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標(biāo)簽： PDF編輯器
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：canderile
摘要：對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析，對(duì)TLP250，EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖，還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng)，對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)，通過有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn)，最后得出結(jié)論：IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是集過流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代，為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個(gè)MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，它是日前最為常見的一種器件。
標(biāo)簽： 三相逆變器 igbt 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：jiabin
變頻器是指利用電力電子器件將工頰的交流電源變換為用戶所需頻率的交流電源，它分為直接變頻（交一交變頻）和間接變頻（交一直-交變頻），間接變頻技術(shù)在穩(wěn)頻穩(wěn)壓和調(diào)頻調(diào)壓的利用率以及變頻電源對(duì)負(fù)載特性的影響等方面，都具有明顯的優(yōu)勢(shì)，是目前變頻技術(shù)領(lǐng)域普遍采取的方式，本課題所研究的正是間接變頻中的脈寬調(diào)制（PWM）變頻器技術(shù)由于IGBT器件的開關(guān)速度很快，當(dāng)IGBT關(guān)斷或績(jī)流二極管反向恢復(fù)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的di/dr，該dild在主電路的布線電感上引發(fā)較大的尖峰電壓（關(guān)斷浪涌電壓）.在采用PWM開關(guān)控創(chuàng)模式的IGBT變頻器中，IGBT的開關(guān)狀態(tài)不但與PWM脈沖有關(guān)，還與變頻器主電路元器件及負(fù)載特性有很大關(guān)系，為了確保IGBT安全可靠的工作，有必要進(jìn)一步分析主電路和緩沖電路各器件的工作情況和接相過程，以期設(shè)計(jì)出有效的IGBT保護(hù)電路。本文推導(dǎo)了兩電平PWM三相變頻器的數(shù)學(xué)模型，對(duì)變頻器主電路的換相過程及緩沖電路的工作方式利用PSIM軟件進(jìn)行了細(xì)致的仿真分析，同時(shí)也仿真研究了布線電感及緩沖電路各參數(shù)對(duì)1GBT關(guān)斷電壓的影響；詳細(xì)介紹了變頻器所包含的各電路環(huán)節(jié)的理論基礎(chǔ)及設(shè)計(jì)過程：并在大量的文獻(xiàn)資料和相關(guān)仿真分析的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出套級(jí)沖電路器件參數(shù)的計(jì)算公式，實(shí)踐表明計(jì)算結(jié)果符合要求并取得了良好的效果。經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)和反復(fù)的改進(jìn)，并給出了調(diào)試結(jié)果及變頻器的額定輸出電壓、電流波形。通過將試驗(yàn)結(jié)果與理論外析進(jìn)行比較驗(yàn)證，證明了理論分析的合理性，本文所研究設(shè)計(jì)的變頻器性能穩(wěn)定，運(yùn)行可靠，完全滿足設(shè)計(jì)要求.
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動(dòng)系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu)；冷床傳輸鏈采用4臺(tái)電機(jī)單獨(dú)傳動(dòng)，每臺(tái)電機(jī)分別由獨(dú)立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時(shí)性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來，冷床傳輸鏈運(yùn)行較為穩(wěn)定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現(xiàn)象，具體故障情況統(tǒng)計(jì)見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺(tái)逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實(shí)際情況上看，檢查輸出電纜及電機(jī)等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統(tǒng)可以立即正常運(yùn)行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式，制動(dòng)電阻直接掛接于直流母線上，當(dāng)逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時(shí)，制動(dòng)單元?jiǎng)幼鳎M(jìn)行能耗制動(dòng)；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象，因此不是由于制動(dòng)反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負(fù)荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實(shí)際運(yùn)行波形上看，負(fù)荷分配相對(duì)較為均勻，相互差別僅為2%左右，應(yīng)該不會(huì)造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象，如果是由于負(fù)荷分配不均造成，應(yīng)該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負(fù)荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長(zhǎng)期過流運(yùn)行，從而導(dǎo)致IGBT燒毀。逆變單元型號(hào)及電機(jī)參數(shù)：額定功率90kw，額定電流186A，負(fù)載電流169 A，短時(shí)電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機(jī)功率110kw，電機(jī)額定電流205 A，電機(jī)正常運(yùn)行時(shí)的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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以下是使用本書的推薦步驟和方法：1.學(xué)習(xí)用Protel進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。按照功能定義、方案選定、電路原理圖設(shè)計(jì)、采購元件、硬件電路板設(shè)計(jì)的流程，自己動(dòng)手，實(shí)踐各個(gè)環(huán)節(jié)，掌握了這些環(huán)節(jié)以后，就在一定程度上具備了自己解決問題的能力。在原理圖和印制電路板設(shè)計(jì)過程中，可以參考配套網(wǎng)站上中的相關(guān)內(nèi)容，但電路印制電路板設(shè)計(jì)完成以后，暫不制板。有關(guān)內(nèi)容見“硬件電路設(shè)計(jì)與制作”篇中的第1~5章。2.進(jìn)行電路板焊接和調(diào)試。使用本書所配印制電路板，自己購買元件，按照“硬件電路設(shè)計(jì)與制作”篇中的第7章的詳細(xì)步驟進(jìn)行電路板焊接和調(diào)試。調(diào)試過程中直接使用配套網(wǎng)站上中提供的各種調(diào)試時(shí)需要的固件程序，暫不關(guān)心這些固件的程序是如何寫就的。3.理解源程序。MP3+U盤調(diào)試完成以后，對(duì)整個(gè)調(diào)試開發(fā)環(huán)境就應(yīng)該很熟悉了。接下來，閱讀本書“C51程序設(shè)計(jì)”篇的有關(guān)內(nèi)容，并閱讀附錄中對(duì)KeilC編譯器、Source Insight源碼閱讀軟件的介紹，閱讀配套網(wǎng)站上調(diào)試過程所用固件對(duì)應(yīng)的C源程序，并結(jié)合源碼中的注釋，理解MP3源程序設(shè)計(jì)的方法。4.進(jìn)行個(gè)性化設(shè)計(jì)與調(diào)整。到此，讀者對(duì)于硬件電路設(shè)計(jì)與制作過程中的軟件、硬件電路設(shè)計(jì)與制作有了相當(dāng)了解了。此時(shí)，可以將自己原先設(shè)計(jì)的印制電路圖進(jìn)行必要的個(gè)性化設(shè)計(jì)與調(diào)整，自己制作MP3播放器的印制電路板，根據(jù)所做調(diào)整，在原有調(diào)試所需固件的基礎(chǔ)上，進(jìn)行相應(yīng)的修改，重復(fù)電路調(diào)試過程，以便提高和融會(huì)貫通。電路板加工可以參考“硬件電路設(shè)計(jì)與制作”篇中的第6章內(nèi)容。5.進(jìn)行USB通信的學(xué)習(xí)，了解USB有關(guān)概念。先學(xué)習(xí)“USB海量存儲(chǔ)設(shè)備（U盤）設(shè)計(jì)”篇中第14~17章的內(nèi)容，建立起USB通信的概念。6.了解設(shè)計(jì)一個(gè)USB海量存儲(chǔ)設(shè)備所需的知識(shí)，進(jìn)一步加深對(duì)USB通信的理解。閱讀“USB海量存儲(chǔ)設(shè)備（U盤）設(shè)計(jì)”篇中第18~20章的內(nèi)容。7.用C語言編程實(shí)現(xiàn)U盤的固件編寫，掌握USB通信的調(diào)試方法。閱讀“USB海量存儲(chǔ)設(shè)備（U盤）設(shè)計(jì)”篇中第21章、第22章的有關(guān)內(nèi)容。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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1 準(zhǔn)備1.1 硬件和編譯環(huán)境1.1.1 開發(fā)板硬件選用PIC18F25K22，在淘寶上可以買到開發(fā)板， LIXUE 工作室出品的。價(jià)格在140 左右。1.1.2 IDE編譯環(huán)境為MPLAB IDE V8.87C 編譯器為MCC18，版本號(hào)為3.38（以上編譯環(huán)境均由開發(fā)板中的光盤提供）1.1.3 仿真器PICkit3，同一家店買的1.2 FreeRTOS 相關(guān)移植文件準(zhǔn)備1.2.1 下載移植文件在Microchip 官網(wǎng)下載通用移植文件http://embeddedcodesource.com/rtos我是選了下面這個(gè)，點(diǎn)擊download 即可下載，解壓后里面存在如下文件，1.2.2 查找有用的文件下載到的FreeRTOS為6.0.4 版本1）找到三個(gè).c 文件如上圖所示，解壓后，主要的文件在FreeRTOS\Source文件夾中，如下所示：其中l(wèi)ist.c ， queue.c ，tasks.c 無需修改，作為主要的FreeRTOS的文件，2）找到與.c 文件對(duì)應(yīng)的.h 文件如下圖所示，與之對(duì)應(yīng)的在FreeRTOS\Source\include文件夾中：找到list.h ， queue.h ，tasks.h，也無需修改。3）另外還有用的文件包括FreeRTOS.h , portable.h ，projdef.h4）找到heap_1.c找到FreeRTOS\Source\portable\MemMang文件夾里面5）移植修改文件主要包括port.c portmacro.h，在找到FreeRTOS\Source\portable\MPLAB\PIC18F文件夾里面6）其他文件在FreeRTOS_C18\FreeRTOS PrimerEjemplo文件夾中包含了主體的Demo 工程文件，關(guān)注FreeRTOSConfig.h，還有兩個(gè).lkr 鏈接文件。2 示例Demo 說明點(diǎn)開FreeRTOS_C18\FreeRTOS PrimerEjemplo 文件夾中的.mcw 工程文件，發(fā)現(xiàn)提示丟失文件，如下所示，其實(shí)是定位出現(xiàn)文件，依次對(duì)應(yīng)步驟1.2.2 中的各個(gè)文件夾位置查找，重新定位即可，定位好之后，編譯即可通過，
標(biāo)簽： freertos
上傳時(shí)間： 2022-06-24
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1.8G 115個(gè)變頻器手冊(cè)大全免費(fèi)分享給大家，希望對(duì)你有所幫助！文件較大，存在網(wǎng)盤中，下載文件獲取分享鏈接及提取碼。
標(biāo)簽： 變頻器
上傳時(shí)間： 2022-06-24
上傳用戶：bluedrops
HX711是一款專為高精度電子秤而設(shè)計(jì)的24位A/D轉(zhuǎn)換器芯片。與同類型其它芯片相比，該芯片集成了包括穩(wěn)壓電源、片內(nèi)時(shí)鐘振蕩器等其它同類型芯片所需要的外圍電路，具有集成度高、響應(yīng)速度快、抗干擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。降低了電子秤的整機(jī)成本，提高了整機(jī)的性能和可靠性。該芯片與后端MCU 芯片的接口和編程非常簡(jiǎn)單，所有控制信號(hào)由管腳驅(qū)動(dòng)，無需對(duì)芯片內(nèi)部的寄存器編程。輸入選擇開關(guān)可任意選取通道A 或通道B，與其內(nèi)部的低噪聲可編程放大器相連。通道A 的可編程增益為128 或64，對(duì)應(yīng)的滿額度差分輸入信號(hào)幅值分別為±20mV或±40mV。通道B 則為固定的64 增益，用于系統(tǒng)參數(shù)檢測(cè)。芯片內(nèi)提供的穩(wěn)壓電源可以直接向外部傳感器和芯片內(nèi)的A/D 轉(zhuǎn)換器提供電源，系統(tǒng)板上無需另外的模擬電源。芯片內(nèi)的時(shí)鐘振蕩器不需要任何外接器件。上電自動(dòng)復(fù)位功能簡(jiǎn)化了開機(jī)的初始化過程。
標(biāo)簽： hx711 A/D轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2022-07-24
上傳用戶：
超聲波換能器材料
上傳時(shí)間： 2013-06-03
上傳用戶：eeworm
調(diào)制解調(diào)器實(shí)用指南
標(biāo)簽： 調(diào)制解調(diào)器
上傳時(shí)間： 2013-05-29
上傳用戶：eeworm
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