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遠(yuǎn)程計算機(jī)

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標簽： 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間： 2013-08-30

    上傳用戶：cainaifa

  • Altera FPGA開發工具的詳細教程

    Altera FPGA \r\n的開發工具的詳細教程，有例程與步奏

    標簽： Altera FPGA 開發工具 教程

    上傳時間： 2013-08-31

    上傳用戶：bs2005

  • 自己現在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

    標簽： CPLD 244 74 HC

    上傳時間： 2013-08-31

    上傳用戶：dancnc

  • DESCRIPTION: DDS design BY PLD DEVICES

    * DESCRIPTION: DDS design BY PLD DEVICES.\r\n *\r\n * AUTHOR: Sun Yu\r\n *\r\n * HISTORY: 12/06/2002 \r\n *

    標簽： DESCRIPTION DEVICES design DDS

    上傳時間： 2013-09-09

    上傳用戶：jokey075

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽： Protel 99 se

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • genesis9.0算號器_算號器視頻文件

    genesis9.0算號器提供genesis算號器使用視頻。安裝文件一定要放在小寫英文路徑下，中文不行，有大寫字母的英文也不行。1.算號器的只是算gnd的號，要算get的號，需要參考算號器的步驟。注意選擇破解有效時間。2.7天過期，30天過期，永不過期等。注意要用自己機器識別號去算，在get運行彈出來的序號對話框里，有機器識別號。3.安裝完成，啟動時，填寫進入用戶名和密碼時，一定不能用鼠標。直接用回車鍵，否則失效。密碼框內的密碼不可見，輸完直接回車，即可進入genesis界面。

    標簽： genesis 9.0 算號器 視頻

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：swaylong

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽： 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

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