自己現在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式
標簽： CPLD 244 74 HC
上傳時間： 2013-08-31
上傳用戶：dancnc
\r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版
標簽： Protel 99 se
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：Yukiseop
Protel99se SDK\r\n\r\nProtel向用戶提供SDK軟件包。SDK軟件包包括：服務器生成向導和Protel API及相關文檔資料。\r\n\r\n 服務器生成向導是一個運行于設計資源管理器的插入式服務器，它為用戶生成第三方EDA軟件模板的原代碼和安裝文件（.INS文件），安裝文件用于將用戶開發的第三方EDA軟件安裝在設計資源管理器平臺上。服務器生成向導可以為用戶生成兩種格式的原代碼：Delphi和C++ Builder。\r\n\r\n為方便用戶開發第三方EDA軟件，Protel向用戶
標簽： Protel SDK 99 se
上傳時間： 2013-09-18
上傳用戶：txfyddz
用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
標簽： CoolMos 制造
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽： 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間： 2014-03-24
上傳用戶：alan-ee
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