現(xiàn)代信息處理應用中，對模數(shù)轉換器的速度、精度、功耗和動態(tài)性能等關鍵性能指標不斷提出更高的要求。針對模數(shù)轉換的實際應用，提出并設計了一種基于TI公司生產(chǎn)的雙通道14 位 250MSPS 低功耗A / D轉換器 ADS4249的RGB視頻編碼器電路設計。這款A / D轉換器的技術創(chuàng)新點在于其完美的實現(xiàn)高動態(tài)性能的同時又能擁有1.8 V超低功耗。這一特性使得ADS4249非常適合多載波，寬帶通信的信號處理應用。
上傳時間： 2013-10-28
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提出了一種應用于CSTN-LCD系統(tǒng)中低功耗、高轉換速率的跟隨器的實現(xiàn)方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高壓工藝SPICE模型的仿真結果表明，在典型的轉角下，打開2個輔助模塊時，靜態(tài)功耗約為35 μA；關掉輔助模塊時，主放大器的靜態(tài)功耗為24 μA。有外接1 μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為10 μs；沒有外接1μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為13μs。驗證表明，該跟隨器能滿足CSTN-LCD系統(tǒng)低功耗、高轉換速率性能要求。
上傳時間： 2013-11-18
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運算放大器集成電路，與其它通用集成電路一樣，向低電壓供電方向發(fā)展，普遍使用3V供電，目的是減少功耗和延長電池壽命。這樣一來，運算放大器集成電路需要有更高的元件精度和降低誤差容限。運算放大器一般位于電路系統(tǒng)的前端，對于時間和溫度穩(wěn)定性的要求是可以理解的，同時要改進電路結構和修調技術。當前，運算放大器是在封裝后用激光修調和斬波器穩(wěn)定技術，這些辦法已沿用多年并且行之有效，它們仍有改進的潛力，同時近年開發(fā)成功的數(shù)字校正技術，由于獲得成功和取得實效，幾家運算放大器集成電路生產(chǎn)商最近公開了它們的數(shù)字修調技術，本文簡介如下。
上傳時間： 2013-11-17
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與其他主流應用相比，汽車應用對質量和可靠性有一些最為嚴格的要求，其理由很充分：生產(chǎn)中，如果缺陷水平超過1 ppm，即使最簡單的元件也可能會導致裝配線停止工作；交付后，缺陷或可靠性問題可能導致生產(chǎn)商召回汽車并付出巨大代價，甚至可能危及駕乘人員的安全。
標簽： 數(shù)字隔離器 可靠性 汽車應用 質量
上傳時間： 2013-11-24
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2014-12-24
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在分析了Boost變換器精確離散迭代模型的基礎上，首次研究了采用周期性擴頻技術后Boost變換器中的分叉和混沌現(xiàn)象。通過M文件編程得到了輸出電壓隨著電路參數(shù)變化的分叉圖，驗證了它含有豐富的非線性動力學行為，而且研究了采用周期性擴頻技術對變換器中非線性現(xiàn)象的影響。同時，在變換器中電路參數(shù)不變的情況下，研究了周期擴頻技術的頻率在不同范圍內變化時，其中的分叉與混沌現(xiàn)象。本研究為更好地設計Boost變換器電路提供了一定理論基礎和應用價值。
上傳時間： 2013-11-03
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基于HHNEC 0.35um BCD工藝設計了一種應用于峰值電流模升壓轉換器的動態(tài)斜坡補償電路。該電路能夠跟隨輸入輸出信號變化，相應給出適當?shù)难a償量，從而避免了常規(guī)斜坡補償所帶來的系統(tǒng)帶載能力低及瞬態(tài)響應慢等問題。經(jīng)Cadence Spectre驗證，該電路能夠達到設計要求。
上傳時間： 2013-10-11
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首先對逆變器無線并聯(lián)的原理作了簡單的介紹。其次依據(jù)逆變器技術指標設計了一種以dsPIC30F3011芯片為核心控制器的無線并聯(lián)控制方案，結合系統(tǒng)主電路和相關控制原理，給出了該系統(tǒng)的硬件設計和軟件設計。最后以兩臺逆變器并聯(lián)為研究對象進行實驗驗證，實驗結果表明該控制方案能夠達到技術指標的要求并且能夠有效地抑制并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生的環(huán)流，使輸出功率和負載電流得到均分。
標簽： 逆變器 無線 并聯(lián)控制 方案
上傳時間： 2013-11-20
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滿足上海65 m射電望遠鏡噪聲注入要求，設計了一種新型的同軸環(huán)激勵圓波導耦合器，該耦合器有較低的同軸激勵口駐波和平坦的耦合值，利用環(huán)天線和傳輸線概念分析了該耦合器的工作原理，作為實例，設計了一個S波段的耦合器，加工了耦合器實物樣品，實驗測量表明，測量結果和仿真結果吻合良好。
上傳時間： 2013-11-16
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在異步電機三相逆變中，當電機低速運行時，因輸出電壓較低，由死區(qū)時間和信號傳播延遲造成的電壓損失會使輸出電流發(fā)生明顯的畸變。為改善逆變器輸出電流波形，需要進行電壓補償。常用的電壓補償方法有電壓反饋補償、電流反饋補償、死區(qū)解耦補償、自適應死區(qū)補償?shù)龋畛Ｓ们胰菀讓崿F(xiàn)的方法就是電流反饋補償。電流反饋補償需要知道電流采樣通道及開關器件延遲、開關器件壓降、死區(qū)時間等參數(shù)，為避免直接查閱芯片資料造成的參數(shù)誤差，本文提出了一種逆變器電壓補償參數(shù)離線辨識方法，并研究了該方法在電壓補償中的應用。
上傳時間： 2013-10-30
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