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  • 傳輸線與電路觀點詳解

      •1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

    標簽: 傳輸線 電路

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:laomv123

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 采用一個節省空間的三路輸出穩壓器來驅動大型TFT-LCD顯示器

    大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級空間。

    標簽: TFT-LCD 輸出穩壓器 大型 顯示器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:watch100

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時至今日,以太網供電 (PoE) 技術仍在當今的網絡世界中不斷地普及。由供電設備 (PSE) 提供並傳輸至受電設備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標簽: PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時間: 2013-11-06

    上傳用戶:xmsmh

  • 四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業和電信行業的設計師當中,使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

    標簽: 348W 升壓型轉換器 功率 散熱器

    上傳時間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 基于C51雙電源供電系統設計

    摘要:本系統以C51單片機為控制核心,設計了一套采 PWM和PID調節的雙電源供電系統。

    標簽: C51 雙電源供電 系統設計

    上傳時間: 2014-01-16

    上傳用戶:change0329

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨立元件

    在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

    標簽: MOSFET 獨立元件

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

    標簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時,還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應力越小,電源效率也就越高。

    標簽: 輸入電容 電流

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

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