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質量監(jiān)測系統(tǒng)

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 開環電壓增益AVOL的定義與量測方法

    運算放大器,開環電壓增益AVOL的定義與量測方法。

    標簽: AVOL 開環 增益 定義

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:rtsm07

  • 模擬量差分輸入方式的應用指南

    本應用手冊中的內容適用于PCM系列數據采集板卡中PCM-8208BT、PCM-8208BS隔離模擬量輸入板卡。 對于非隔離的板卡PCM-8308BS也可以參考其接線方式應用于現場。 1.PCM-8208BT、PCM-8208BS數據采集板卡主要參數 PCM系列數據采集板卡為支持PC/104總線接口的數據采集板卡。

    標簽: 模擬量 差分輸入 方式 應用指南

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:ddddddd

  • 繼電器數顯溫度采集模擬開關量輸入控制板

    1、可編程(通過下載排針可下載程序) 2、具有兩路數字量(IN0和IN1)控制/檢測信號輸入端 3、兩路AD模擬量輸入(A1和A2) 4、兩個按鍵輸入 5、兩路繼電器輸出指示燈 6、可控制兩路交流220V/10A一下設備。(最大控制設備2000W) 7、板子帶有防反接二極管 8、標準的11.0592晶振

    標簽: 繼電器 數顯 開關量 控制板

    上傳時間: 2013-10-20

    上傳用戶:wawjj

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • protel99se元件名系表

    protel99se元件名系表

    標簽: protel 99 se 元件

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:liuwei6419

  • FFT算法在電網諧波檢測中的應用

    影響數字信號處理發展的最主要因素之一就是處理速度。DFT使計算機處理頻域信號成為可能,但當N很大時,直接計算N點DFT的計算量非常大。FFT可使DFT的運算量下降幾個數量級,從而使數字信號處理的速度大大提高。本文介紹了如何利用高性能數字信號處理器實現FFT算法,給出了程序流程圖及關鍵程序源碼。該算法采用基2 FFT算法,參數計算主要采用查表法,計算量小,實時性高。在電網諧波檢測應用中表明,該方法既能有效地檢測出電網諧波,又能滿足實時性要求。

    標簽: FFT 算法 電網諧波 檢測

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:asaqq

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

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