由于電磁兼容的迫切要求，電磁干擾(EMI)抑制元件獲得了廣泛的應用。然而實際應用中的電磁兼容問題十分復雜，單單依靠理論知識是完全不夠的，它更依賴于廣大電子工程師的實際經(jīng)驗。為了更好地解決電子產(chǎn)品的電磁兼容性這一問題，還要考慮接地、 電路與PCB板設計、電纜設計、屏蔽設計等問題[1][2]。本文通過介紹磁珠的基本原理和特性來說明它在開關電源電磁兼容設計中的重要性與應用，以期為設計者在設計新產(chǎn)品時提供必要的參考。 2 磁珠及其工作原理 磁珠的主要原料為鐵氧體，鐵氧體是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料，鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經(jīng)常使用的一類磁芯就是鐵氧體材料，許多廠商都提供專門用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點是高頻損耗非常大，具有很高的導磁率，它可以使電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。鐵氧體材料通常應用于高頻情況，因為在低頻時它們主要呈現(xiàn)電感特性，使得損耗很小。在高頻情況下，它們主要呈現(xiàn)電抗特性并且隨頻率改變。實際應用中，鐵氧體材料是作為射頻電路的高 頻衰減器使用的。實際上，鐵氧體可以較好的等效于電阻以及電感的并聯(lián)，低頻下電阻被電感短路，高頻下電感阻抗變得相當高，以至于電流全部通過電阻。鐵氧體是一個消耗裝置，高頻能量在上面轉(zhuǎn)化為熱能，這是由它的電阻特性決定的。 對于抑制電磁干擾用的鐵氧體，最重要的性能參數(shù)為磁導率和飽和磁通密度。磁導率可以表示為復數(shù)，實數(shù)部分構(gòu)成電感，虛數(shù)部分代表損耗，隨著頻率的增加而增加。因此它的等效電路為由電感L和電阻R組成的串聯(lián)電路，如圖1所示，電感L和電阻R都是頻率的函數(shù)。當導線穿過這種鐵氧體磁芯時，所構(gòu)成的電感阻抗在形式上是隨著頻率的升高而增加，但是在不同頻率時其機理是完全不同的。
標簽：
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：yyyyyyyyyy
采用高輸入頻率、高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的系統(tǒng)設計是一項具挑戰(zhàn)性的任務。ADC輸入接口設計有6個主要條件：輸入阻抗、輸入驅(qū)動、帶寬、通帶平坦度、噪聲和失真。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：chukeey
我司工程部編寫的簡單的要求
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：oojj
DesignSpark PCB是功能強勁的**免費正版**PCB設計工具。 它具有兩個主要功能：原理圖制作和印刷電路板布局，亦可以連接到業(yè)界標準的Spice模擬器進行模擬。 DesignSpark PCB具計算線路阻抗值的設計計算器，和產(chǎn)生三維視覺效果，能夠給用家以3D的形式觀看屬于你的印刷電路板設計。
標簽： DesignSpark DS-PCB PCB v3
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：chukeey
高頻PCB設計中傳輸線的阻抗控制非常重要，此軟件很方便的計算各種類型阻抗值，方便PCB設計，此軟件版權(quán)所有，建議購買正版。
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：后時代明明
“地”通常被定義為一個等位點，用來作為兩個或更多系統(tǒng)的參考電平。信號地的較好定義是一個低阻抗的路徑，信號電流經(jīng)此路徑返回其源。我們主要關心的是電流，而不是電壓。在電路中具有有限阻抗的兩點之間存在電壓差，電流就產(chǎn)生了。在接地結(jié)構(gòu)中的電流路徑?jīng)Q定了電路之間的電磁耦合。因為閉環(huán)回路的存在，電流在閉環(huán)中流動，所以產(chǎn)生了磁場。閉環(huán)區(qū)域的大小決定著磁場的輻射頻率，電流的大小決定著噪聲的幅度。在實施接地方法時存在兩類基本方法：單點接地技術(shù)和多點接地技術(shù)。在每套方案中，又可能采用混合式的方法。針對某一個特殊的應用，如何選擇最好的信號接地方法取決于設計方案。只要設計者依據(jù)電流流量和返回路徑的概念，就可以以同時采用幾種不同的方法綜合加以考慮
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：498732662
數(shù)字與模擬電路設計技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外，幾乎所有的電路都是由半導體組件所構(gòu)成，雖然半導體組件高速、高頻化時會有EMI的困擾，不過為了充分發(fā)揮半導體組件應有的性能，電路板設計與封裝技術(shù)仍具有決定性的影響。 模擬與數(shù)字技術(shù)的融合由于IC與LSI半導體本身的高速化，同時為了使機器達到正常動作的目的，因此技術(shù)上的跨越競爭越來越激烈。雖然構(gòu)成系統(tǒng)的電路未必有clock設計，但是毫無疑問的是系統(tǒng)的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術(shù)、電路設計與成本，以及如何防止噪訊的產(chǎn)生與噪訊外漏等綜合考慮。機器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號/小功率信號、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數(shù)字電路，經(jīng)常出現(xiàn)在同一個高封裝密度電路板，設計者身處如此的環(huán)境必需面對前所未有的設計思維挑戰(zhàn)，例如高穩(wěn)定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時，如果未將噪訊入侵高穩(wěn)定性電路的對策視為設計重點，事后反復的設計變更往往成為無解的夢魘。模擬電路與高速數(shù)字電路混合設計也是如此，假設微小模擬信號增幅后再將full scale 5V的模擬信號，利用10bit A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，由于分割幅寬祇有4.9mV，因此要正確讀取該電壓level并非易事，結(jié)果造成10bit以上的A/D轉(zhuǎn)換器面臨無法順利運作的窘境。另一典型實例是使用示波器量測某數(shù)字電路基板兩點相隔10cm的ground電位，理論上ground電位應該是零，然而實際上卻可觀測到4.9mV數(shù)倍甚至數(shù)十倍的脈沖噪訊(pulse noise)，如果該電位差是由模擬與數(shù)字混合電路的grand所造成的話，要測得4.9 mV的信號根本是不可能的事情，也就是說為了使模擬與數(shù)字混合電路順利動作，必需在封裝與電路設計有相對的對策，尤其是數(shù)字電路switching時，ground vance noise不會入侵analogue ground的防護對策，同時還需充分檢討各電路產(chǎn)生的電流回路(route)與電流大小，依此結(jié)果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實例都是設計模擬與數(shù)字混合電路時經(jīng)常遇到的瓶頸，如果是設計12bit以上A/D轉(zhuǎn)換器時，它的困難度會更加復雜。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：731140412
今天，電視機與視訊轉(zhuǎn)換盒應用中的大多數(shù)調(diào)諧器采用的都是傳統(tǒng)單變換MOPLL概念。這種調(diào)諧器既能處理模擬電視訊號也能處理數(shù)字電視訊號，或是同時處理這兩種電視訊號(即所謂的混合調(diào)諧器)。在設計這種調(diào)諧器時需考慮的關鍵因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及對外部組件的選擇。本文將介紹如何用英飛凌的MOPLL調(diào)諧芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037實現(xiàn)超低成本調(diào)諧器參考設計。這種單芯片ULC調(diào)諧器整合了射頻和中頻電路，可工作在5V或3.3V，功耗可降低34%。設計采用一塊單層PCB，進一步降低了系統(tǒng)成本，同時能處理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合訊號，可支持幾乎全球所有地區(qū)標準。圖1為采用TUA6039-2/TUA6037設計單變換調(diào)諧器架構(gòu)圖。該調(diào)諧器實際上不僅是一個射頻調(diào)諧器，也是一個half NIM，因為它包括了中頻模塊。射頻輸入訊號透過一個簡單的高通濾波器加上中頻與民間頻段(CB)陷波器的組合電路進行分離。該設計沒有采用PIN二極管進行頻段切換，而是采用一個非常簡單的三工電路進行頻段切換。天線阻抗透過高感抗耦合電路變換至已調(diào)諧的輸入電路。然后透過英飛凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W對預選訊號進行放大。BG5120K雙MOSFET可以用于兩個VHF頻段。在接下來的調(diào)諧后帶通濾波器電路中，則進行信道選擇和鄰道與影像頻率等多余訊號的抑制。前級追蹤陷波器和帶通濾波器的容性影像頻率補償電路就是專門用來抑制影像頻率。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：ryb
LVDS(低壓差分信號)標準ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點及其PCB (印制電路板)設計,糾正了某些錯誤認識。應用傳輸線理論分析了單線阻抗、雙線阻抗及LVDS差分阻抗計算方法,給出了計算單線阻抗和差分阻抗的公式,通過實際計算說明了差分阻抗與單線阻抗的區(qū)別,并給出了PCB布線時的幾點建議。關鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計算, PCB設計 LVDS (低壓差分信號)是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標準,其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號輸出邊緣變化很快,其信號通路表現(xiàn)為傳輸線特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進行PCB (印制電路板)設計時,超高速PCB設計和差分信號理論就顯得特別重要。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：水中浮云
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設計技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號線的設計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進一步探討，本文所總結(jié)的內(nèi)存設計技術(shù)就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態(tài)內(nèi)存，其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：euroford
