本文結(jié)合研究所科研項(xiàng)目需要，基于16 位高速ADC 芯片LTC2204，設(shè)計(jì)了一種滿足課題要求的高速度高性能的16 位模數(shù)轉(zhuǎn)換板卡方案。該方案中的輸入電路和時(shí)鐘電路采用差分結(jié)構(gòu)，輸出電路采用鎖存器隔離結(jié)構(gòu)，電源電路采用了較好的去耦措施，并且注重了板卡接地設(shè)計(jì)，使其具有抗噪聲干擾能力強(qiáng)、動(dòng)態(tài)性能好、易實(shí)現(xiàn)的特點(diǎn)。
標(biāo)簽： 模數(shù)轉(zhuǎn)換 模塊 動(dòng)態(tài) 性能測(cè)試
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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定點(diǎn)乘法器設(shè)計(jì)(中文) 運(yùn)算符： + 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)作加法操作; A + B - 從左邊的數(shù)據(jù)中減去右邊的數(shù)據(jù); A - B - 對(duì)跟在其后的數(shù)據(jù)作取補(bǔ)操作，即用0減去跟在其后的數(shù)據(jù); - B * 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)作乘法操作; A * B & 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)按位作與操作; A & B # 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)按位作或操作; A # B @ 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)按位作異或操作; A @ B ~ 對(duì)跟在其后的數(shù)據(jù)作按位取反操作; ~ B << 以右邊的數(shù)據(jù)為移位量將左邊的數(shù)據(jù)左移; A << B $ 將其兩邊的數(shù)據(jù)按從左至右順序拼接; A $ B
標(biāo)簽： 定點(diǎn) 乘法器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-17
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本文設(shè)計(jì)數(shù)字式液位測(cè)量?jī)x,采用雙差壓法對(duì)液位進(jìn)行測(cè)量,有效地克服了液體密度變化對(duì)液位測(cè)量結(jié)果的影響,提高液位測(cè)量的精度。本設(shè)計(jì)的液位測(cè)量?jī)x還能直接顯示液位高度的厘米數(shù)。關(guān)鍵詞:雙差壓法 液位測(cè)量?jī)x 普通差壓法測(cè)量液位, 精度無法保證。本文提出雙差壓法的改進(jìn)方案,以克服液體密度變化對(duì)液位測(cè)量結(jié)果的影響,提高液位測(cè)量的精度。 雙差壓法液位測(cè)量原理普通差壓法測(cè)量液位的原理:只有在液體密度ρ恒定不變的條件下,差壓△ P 才與液位高度H 呈線性正比關(guān)系,才可通過測(cè)量差壓△P 間接地獲取液位H 值。但液體密度ρ是液體組份和溫度的多元函數(shù)。當(dāng)液體組份和溫度變化導(dǎo)致密度ρ改變時(shí),即使液位高度H 沒有變化,也將使差壓信號(hào)△ P 改變,此時(shí)若還按原先的液體密度ρ從差壓信號(hào)△ P 計(jì)算出液位H,顯然將導(dǎo)致測(cè)量誤差, 嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成操作人員的錯(cuò)誤判斷。為此,本文提出采用兩個(gè)差壓傳感器,如圖1。其中差壓傳感器1 用于測(cè)量未知液位高度H 產(chǎn)生的差壓,即密閉容器底部和液面上方的壓力差:
標(biāo)簽： 數(shù)字式 液位 測(cè)量?jī)x
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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為提高產(chǎn)品的可靠性、設(shè)計(jì)和功能,本文所有信息若有變更,恕不提前通知。本文信息也不作為廠商的任何承諾。 任何情況下,包括已警告了的各種損壞的可能性,廠商均不負(fù)責(zé)直接的、非直接的、特殊的或偶然的因不正當(dāng)使用本產(chǎn)品或文件所造成的損壞。 本文包含受版權(quán)保護(hù)的信息，版權(quán)所有。未經(jīng)廠商書面同意,不得以機(jī)械的、電子的或其它任何方式進(jìn)行復(fù)制。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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為了縮短加法電路運(yùn)行時(shí)間，提高FPGA運(yùn)行效率，利用選擇進(jìn)位算法和差額分組算法用硬件電路實(shí)現(xiàn)32位加法器，差額分組中的加法單元是利用一種改進(jìn)的超前進(jìn)位算法實(shí)現(xiàn)，選擇進(jìn)位算法可使不同的分組單元并行運(yùn)算，利用低位的運(yùn)算結(jié)果選擇高位的進(jìn)位為1或者進(jìn)位為零的運(yùn)算結(jié)果，節(jié)省了進(jìn)位選擇等待的時(shí)間，最后利用XILINX進(jìn)行時(shí)序仿真，在FPGA上進(jìn)行驗(yàn)證，可穩(wěn)定運(yùn)行在高達(dá)50兆的頻率，理論分析與計(jì)算機(jī)仿真表明該算法切實(shí)可行、有效并且易于實(shí)現(xiàn)。
標(biāo)簽： 進(jìn)位 加法器 硬件 電路實(shí)現(xiàn)
上傳時(shí)間： 2013-12-19
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8位加法器和減法器設(shè)計(jì)實(shí)習(xí)報(bào)告
標(biāo)簽： 8位 加法器 減法器 實(shí)習(xí)報(bào)告
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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十六位模數(shù)轉(zhuǎn)換器AD7705+及其應(yīng)用
標(biāo)簽： 7705 AD 十六位 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個(gè)電路設(shè)計(jì)為例，簡(jiǎn)單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計(jì)中的使用。下面是一個(gè)DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計(jì))，其中DRAM作為DSP的擴(kuò)展Memory(64位寬度，低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時(shí)鐘頻率133M。因?yàn)轭l率較高，設(shè)計(jì)過程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗(yàn)證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點(diǎn)芯片管腳處的標(biāo)志，出現(xiàn)未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對(duì)應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點(diǎn)OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)管腳和3245的對(duì)應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點(diǎn)DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因?yàn)槲覀兪褂盟膶影澹诒韺幼呔€，所以要選用“Microstrip”，然后點(diǎn)“Value”進(jìn)行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長(zhǎng)度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線間距1.4inch，對(duì)線長(zhǎng)為1.7inch)?，F(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點(diǎn)加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測(cè)試點(diǎn)增加探頭：為發(fā)現(xiàn)更多的信息，我們使用眼圖觀察。因?yàn)闀r(shí)鐘是133M，數(shù)據(jù)單沿采樣，數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M，對(duì)應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下：之后按照芯片手冊(cè)制作眼圖模板。因?yàn)槲覀冏铌P(guān)心的是接收端(DRAM)信號(hào)，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊(cè)的輸入需求設(shè)計(jì)。芯片手冊(cè)中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個(gè)NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(hào)(不長(zhǎng)于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求，而其他的56位都是一對(duì)一，經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求，但有一點(diǎn)需注意，就是寫數(shù)據(jù)時(shí)因?yàn)榇嬖诨貨_，DRAM接收高電平在位中間會(huì)回沖到2V。因此會(huì)導(dǎo)致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會(huì)出錯(cuò)，還需要改版加串阻。
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針對(duì)模塊電源的發(fā)展趨勢(shì)和有源鉗位電路的工作原理，研究了一種采用磁放大技術(shù)和固定伏特秒控制技術(shù)的有源鉗位正激軟開關(guān)電路，并對(duì)該電路的工作過程進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一款25 W的電源樣機(jī)。經(jīng)過測(cè)試，驗(yàn)證了該理論分析的正確性，在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)完全實(shí)現(xiàn)了主開關(guān)管和鉗位開關(guān)管的軟開關(guān)變換，軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的條件不依賴于變壓器的參數(shù)。在采用肖特基二極管整流的情況下，滿載輸出的轉(zhuǎn)換效率在89%以上。
標(biāo)簽： 有源鉗位 變換器 正 軟開關(guān)
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