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這是電子專業(yè)制板所用到得PROTEL99SE的教程，非常的詳細(xì)
標(biāo)簽： PROTEL 99 SE 電子專業(yè)
上傳時間： 2013-09-10
上傳用戶：竺羽翎2222
此精彩教程,詳細(xì)的描述了制板的流程,對于初學(xué)者有很大的入門用處!
標(biāo)簽： protel 99 se 教程
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：sklzzy
電路設(shè)計與制板：Protel DXP入門與提高
標(biāo)簽： Protel DXP 電路設(shè)計
上傳時間： 2013-11-04
上傳用戶：waitingfy
M進(jìn)制可逆計數(shù)器的設(shè)計、仿真及實驗
標(biāo)簽： 進(jìn)制 計數(shù)器 仿真 實驗
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：oojj
計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
知識_熱轉(zhuǎn)印PCB制板過程實錄熱轉(zhuǎn)印做PCB板的
標(biāo)簽： PCB 熱轉(zhuǎn)印 過程
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：zhangjinzj
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
標(biāo)簽： 封裝 IC封裝 制程
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
高頻變壓器繞制方法
標(biāo)簽： 高頻變壓器 繞制方法
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：xhz1993
怎樣繞制高頻變壓器
標(biāo)簽： 高頻變壓器
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：我干你啊
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
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