網(wǎng)絡(luò)存在的問題，根據(jù)現(xiàn)場勘測分析，得出可能導(dǎo)致此問題的原因有：網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不合理、總線特性阻抗的連續(xù)性不好、系統(tǒng)保護(hù)措施不夠，提出了采用RS485 集線器來實(shí)現(xiàn)星型接法，使網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)合理，并通過其光電隔離的防雷的功能，加強(qiáng)系統(tǒng)的保護(hù)，同時在總線的終端串接電阻來改善總線特性阻抗的連續(xù)性，對原有現(xiàn)場總線通信網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行改造。改造后系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定可靠，效果良好。
標(biāo)簽： 監(jiān)控系統(tǒng) 現(xiàn)場總線 可靠性研究 通信網(wǎng)絡(luò)
上傳時間： 2013-10-16
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j基于激光掃描原理的路徑檢測方案
上傳時間： 2013-10-09
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特點(diǎn) 顯示值范圍-199999至999999位數(shù) 最高輸入頻率 5KHz 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能 輸入脈波具有預(yù)設(shè)刻度功能 定位基準(zhǔn)值可任意設(shè)定 比較磁滯值可任意設(shè)定 數(shù)位化指撥設(shè)定操作簡易 3組繼電器輸出功能 2:主要規(guī)格 脈波輸入型式: Jump-pin selectable current sourcing(NPN) or current sinking (PNP) 脈波觸發(fā)電位: HI bias (CMOS) (VIH=7.5V, VIL=5.5V) LO bias (TTL) (VIH=3.7V, VIL=2.0V) 最高輸入頻率: <5KHz 定位置范圍: -199999 to 999999 second adjustabl 比較磁滯范圍: 0 to 9999 adjustable 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 顯示值范圍: -199999 to 999999 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 9.2mm (.36") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 感應(yīng)器電源: 12VDC +/-3%(<60mA) 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2014-12-03
上傳用戶：xjz632
特點(diǎn) 精確度0.25%滿刻度 ±1位數(shù) 輸入配線系統(tǒng)可任意選擇 CT比可任意設(shè)定 具有異常電流值與異常次數(shù)記錄保留功能 電流過高或過低檢測可任意設(shè)定 報警繼電器復(fù)歸方式可任意設(shè)定 尺寸小,穩(wěn)定性高 2.主要規(guī)格 輔助電源: AC110V&220V ±20%(50 or 60Hz) AC220V&440V ±20%(50 or 60Hz)(optional) 精確度: 0.25% F.S. ±1 digit 輸入負(fù)載: <0.2VA (Current) 最大過載能力 : Current related input: 2 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1 sec. 輸入電流范圍: AC0-5A (10-1000Hz) CT ratio : 1-2000 adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復(fù)歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器磁滯范圍: 0-999 digit adjustable 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.276")(NO) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環(huán)境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：wanghui2438
特點(diǎn) 最高輸入頻率 10KHz 計數(shù)速度 50/10000脈波/秒可選擇 四種輸入模式可選擇(加算,減算,加減算,90度相位差加減算) 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能 輸入脈波具有預(yù)設(shè)刻度功能 前置量設(shè)定功能(二段設(shè)定)可選擇 數(shù)位化指撥設(shè)定操作簡易 計數(shù)暫時停止功能 3組報警功能 2:主要規(guī)格 脈波輸入型式: Jump-pin selectable current sourcing(NPN) or current sinking (PNP) 脈波觸發(fā)電位: HI bias (CMOS) (VIH=7.5V, VIL=5.5V) LO bias (TTL) (VIH=3.7V, VIL=2.0V) 最高輸入頻率: <10KHz (up,down,up/down mode) <5KHz (quadrature mode) 輸出動作時間 : 0.1 to 99.9 second adjustable 輸出復(fù)歸方式: Manual(N) or automatic (R or C) can be modif 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 顯示值范圍: -199999 to 999999 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 9.2mm (.36") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 感應(yīng)器電源: 12VDC +/-3%(<60mA) ( 感應(yīng)器電源 ) 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-12
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