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設(shè)(shè)計(jì)(jì)問題

  • 本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援

    本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援，可以使讀者能充分地掌握MATLAB的脈動(dòng)，擁有解決工程問題的最佳利器,1-10章

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    上傳時(shí)間： 2014-01-19

    上傳用戶：lvzhr

  • 本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援

    本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援，可以使讀者能充分地掌握MATLAB的脈動(dòng)，擁有解決工程問題的最佳利器,11-20章

    標(biāo)簽： 分

    上傳時(shí)間： 2014-11-27

    上傳用戶：chenbhdt

  • 本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援

    本書完整的說明與充分的網(wǎng)路支援，可以使讀者能充分地掌握MATLAB的脈動(dòng)，擁有解決工程問題的最佳利器,21-29章

    標(biāo)簽： 分

    上傳時(shí)間： 2014-01-21

    上傳用戶：fxf126@126.com

  • 安裝 winxp sp3 後

    安裝 winxp sp3 後，我的電腦右鍵無法開啟裝置管理員與服務(wù)的問題解決

    標(biāo)簽： winxp sp3

    上傳時(shí)間： 2016-11-21

    上傳用戶：siguazgb

  • I2C slave可以作動(dòng)

    I2C slave可以作動(dòng)，請(qǐng)使用 如果有問題請(qǐng)?jiān)僮屛抑?Thank you

    標(biāo)簽： slave I2C

    上傳時(shí)間： 2016-12-19

    上傳用戶：zm7516678

  • Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅(qū)動(dòng)程式的權(quán)威們專業(yè)的協(xié)助

    Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅(qū)動(dòng)程式的權(quán)威們專業(yè)的協(xié)助，學(xué)習(xí)如何使用簡(jiǎn)易的方式來撰寫Windows驅(qū)動(dòng)程式。 Microsoft WDM支援隨插即用（PnP）功能，提供了電源管理能力，並詳述撰寫驅(qū)動(dòng)程式/迷你驅(qū)動(dòng)程式的方法。這本由長(zhǎng)時(shí)間接觸裝置驅(qū)動(dòng)程式的專家Walter Oney 與Windows核心小組共同合作的書提供了大量很實(shí)用的例子、圖表、建議，並一行一行分析範(fàn)例的程式碼，好讓您能夠清楚了解實(shí)際上在撰寫驅(qū)動(dòng)程式時(shí)所會(huì)發(fā)生的問題。另外亦更新了Windows XP及Windows 2000的最新驅(qū)動(dòng)程式技術(shù)，又告訴您如何除錯(cuò)。

    標(biāo)簽： Windows Programming Microsoft driver

    上傳時(shí)間： 2014-01-19

    上傳用戶：cjl42111

  • vbsql學(xué)習(xí)源碼

    vbsql學(xué)習(xí)源碼，適合一般初學(xué)者，如有問題，麻煩請(qǐng)指教一下

    標(biāo)簽： vbsql

    上傳時(shí)間： 2017-07-04

    上傳用戶：himbly

  • 這是個(gè)prolog程式

    這是個(gè)prolog程式，能解決4x4的數(shù)獨(dú)問題 例： ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]

    標(biāo)簽： prolog 程式

    上傳時(shí)間： 2017-07-21

    上傳用戶：rocwangdp

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時(shí)間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

  • ESD_Technology

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。

    標(biāo)簽： ESD_Technology

    上傳時(shí)間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

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