出了一種新型的低成本單相在線不間斷電源（UPS）。該系統包括具有功率因數校正（PFC）功能的整流/升壓轉換器和連接到DC-Link總線的兩橋臂逆變器，電池組通過一個非常簡單的系統可直接連接到DC-Link總線。采用6開關管的架構，相對于傳統的8開關管全橋拓撲結構的系統降低了成本。即使在非線性負載下，該系統仍具有功率密度高和高品質輸出電壓的特點。最后詳細描述了電路操作、分析以及模擬和實驗結果。
上傳時間： 2013-11-04
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提出一種增加去耦支路損耗抑制電源分配網絡PDN中并聯諧振的方法。該方法通過在去耦支路引入一個串聯電阻，使PDN的損耗增加，從而抑制PDN并聯諧振。給出了理論模型，借助Hyperlynx PI仿真軟件在DM642板卡上進行仿真實驗。結果表明，在去耦支路引入一個0.45 Ω電阻，可將PDN并聯諧振處的品質因數Q從282抑制到13。同時，分析了引入電阻對去耦效果的影響。當引入電阻小于0.45 Ω時，可通過增加去耦電容并聯個數來補償引入電阻對去耦的影響。
上傳時間： 2013-11-16
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設計了一種新型的機載過壓保護電路。該電路以芯片LT4356和APL502L為主要器件，簡單可靠，能夠滿足防80 V/50 ms浪涌電壓要求。介紹了該防浪涌電壓保護電路主要特點和參數設計，并對該電路進行了仿真分析。相應實驗結果表明，該電路是一種可靠有效的機載過壓保護電路。
上傳時間： 2013-10-10
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開關電源設計筆記-幾分鐘搞定一款LED電源
上傳時間： 2013-10-14
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一款開關電源設計筆記（含參數選取，設計原理圖）
上傳時間： 2013-10-16
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電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時間： 2014-12-24
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PT4115是一款連續(xù)電感電流導通模式的降壓恒流源，用于驅動一顆或者多顆串聯LED。根據不同外部器件，芯片可以驅動高達數十瓦的LED。PT4115具有調光功能，通過DIM引腳實現模擬調光和寬范圍PWM調光。當VDIM低于0.3V時，功率開關關斷，芯片進入低功耗待機狀態(tài) 主要技術參數 ? 輸入電壓范圍：6V to 40V ? 最大輸出LED電流1.2A ? 5%的輸出電流精度 ? 高達97%的效率 ? 極少的外部器件 ? 復用DIM引腳進行LED開關、模擬調光和PWM調光 ? LED開路保護 ? LED過熱保護 ? 輸出電流可調節(jié) ? 具有輸入欠壓保護功能 應用 ? 低壓LED射燈代替鹵素燈 ? 車載LED燈 ? LED備用燈 ? LED信號燈
上傳時間： 2014-12-24
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DU1763是一款兼容可控硅調光器的高壓線性恒流控制器，可直接驅動多通道LED燈串。其電源系統結構簡單，只需很少的外圍元件就可以實現優(yōu)秀的恒流特性的調光特性。主要應用于對體積、成本要求苛刻的非隔離兼容可控硅調光器的LED恒流驅動電源系統。同時由于無需電解電容及磁性元件等特點，可以實現很長的電源壽命。 DU1763可以根據實際應用情況去選擇三通道或二勇斗。DU1763還可以多芯片并聯或串聯應用：其輸出電流可通過電流采樣電阻進行編程。可自適輸出LED燈串的電壓大小。 DU1763集成了專利的防過沖技術和過溫補償功能。DU1763還集成了各種保護功能，包括輸出短路、輸出開路、過溫保護。從而提高了LED恒流電源的可靠性。
上傳時間： 2013-11-06
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為了滿足實時跟蹤的需求，在分析了3種配電網拓撲跟蹤算法的基礎上，提出了一種電網全局以母線為節(jié)點遍歷和設備單元局部更新相結合的新型實時跟蹤算法。為了便于說明算法的應用，文中還對電網拓撲變化和跟蹤算法進行了闡述。最后在一個大型鋼鐵企業(yè)的配電網仿真系統中進行了實際的應用，該仿真說明了該跟蹤算法是有效的。
上傳時間： 2013-11-06
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設計中。
上傳時間： 2013-10-27
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