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變頻驅動

  • 步進頻率雷達系統的模擬與測試

    任何雷達接收器所接收到的回波(echo)訊號，都會包含目標回波和背景雜波。雷達系統的縱向解析度和橫向解析度必須夠高，才能在充滿背景雜波的環境中偵測到目標。傳統上都會使用短週期脈衝波和寬頻FM 脈衝來達到上述目的。

    標簽： 步進頻率 模擬 雷達系統 測試

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：zhqzal1014

  • PCB LAYOUT設計規范手冊

    　　PCB Layout Rule Rev1.70, 規範內容如附件所示, 其中分為: 　　(1) ”PCB LAYOUT 基本規範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產. 　　(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. 　　(3) “PCB LAYOUT 建議規範”:為製造單位為提高量產良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. 　　(4) ”零件選用建議規範”: Connector零件在未來應用逐漸廣泛, 又是SMT生產時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

    標簽： LAYOUT PCB 設計規范

    上傳時間： 2013-10-28

    上傳用戶：zhtzht

  • 傳輸線與電路觀點詳解

      •1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

    標簽： 傳輸線 電路

    上傳時間： 2013-11-21

    上傳用戶：laomv123

  • 電路板維修相關技術資料

    電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術 ICT維修技術 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經驗及技術不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨 投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰

    標簽： 電路板維修 技術資料

    上傳時間： 2013-10-26

    上傳用戶：neu_liyan

  • 反激式控制器改善了多輸出應用的交叉調節性能

    反激式轉換器通常應用於具有多個輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個反激式轉換器，多輸出僅增加極少的成本或復雜度––– 每個額外的輸出僅要求另一個變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。

    標簽： 反激式控制器 輸出 調節 性能

    上傳時間： 2013-11-22

    上傳用戶：3294322651

  • 采用集成電流檢測來監視和保護汽車系統

    對於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環境，這裡，引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事

    標簽： 集成 電流檢測 保護 汽車系統

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：zhaiye

  • 準確的電源排序可防止系統受損

    諸如電信設備、存儲模塊、光學繫統、網絡設備、服務器和基站等許多復雜繫統都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數字 IC，這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作，否則 IC 就會遭到損壞。

    標簽： 電源排序 防止

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：packlj

  • 反激式控制器簡化了低輸入電壓DCDC轉換器的設計

    LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓，但可通過采用一個 VCC 穩壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉換器的輸入範圍向上擴展。

    標簽： DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉換器

    上傳時間： 2013-11-01

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  • 四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業和電信行業的設計師當中，使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

    標簽： 348W 升壓型轉換器 功率 散熱器

    上傳時間： 2014-12-01

    上傳用戶：lhc9102

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

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