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視頻會(huì)議系統(tǒng)(tǒng)

  • Ba-Nd-Ti系微波介質(zhì)陶瓷Q值的提高和方法機(jī)理

    利用系介質(zhì)陶瓷材料研制的微波元器件,廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事及民用通信及電子設(shè)備中,在理論分析和工藝試驗(yàn)的基礎(chǔ)上,通過(guò)對(duì)介質(zhì)陶瓷材料組分和控制溫度工藝研究,優(yōu)化BaO-Nd2O3-TiO2組分材料,改進(jìn)煅燒溫度等工藝方法,研制出性能穩(wěn)定性介質(zhì)陶瓷材料。為研制用于高頻、超高頻電子設(shè)備中性能穩(wěn)定微波元器件找到了有效的途徑。

    標(biāo)簽: Ba-Nd-Ti 微波介質(zhì) Q值 陶瓷

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶:kangqiaoyibie

  • 用于RFID接收器的基帶電路

    射頻識(shí)別 (RFID) 技術(shù)采用輻射和反射 RF 功率來(lái)識(shí)別和跟蹤各種目標(biāo)。典型的 RFID 繫統(tǒng)由一個(gè)閱讀器和一個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)器 (或標(biāo)簽) 組成。

    標(biāo)簽: RFID 接收器 基帶電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

    上傳用戶:huyanju

  • 基于T-S模糊模型的電液比例位置控制系統(tǒng)研究

    針對(duì)電液比例位置控制系統(tǒng)由于非線性和死區(qū)特性在實(shí)際控制中難以得到滿意的控制效果的現(xiàn)狀,本研究采用T-S模糊控制理論的原理設(shè)計(jì)了T-S模糊控制器對(duì)電液比例位置控制系統(tǒng)進(jìn)行控制。并以Matlab為平臺(tái)進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。仿真結(jié)果表明采用T-S模糊控制的電液比例位置控制系統(tǒng)具有較好的控制效果

    標(biāo)簽: T-S 模糊模型 位置控制 電液比例

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:daoxiang126

  • 甚低頻T形面型天線電氣性能分析

     運(yùn)用三維全波電磁仿真軟件對(duì)甚低頻T形面型天線進(jìn)行電磁建模和仿真分析計(jì)算,分析了天線的輸入阻抗、有效高度、電容等電氣參數(shù)。在建模時(shí)考慮了鐵塔及不同頂容線模型的影響,并對(duì)有無(wú)鐵塔及不同鐵塔類(lèi)型、以及天線不同形式時(shí)天線的輸入阻抗進(jìn)行對(duì)比分析。

    標(biāo)簽: 低頻 天線 電氣 性能分析

    上傳時(shí)間: 2013-10-13

    上傳用戶:LouieWu

  • protel99se元件名系表

    protel99se元件名系表

    標(biāo)簽: protel 99 se 元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:sz_hjbf

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別,圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱(chēng)為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱(chēng)為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

    上傳用戶:372825274

  • 微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng))

    微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng)) 特點(diǎn): 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過(guò)載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過(guò)載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 單相交流 單相 電表

    上傳時(shí)間: 2015-01-03

    上傳用戶:幾何公差

  • 基于T-F變換的多點(diǎn)流體溫度測(cè)量系統(tǒng)

    針對(duì)一般測(cè)溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測(cè)量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜,準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問(wèn)題,提出了一種基于溫度-頻率(T-F)變換的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開(kāi)關(guān)陣列,使多個(gè)測(cè)點(diǎn)的熱敏電阻分別與TLC555構(gòu)成振蕩電路,將測(cè)點(diǎn)的溫度變化轉(zhuǎn)化為振蕩頻率的變化,使用8253計(jì)數(shù)芯片對(duì)TLC555的輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)量并產(chǎn)生中斷,單片機(jī)讀取8253計(jì)數(shù)值反演為測(cè)點(diǎn)溫度。實(shí)驗(yàn)表明,測(cè)點(diǎn)數(shù)目增多不會(huì)增加測(cè)量系統(tǒng)的復(fù)雜程度,通過(guò)設(shè)置8253的計(jì)數(shù)初值,可以在不改變硬件的情況下靈活選擇測(cè)量的準(zhǔn)確度和速度,滿足了流體多點(diǎn)精確快速測(cè)溫的需求。同時(shí)該系統(tǒng)具備簡(jiǎn)潔實(shí)用,成本低的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽: T-F 變換 多點(diǎn) 流體

    上傳時(shí)間: 2013-10-23

    上傳用戶:assef

  • 華科控制系的最新交流電機(jī)講義

    華科控制系的最新交流電機(jī)講義

    標(biāo)簽: 控制 交流電機(jī) 講義

    上傳時(shí)間: 2014-12-03

    上傳用戶:nanfeicui

  • 8051微控制器上的 DES encryption/decryption used in IC smart cards. Software hasn t been validated and lack

    8051微控制器上的 DES encryption/decryption used in IC smart cards. Software hasn t been validated and lacks in-line documentation.

    標(biāo)簽: encryption decryption validated Software

    上傳時(shí)間: 2015-01-13

    上傳用戶:wangdean1101

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