放墨香商業版本， 巨陵-蠻牛掉元寶,願意打的就是高手 開放包袱商人會帶備稀而物品給各位大俠購買 本服轉身請登入官網轉身 本服遊戲幣個人上限是40億 如果帶多了 轉圖重登都會變回40億 全球最強防外掛系統,打造2016年最公平的墨湘 本服承諾,絕無任何嚴重bug,保證遊戲穩定運行 本服禁止空白名,定期自動清理帶空名的玩家
標簽： 墨香
上傳時間： 2016-04-11
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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標簽： 網絡
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