將指定的1到n ，共n個整數進行全排列。
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上傳時間： 2017-08-30
上傳用戶：sxdtlqqjl
#include <stdlib.h> #include<stdio.h> #include <malloc.h> #define stack_init_size 100 #define stackincrement 10 typedef struct sqstack { int *base; int *top; int stacksize; } sqstack; int StackInit(sqstack *s) { s->base=(int *)malloc(stack_init_size *sizeof(int)); if(!s->base) return 0; s->top=s->base; s->stacksize=stack_init_size; return 1; } int Push(sqstack *s,int e) { if(s->top-s->base>=s->stacksize) { s->base=(int *)realloc(s->base,(s->stacksize+stackincrement)*sizeof(int)); if(!s->base) return 0; s->top=s->base+s->stacksize; s->stacksize+=stackincrement; } *(s->top++)=e; return e; } int Pop(sqstack *s,int e) { if(s->top==s->base) return 0; e=*--s->top; return e; } int stackempty(sqstack *s) { if(s->top==s->base) { return 1; } else { return 0; } } int conversion(sqstack *s) { int n,e=0,flag=0; printf("輸入要轉化的十進制數：\n"); scanf("%d",&n); printf("要轉化為多少進制：\n"); scanf("%d",&flag); printf("將十進制數%d 轉化為%d 進制是：\n",n,flag); while(n) { Push(s,n%flag); n=n/flag; } while(!stackempty(s)) { e=Pop(s,e); switch(e) { case 10: printf("A"); break; case 11: printf("B"); break; case 12: printf("C"); break; case 13: printf("D"); break; case 14: printf("E"); break; case 15: printf("F"); break; default: printf("%d",e); } } printf("\n"); return 0; } int main() { sqstack s; StackInit(&s); conversion(&s); return 0; }
上傳時間： 2016-12-08
上傳用戶：愛你198
HT45F23 MCU 含有兩個運算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號處理，通 過控制暫存器，OPA 相關的應用可以很容易實現。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設定 以及基本OPA 應用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運算放大器OPA1/OPA2 具有多個開關，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內部有8 種增益選項，直接通過軟體設定。適應於各種廣泛的應用。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：immanuel2006
抽樣z變換頻率抽樣理論:我們將先闡明：（1）z變換與DFT的關系（抽樣z變換），在此基礎上引出抽樣z變換的概念，并進一步深入討論頻域抽樣不失真條件。（2）頻域抽樣理論（頻域抽樣不失真條件）（3)頻域內插公式一、z變換與DFT關系 （1）引入連續傅里葉變換引出離散傅里葉變換定義式。離散傅里葉變換看作是序列的傅里葉變換在 頻 域 再 抽 樣 后 的 變 換 對.在Z變換與L變換中,又可了解到序列的傅里葉 變換就是單位圓上的Z 變 換.所以對序列的傅里葉變換進行頻域抽樣時, 自 然可以看作是對單位圓上的 Z變換進行抽樣. (2)推導Z 變 換 的 定 義 式 (正 變 換) 重 寫 如 下: 取z=ejw 代 入 定 義 式, 得 到 單 位 圓 上 Z 變 換 為w是 單 位 圓 上 各 點 的 數 字 角 頻 率.再 進 行 抽 樣-- N 等 分.這 樣w=2kπ/N, 即w值為0,2π/N,4π/N,6π/N…, 考慮到x(n)是N點有限長序列, 因而n只需0~N-1即可。將w=2kπ/N代入并改變上下限, 得 則這正是離散傅里葉變換 (DFT)正變換定義式.
上傳時間： 2014-12-28
上傳用戶：zhaistone
設有一個背包可以放入的物品重量最重為s，現有n件物品，它們的重量分別為w[0]、 w[1]、w[2]、…、w[n-1]。問能否從這n件物品中選擇若干件放入此背包中，使得放入的重量之和正好為s。如果存在一種符合上述要求的選擇，則稱此背包問題有解（或稱其解為真）；否則稱此背包問題無解（或稱其解為假）。試用遞歸方法設計求解背包問題的算法。
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上傳時間： 2016-03-15
上傳用戶：bcjtao
若不希望用與估計輸入信號矢量有關的相關矩陣來加快LMS算法的收斂速度，那么可用變步長方法來縮短其自適應收斂過程，其中一個主要的方法是歸一化LMS算法（NLMS算法），變步長 的更新公式可寫成 W（n+1）=w（n）+ e（n）x（n） =w（n）+ （3.1） 式中， = e（n）x（n）表示濾波權矢量迭代更新的調整量。為了達到快速收斂的目的，必須合適的選擇變步長 的值，一個可能策略是盡可能多地減少瞬時平方誤差，即用瞬時平方誤差作為均方誤差的MSE簡單估計，這也是LMS算法的基本思想。
上傳時間： 2016-07-07
上傳用戶：changeboy
The Window Design Method The basic idea behind the design of linear-phase FIR filters using the window method is to choose a proper ideal frequency-selective filter [which always has a noncausal, infinite duration impulse response] and then truncate its impulse response hd[n] to obtain a linear-phase and causal FIR filter h[n]. To truncate the impulse response of the ideal filter a time window w[n] is used. Available windows in Matlab are rectangular [or boxcar in Matlab], bartlett, hamming, hanning
標簽： linear-phase The the filters
上傳時間： 2017-03-20
上傳用戶：PresidentHuang
The code performs a number (ITERS) of iterations of the Bailey s 6-step FFT algorithm (following the ideas in the CMU Task parallel suite). 1.- Generates an input signal vector (dgen) with size n=n1xn2 stored in row major order In this code the size of the input signal is NN=NxN (n=NN, n1=n2=N) 2.- Transpose (tpose) A to have it stored in column major order 3.- Perform independent FFTs on the rows (cffts) 4.- Scale each element of the resulting array by a factor of w[n]**(p*q) 5.- Transpose (tpose) to prepair it for the next step 6.- Perform independent FFTs on the rows (cffts) 7.- Transpose the resulting matrix The code requires nested Parallelism.
標簽： iterations performs Bailey number
上傳時間： 2014-01-05
上傳用戶：libenshu01
華為開關電源電感器設計 正激式開關電源變壓器設計步驟
上傳時間： 2021-12-03
上傳用戶：fliang
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
