利用FPGA開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)H。264和AVC的視頻標(biāo)準(zhǔn)，參考使用。
標(biāo)簽： FPGA 264 AVC 視頻標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2013-09-01
上傳用戶(hù)：kytqcool
H橋驅(qū)動(dòng)原理與應(yīng)用 關(guān)于智能汽車(chē)
標(biāo)簽： H橋 驅(qū)動(dòng)原理
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶(hù)：vodssv
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-08-01
上傳用戶(hù)：1109003457
主要介紹場(chǎng)效應(yīng)管H參數(shù)的模型
標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型
上傳時(shí)間： 2014-01-09
上傳用戶(hù)：1966649934
本文的目的在于，介紹如何計(jì)算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機(jī)中的繞組感應(yīng)。我們僅處理理想化的氣隙磁場(chǎng)，不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動(dòng)勢(shì)（MMF）的空間諧頻。 在圖1中，給出了12槽定子的軸截面示意圖。實(shí)際上，所顯示的是薄鋼片的形狀，或用于構(gòu)成磁路的層片。鐵芯由薄片構(gòu)成，以控制渦流電流損耗。厚度將根據(jù)工作頻率而變，在60Hz的電機(jī)中（大體積電機(jī)，工業(yè)用）層片的厚度典型為.014”（.355毫米）。它們堆疊在一起，以構(gòu)成具有恰當(dāng)長(zhǎng)度的磁路。繞組位于該結(jié)構(gòu)的槽內(nèi)。 在圖1中，給出了帶有齒結(jié)構(gòu)的梯形槽，在大部分長(zhǎng)度方向上具有近乎均勻的截面，靠近氣隙處較寬。齒端與相對(duì)狹窄的槽凹陷區(qū)域結(jié)合在一起，通過(guò)改善氣隙場(chǎng)的均勻性、增加氣隙磁導(dǎo)、將繞組保持在槽中，有助于控制很多電機(jī)轉(zhuǎn)子中的寄生損耗。請(qǐng)注意，對(duì)于具有名為“形式纏繞”線(xiàn)圈的大型電機(jī)，它具有直邊矩形槽，以及非均勻截面齒。下面的介紹針對(duì)兩類(lèi)電機(jī)。
標(biāo)簽： 如何計(jì)算 轉(zhuǎn)子 電機(jī) 繞組
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶(hù)：我干你啊
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶(hù)：thesk123
介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶(hù)：642778338
Abstract: With its small size and large load (10W) capability, the MAX13256 H-bridge transformer driver is an attractive solution forcharging supercapacitors (supercaps). However, a large capacitance on the output of the circuit can force the driver into fault modeat startup, due to the high initial charge current. This application note presents a solution that allows users to charge a largecapacitance without going into fault.
標(biāo)簽： H橋變壓器 驅(qū)動(dòng)器 充電 超級(jí)電容器
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶(hù)：2728460838
文中提出了一種應(yīng)用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙（MS-EBG）結(jié)構(gòu),其單位晶格由折線(xiàn)縫隙組合與正方形貼片橋接構(gòu)成,以抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲。結(jié)果表明,抑制深度為-30 dB時(shí),與傳統(tǒng)L-bridged EBG結(jié)構(gòu)比較,新EBG結(jié)構(gòu)的阻帶寬度增加1.3 GHz,相對(duì)帶寬提高了約10%,能夠有效抑制0.6～5.9 GHz的同步開(kāi)關(guān)噪聲。
標(biāo)簽： 同步開(kāi)關(guān)噪聲 電磁 帶隙結(jié)構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶(hù)：qimingxing130
在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度穩(wěn)定性。
標(biāo)簽： 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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