經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時(shí)間： 2014-09-08
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PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景
上傳時(shí)間： 2014-03-24
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MSP430G2553 硬件例程 非常全面
標(biāo)簽： G2553 2553 430G MSP
上傳時(shí)間： 2013-12-11
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PIC16F877_C語言例程.pdf
標(biāo)簽： PIC 877 16 語言
上傳時(shí)間： 2013-11-18
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MeTech Verilog例程。
標(biāo)簽： Verilog MeTech 1.0
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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stm8s的c語言編程例程
標(biāo)簽： stm8s c語言 編程
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MSP430_C語言例程注釋詳
標(biāo)簽： MSP 430 語言
上傳時(shí)間： 2014-12-25
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RM51單片機(jī)實(shí)驗(yàn)板配套實(shí)驗(yàn)例程庫
標(biāo)簽： RM 51 單片機(jī)實(shí)驗(yàn)板 實(shí)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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stm32初級(jí)例程 源碼資料
標(biāo)簽： stm 32
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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